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主營LED照明驅(qū)動芯片，車燈驅(qū)動芯片，電源IC，中低壓MOS，高壓MOS管等電子元件。
低壓MOS質(zhì)量穩(wěn)定，現(xiàn)貨庫存60N03、15N10、20N06、50N06、2N65、4N65、100N03、13n10、30n06、5N60、8N60、20N03，歡迎咨詢！
12N10應用照明類配備LED照明電源板上；12N10低壓MOS 封裝TO252 現(xiàn)貨庫存
據(jù)外媒報道，三星電子位于韓國京畿道平澤市的新半導體工廠將從7月份開始運營。
據(jù)了解，這是全球規(guī)模最大的芯片工廠，占地面積達289萬平方米，2015年開始建造，耗資15.6萬億韓元，約合人民幣940億元。
這座工廠將主要用來量產(chǎn)三星第四代3D NAND閃存芯片，垂直堆疊達到64層，月產(chǎn)能將達45萬塊晶圓，3D閃存占一半以上。
不過工廠需要幾年時間才能全面運轉(zhuǎn)，并達到最高產(chǎn)能，所以對于當前閃存和固態(tài)硬盤價格持續(xù)高漲的情況，不會有什么明顯的緩解作用。
中芯國際2017年總銷售增長率上看20%，其中先進制程產(chǎn)能擴產(chǎn)與28納米制程放量成長，將是主要兩大驅(qū)動力。中芯國際也將在13日舉辦專題技術(shù)研討會，全面對客戶展現(xiàn)先進制程與物聯(lián)網(wǎng)(IoT)平臺的完整布局。12N10低壓MOS 封裝TO252
中芯國際日前預估，2017年相較2016年增長率將上看20%，盡管2017年上半正經(jīng)歷季節(jié)性調(diào)整，但是中芯國際對于2017年下半業(yè)績抱持樂觀展望，很可能展現(xiàn)“先蹲后跳”的實力。
其中，沖刺28納米最先進制程的布局，進展最快的就是中芯國際。根據(jù)統(tǒng)計，2016年中芯國際28納米晶圓產(chǎn)能全球占比不足1%，與28納米制程市占率分別為66.7%、16.1%與8.4%的前三大純晶圓代工廠商臺積電、GlobalFoundries、聯(lián)電仍保持較大的差距。12N10低壓MOS 封裝TO252
而28納米將是2017年中芯國際主要成長動能之一，預期2017年底，28納米以下制程將占公司營收比重達7~9%，而28納米季度營收占比接近10%。
盡管中芯國際的28納米制程已在此前量產(chǎn)，但從產(chǎn)品規(guī)格來看，多偏向中低階的28納米Ploy/SiON技術(shù)，對于高階的28納米HKMG制程涉足并不深，2017年能否在HKMG制程如期放量成長，乃外界觀察指標之一。
