OC8155 OCP8165 OCP8153 OCP8152 OCP2185等OCS美國(guó)燦瑞一級(jí)代理商，深圳市哲瀚電子科技公司大量現(xiàn)貨，專營(yíng)LED驅(qū)動(dòng)隔
離與非隔離等芯片技術(shù)及方案有需求可以來(lái)電0755-83259945 13714441972 陳小姐 QQ：3012323310
OCP8155是一款集成了650V MOSFET高精度離線式LED恒流驅(qū)動(dòng)芯片，可應(yīng)用于輸出功率以內(nèi)的LED恒流驅(qū)動(dòng)電源，支持全電壓輸入AC85V~265V。芯片封裝形式：DIP-8L，利用原邊反饋技術(shù)，無(wú)需TL431、光耦和反饋電路便能實(shí)現(xiàn)很好的線電壓調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率，極大的節(jié)約了系統(tǒng)成本和尺寸空間。
OCP8155具備完善的保護(hù)功能，其利用VCC腳進(jìn)行過(guò)壓檢測(cè)，一旦檢測(cè)到過(guò)壓信號(hào)芯片便進(jìn)入打嗝工作狀態(tài)；芯片利用FB管腳實(shí)現(xiàn)了短路檢測(cè)，一旦發(fā)現(xiàn)短路信號(hào)芯片便會(huì)進(jìn)入較低的工作頻率以限制輸出功率，同時(shí)芯片還具備LED開(kāi)短路保護(hù)、FB短路保護(hù)、欠壓鎖定和過(guò)溫保護(hù)功能以保證整個(gè)系統(tǒng)在惡劣的工作環(huán)境中安全可靠的工作。
特征：
z集成650V功率MOSFET
z采用原邊反饋技術(shù)，無(wú)需次級(jí)反饋電路
z無(wú)需環(huán)路補(bǔ)償
z±3%的恒流精度
z支持AC85V~265V全電壓范圍輸入
zLED開(kāi)路保護(hù)和短路保護(hù)
zFB對(duì)地短路保護(hù)
z芯片過(guò)溫保護(hù)
z欠壓鎖定功能
zCS腳電阻開(kāi)路保護(hù)
z工作溫度范圍：TA=-40 ~ 85℃
zDIP-8L封裝
應(yīng)用： LED日光燈 E27、Par燈、筒燈 LED球泡燈、射燈 其他LED照明
二氧化錫（SnO2）是一種典型的寬帶隙（3.6eV）n-型半導(dǎo)體材料，由于表面氧缺陷以及量子尺寸效應(yīng)，使得其被廣泛地應(yīng)用于氣敏傳感器中。然而，目前為止，納米SnO2不同的晶面對(duì)重金屬離子的電化學(xué)敏感性能卻鮮有報(bào)道。近期，中國(guó)科學(xué)院合肥物質(zhì)科學(xué)研究院智能機(jī)械研究所研究員黃行九課題組發(fā)現(xiàn)了納米SnO2低能{110}面對(duì)重金屬離子如Pb(II)與Cd(II)增強(qiáng)的電化學(xué)敏感行為，并揭示其響應(yīng)機(jī)制。相關(guān)成果已發(fā)表在美國(guó)化學(xué)會(huì)《分析化學(xué)》（Anal. Chem. 2017, 89, 2613−2621）雜志上。
研究人員設(shè)計(jì)制備三種不同形貌的SnO2納米結(jié)構(gòu)材料用于水中重金屬離子電化學(xué)分析。結(jié)果表明，重金屬離子如Pb(II)與Cd(II)在SnO2納米結(jié)構(gòu)材料不同晶面靈敏度的順序?yàn)椋旱湍躿110}面>高能{221}面。吸附與脫附實(shí)驗(yàn)揭示了Pb(II)與Cd(II)在SnO2納米結(jié)構(gòu)材料不同晶面脫附能力與電化學(xué)響應(yīng)順序一致，盡管Pb(II)與Cd(II)在SnO2納米結(jié)構(gòu)材料低能{110}面上的吸附量遠(yuǎn)小于高能{221}面，然而其在低能{110}面上容易脫附到電極表面，因而在低能{110}面上能獲得優(yōu)異的電化學(xué)性能。同時(shí)，研究人員與中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)微尺度國(guó)家實(shí)驗(yàn)室教授李群祥合作利用DFT模擬實(shí)驗(yàn)過(guò)程，理論計(jì)算結(jié)果表明，Pb(II)在SnO2納米結(jié)構(gòu)材料低能{110}面上擴(kuò)散能為0.63 eV，遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于在高能{221}晶面上的吸附能1.88eV。此外，借助上海同步輻射裝置（BL14W1線站），研究人員利用XAFS光譜解析了Pb(II)在SnO2納米結(jié)構(gòu)材料低能{110}與高能{221}面上的結(jié)構(gòu)參數(shù)，研究結(jié)果表明，吸附在低能{110}面上的Pb(II)的Pb-O鍵的鍵長(zhǎng)大于高能{221}面。DFT計(jì)算與XAFS光譜解析相結(jié)合從原子層面上解釋了暴露不同晶面的SnO2納米結(jié)構(gòu)材料對(duì)Pb(II)與Cd(II)不同的電化學(xué)響應(yīng)機(jī)制。
該工作從原子層面上揭示了晶面對(duì)電化學(xué)行為的影響機(jī)制，對(duì)深入理解電化學(xué)行為與晶面之間的關(guān)系具有重大意義，對(duì)于從源頭上設(shè)計(jì)電化學(xué)傳感界面以改善其性能具有理論上的指導(dǎo)意義和實(shí)際的應(yīng)用價(jià)值。
該研究工作得到了中科院創(chuàng)新交叉團(tuán)隊(duì)、國(guó)家自然科學(xué)基金等項(xiàng)目及上海同步輻射裝置（BL14W1線站）的支持。
公司:深圳市哲瀚電子科技有限公司
聯(lián)系人:陳小姐
手機(jī):13714441972
電話:0755-82549527/83259945/13714441972
傳真:0755-83259945
地址:深圳市福田區(qū)深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道深南中路3006號(hào)佳和大廈3C006
