RU80100R,全新原裝現(xiàn)貨0755-82732291當(dāng)天發(fā)貨或門市自取.原廠直供代理銷售現(xiàn)貨供應(yīng)RUICHIPS全系列產(chǎn)品.
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RUH30J30M DFN5060
RUH30J51M DFN5060
RUH3051M DFN5060
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RU2030M2DFN3333
RU20D40M3DFN3030
RUICHIPS專業(yè)從事功率集成電路、功率器件系列的設(shè)計(jì)及半導(dǎo)體微電子相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)；生產(chǎn)規(guī)模不斷擴(kuò)大，產(chǎn)品涵蓋了MOSFET、IC、開關(guān)穩(wěn)壓管等。
我們的大電流，大功率，超低阻抗，超快速開關(guān)MOS ，擬填補(bǔ)國(guó)內(nèi)空白，在其他產(chǎn)業(yè)也都有廣泛的應(yīng)用（如：電源，UPS,SMPS,Battery,逆變器，功放，各類消費(fèi)類電子）。
公司也積極的部署IGBT /CMOS產(chǎn)品的研發(fā)，在電源管理芯片方面已流片成功CMOS 工藝為制程的16路恒流源，最小線寬0.35UM，以及各類開關(guān)穩(wěn)壓管、各種低壓差線性穩(wěn)壓器。產(chǎn)品具備高驅(qū)動(dòng)能力、集成度高、體積小而且環(huán)保節(jié)能的優(yōu)點(diǎn)，主要應(yīng)用于LED驅(qū)動(dòng)，未來還將在AC-DC、DC-DC方面加大研發(fā)力，提供一個(gè)具有成本效益的新一代大功率大電流MOSFET，同時(shí)也為客戶提供定制的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。依托于持之以恒的研發(fā)投入，RUICHIPS一直在穩(wěn)定、持續(xù)、快速的發(fā)展，為客戶提供優(yōu)質(zhì)、創(chuàng)新、低成本的集成電路產(chǎn)品和應(yīng)用系統(tǒng)。
Ruichips是一家專注從事功率半導(dǎo)體研發(fā)、生產(chǎn)、銷售的高新技術(shù)企業(yè)，在適配器快充、移動(dòng)快充、車充、電機(jī)控制、新能源、逆變、鋰電保護(hù)等應(yīng)用領(lǐng)域均占有領(lǐng)先地位，RUICHIPS致力于新產(chǎn)品研發(fā)，持續(xù)更新/優(yōu)化新工藝、新技術(shù)，現(xiàn)有Trench MOSFET/SGT MOSFET/Super Junction MOSFET三大類產(chǎn)品線、數(shù)百種型號(hào)，累計(jì)獲得國(guó)家發(fā)明專利18項(xiàng)，尤其是RUICHIPS獨(dú)創(chuàng)的TO-220內(nèi)絕緣封裝技術(shù)，徹底解決了終端客戶在散熱和裝配上的技術(shù)難點(diǎn)。
MOS管，是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。
般是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。G：gate 柵極；S：source 源極；D：drain 漏極。MOS管的source（源極）和drain（耗盡層）是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的。
場(chǎng)效應(yīng)管分為PMOS管和NMOS管，屬于絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。
PMOS是指n型襯底、p溝道，靠空穴的流動(dòng)運(yùn)送電流的MOS管。全稱 ： positive channel Metal Oxide Semiconductor；別名 ： positive MOS。
金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類， P溝道硅MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩個(gè)P+區(qū)，分別叫做源極和漏極，兩極之間不通導(dǎo)，源極上加有足夠的正電壓(柵極接地)時(shí)，柵極下的N型硅表面呈現(xiàn)P型反型層，成為連接源極和漏極的溝道。改變柵壓可以改變溝道中的空穴密度，從而改變溝道的電阻。這種MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管稱為P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。如果N型硅襯底表面不加?xùn)艍壕鸵汛嬖赑型反型層溝道，加上適當(dāng)?shù)钠珘�，可使溝道的電阻增大或減小。這樣的MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管稱為P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。統(tǒng)稱為PMOS晶體管。
P溝道MOS晶體管的空穴遷移率低，因而在MOS晶體管的幾何尺寸和工作電壓絕對(duì)值相等的情況下，PMOS晶體管的跨導(dǎo)小于N溝道MOS晶體管。此外，P溝道MOS晶體管閾值電壓的絕對(duì)值一般偏高，要求有較高的工作電壓。它的供電電源的電壓大小和極性，與雙極型晶體管——晶體管邏輯電路不兼容。PMOS因邏輯擺幅大，充電放電過程長(zhǎng)，加之器件跨導(dǎo)小，所以工作速度更低，在NMOS電路(見N溝道金屬—氧化物—半導(dǎo)體集成電路)出現(xiàn)之后，多數(shù)已為NMOS電路所取代。只是，因PMOS電路工藝簡(jiǎn)單，價(jià)格便宜，有些中規(guī)模和小規(guī)模數(shù)字控制電路仍采用PMOS電路技術(shù)。
MOSFET共有三個(gè)腳，一般為G、D、S，通過G、S間加控制信號(hào)時(shí)可以改變D、S間的導(dǎo)通和截止。PMOS和NMOS在結(jié)構(gòu)上完全相像，所不同的是襯底和源漏的摻雜類型。簡(jiǎn)單地說，NMOS是在P型硅的襯底上，通過選擇摻雜形成N型的摻雜區(qū)，作為NMOS的源漏區(qū)；PMOS是在N型硅的襯底上，通過選擇摻雜形成P型的摻雜區(qū)，作為PMOS的源漏區(qū)。兩塊源漏摻雜區(qū)之間的距離稱為溝道長(zhǎng)度L，而垂直于溝道長(zhǎng)度的有效源漏區(qū)尺寸稱為溝道寬度W。對(duì)于這種簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)，器件源漏是完全對(duì)稱的，只有在應(yīng)用中根據(jù)源漏電流的流向才能最后確認(rèn)具體的源和漏。
PMOS的工作原理與NMOS相類似。因?yàn)镻MOS是N型硅襯底，其中的多數(shù)載流子是電子，少數(shù)載流子是空穴，源漏區(qū)的摻雜類型是P型，所以，PMOS的工作條件是在柵上相對(duì)于源極施加負(fù)電壓，亦即在PMOS的柵上施加的是負(fù)電荷電子，而在襯底感應(yīng)的是可運(yùn)動(dòng)的正電荷空穴和帶固定正電荷的耗盡層，不考慮二氧化硅中存在的電荷的影響，襯底中感應(yīng)的正電荷數(shù)量就等于PMOS柵上的負(fù)電荷的數(shù)量。當(dāng)達(dá)到強(qiáng)反型時(shí)，在相對(duì)于源端為負(fù)的漏源電壓的作用下，源端的正電荷空穴經(jīng)過導(dǎo)通的P型溝道到達(dá)漏端，形成從源到漏的源漏電流。同樣地，VGS越負(fù)(絕對(duì)值越大)，溝道的導(dǎo)通電阻越小，電流的數(shù)值越大。
與NMOS一樣，導(dǎo)通的PMOS的工作區(qū)域也分為非飽和區(qū)，臨界飽和點(diǎn)和飽和區(qū)。當(dāng)然，不論NMOS還是PMOS，當(dāng)未形成反型溝道時(shí)，都處于截止區(qū)，其電壓條件是：
VGS
|VGS|>|VTP (PMOS)|，
值得注意的是，PMOS的VGS和VTP都是負(fù)值。
PMOS集成電路是一種適合在低速、低頻領(lǐng)域內(nèi)應(yīng)用的器件。PMOS集成電路采用-24V電壓供電。
MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有很高的輸入阻抗，在電路中便于直接耦合，容易制成規(guī)模大的集成電路 [1] 。
2
RU2H35R TO-220
RU2H35S TO-263
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RU2H50S TO-263
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RUH4022M2 DFN3333
RUH40E25L TO-252
其他現(xiàn)貨產(chǎn)品還有：
其他現(xiàn)貨產(chǎn)品還有：
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