型號：MGSF1N03LT1G
品牌：ON
參數(shù)說明：
標(biāo)準(zhǔn)包裝
MGSF1N03LT1GOSTR-ND;part_id=919443;ref_supplier_id=488;ref_page_event=Standard Packaging" />
3,000
包裝
標(biāo)準(zhǔn)卷帶
類別
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
產(chǎn)品族
晶體管 - FET，MOSFET - 單
系列
-
其它名稱
MGSF1N03LT1GOS
MGSF1N03LT1GOS-ND
MGSF1N03LT1GOSTR
規(guī)格
FET 類型
N 溝道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源極電壓（Vdss）
30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
1.6A（Ta）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
2.4V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）（最大值）
-
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）
140pF @ 5V
Vgs（最大值）
±20V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
420mW（Ta）
不同Id，Vgs 時(shí)的Rds On（最大值）
100 毫歐 @ 1.2A，10V
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
深圳市中意法電子科技有限公司
聯(lián) 系 人：王利娟
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