PSR類的QR芯片
PSR類的QR芯片：通常是指正常工作時，檢測到第一個谷底電壓時就導(dǎo)通。如下圖1
從圖1可知，PSR類的QR芯片，為了保持第一個谷底電壓時就導(dǎo)通，隨著輸入電壓的增大，頻率會增大（頻率增大原因：輸出
電壓不變，關(guān)斷時退磁時間不變，但隨著輸入電壓增大，導(dǎo)通時間減小，那么整個周期時間減小，即頻率增大）。
補充說明：1） PSR類的QR芯片，目的是為了提升效率（原因：第一個谷底電壓導(dǎo)通，避免了退磁結(jié)束后，因Ring振蕩，導(dǎo)致效率損失）；
但實際情況是為了保持第一個谷底電壓導(dǎo)通，頻率會大大增加（特別是輸入電壓高時），開關(guān)損耗會加大，效率提升不明顯。
2） 目前市面上PSR類的QR芯片，頻率隨輸入電壓增大而增大，但頻率增大到一定值后不再增大（芯片內(nèi)部設(shè)定最大工作頻率，
以免工作頻率過高，開關(guān)損耗過大），此時再增大輸入電壓時，保持最大工作頻率，芯片進(jìn)DCM工作模式。
目前市面上PSR類的QR芯片，有以下幾種情況
情況1：啟機(jī)、正常工作，都是第一個谷底導(dǎo)通
情況2：正常工作是第一個谷底導(dǎo)通，但啟機(jī)進(jìn)CCM工作模式
情況3：啟機(jī)、正常工作，都會進(jìn)CCM工作模式（芯片本身做的不好）
PSR類的QR芯片，搭配LP35XX（LP3520/LP3515/LP3510，TXH605D/605F版本）使用情況
1） 情況1，能正常搭配LP35XX
2） 情況2，若搭配LP35XX時，一定要關(guān)注啟機(jī)時DS的尖刺電壓（要看實際系統(tǒng)的波形）。
因啟機(jī)進(jìn)CCM工作模式，導(dǎo)致DS可能有較高的尖刺電壓，要保證不超過45V的DS耐壓。
3） 情況3，建議不要搭配LP3515
PSR類的QR芯片，搭配LP45XX和LP7700X使用情況
注：這兩個系列對應(yīng)的芯片版本是TXH605G；
TXH605G與TXH605D/605F相比，前者去掉了AE腳的積分面積判定，只檢測電壓閾值，判定同步整流的開啟和關(guān)斷。
1） 情況1，可以搭配LP45XX和LP7700X，但輸入電壓高時，系統(tǒng)效率會降低，同步整流溫升會上升。
原因：TXH605G因去掉了AE腳積分面積判定，為了防止同步整流關(guān)斷時，Ring振蕩導(dǎo)致同步整流誤開啟，關(guān)斷時做了3uS的屏
蔽時間。根據(jù)QR芯片的特點，高輸入電壓時，如230VAC，系統(tǒng)頻率90KHz，前級芯片的導(dǎo)通時間不到2uS（即次級同步整流的關(guān)斷時間不到2uS）,由于關(guān)斷時3uS的屏蔽時間，次級同步整流管會延遲開啟（此段時間靠同步整流寄生的體二極管導(dǎo)通），效率會下降，同步整流溫升會上升，效果不佳。
2） 情況2，建議不要搭配LP45XX和LP7700X。LP45XX/LP7700X與LP35XX相比，前者啟機(jī)時，尖刺會更高，容易超過芯片45V耐壓。
原因：
LP35XX最大導(dǎo)通時間是17uS左右，CCM工作模式啟機(jī)時，同步整流經(jīng)過17uS的最大導(dǎo)通時間后，靠體二極管導(dǎo)通（持續(xù)一段時間），關(guān)斷時退磁電流�。w二極管壓降大，電流退磁快），尖刺會小些。
LP45XX和LP7700X最大導(dǎo)通時間是17uS，CCM工作模式啟機(jī)時，同步整流經(jīng)過17uS的最大導(dǎo)通時間后，靠寄生的體二極管導(dǎo)通3uS后（3uS是同步關(guān)斷后的屏蔽時間），同步整流會再次開啟（取消了AE腳積分面積判定導(dǎo)致），到真正關(guān)斷時退磁電流還比較大，尖刺大，容易超過芯片45V耐壓。
3） 情況3，建議不要搭配LP45XX和LP7700X
小結(jié)
LP35XX與QR芯片搭配時，若輕載QR芯片的VCS閾值很小，導(dǎo)致次級退磁時間小于2.5uS，要用TXH605F版本封裝的LP35XX，不要用TXH605D版本封裝的LP35XX（TXH605D與TXH605F相比，前者最小導(dǎo)通時間大）。
