2、芯片功能特點
集成PWM 調(diào)光電路
集成700V 高壓JFET 供電
寬輸入電壓
支持100Hz 到5kHz 的PWM 調(diào)光
±5% LED 輸出電流精度
LED 開路保護(hù)
LED 短路保護(hù)
芯片供電欠壓保護(hù)
過熱保護(hù)
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短期內(nèi)，核心零件技術(shù)突破并不實際，那么透過外交干涉來解決核心零件進(jìn)口問題將成為關(guān)鍵，如何處理中美、中日等復(fù)雜的國際關(guān)系是擺在中國政府面前的一大挑戰(zhàn)。2016年9月3日，十二屆全國人大常委會第二十二次會議審議批準(zhǔn)了“中華人民共和國加入世界貿(mào)易組織關(guān)稅減讓表修正案”，審議指出，中國將逐步取消包括半導(dǎo)體及其生產(chǎn)設(shè)備、通訊等資訊技術(shù)產(chǎn)品的關(guān)稅，部分產(chǎn)品進(jìn)口關(guān)稅計劃3至5年內(nèi)降為零，中國此舉不僅表明了在支持WTO體制的一貫立場，也體現(xiàn)了中國政府直面挑戰(zhàn)的決心和大國魄力。
巨頭壟斷，設(shè)備推廣面臨挑戰(zhàn)：相對于中國產(chǎn)光刻機的步履維艱，中國產(chǎn)氧化爐、刻蝕機與薄膜沉積設(shè)備已初現(xiàn)活力，中國產(chǎn)設(shè)備正逐漸打入中芯國際、華力微電子、三安光電、武漢新芯等中國一線廠商。七星電子的12英寸立式氧化爐，制程覆蓋90~28nm，已通過生產(chǎn)線驗證并進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化階段，目前已銷售10臺(包括2臺中芯國際B2的28nm氧化爐);北方微電子在LED和MEMS領(lǐng)域刻蝕機市場，以及先進(jìn)封測領(lǐng)域的PVD市場，國內(nèi)占有率已超過50%，領(lǐng)先海外競爭對手;中微半導(dǎo)體的電介質(zhì)刻蝕設(shè)備、TSV刻蝕設(shè)備也已走出國門。然而整體來看，全球半導(dǎo)體設(shè)備由寡頭壟斷已久的局面仍未改變，在中國政策與資金等多方面資源的強力支持下，中國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備將繼續(xù)挑戰(zhàn)提升在中國及國際市場的滲透率。
出貨量少，產(chǎn)線機臺驗證低效：一臺設(shè)備從研發(fā)到樣機進(jìn)廠驗證，出廠前需要經(jīng)過大量芯片的制程實驗，機臺在這個過程中多次重復(fù)并不斷改型優(yōu)化，最后在測算平均無故障時間達(dá)標(biāo)后方能定型。如此高昂的制程試驗線費用，設(shè)備企業(yè)在沒有出貨量的保障下是負(fù)擔(dān)不起的。為此，中國對下游制造企業(yè)進(jìn)行更多補貼，由制造企業(yè)的產(chǎn)線來幫助設(shè)備企業(yè)進(jìn)行機臺試驗，這就意味著當(dāng)制造企業(yè)滿負(fù)荷運轉(zhuǎn)的情況下，還需要另外抽出人員、精力來進(jìn)行機臺試驗，而這些對于制造廠的產(chǎn)能是沒有貢獻(xiàn)的，制造企業(yè)的積極性未能調(diào)動起來，導(dǎo)致產(chǎn)線機臺驗證效率較低。
廠商技術(shù)分散，未形成集聚效應(yīng)：例如在薄膜沉積設(shè)備方面，中國有北方微電子、七星華創(chuàng)、中微半導(dǎo)體、拓荊、理想、中科院沈陽科學(xué)儀器研制中心等企業(yè)和研究所進(jìn)行相關(guān)技術(shù)開發(fā)，表面上看，各企業(yè)多點開花，實際情況則面臨技術(shù)分散，大家都只顧做自己的，技術(shù)彼此屏蔽，最終有可能變成惡性競爭態(tài)勢。中國半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)的發(fā)展需要各設(shè)備企業(yè)互相合作，形成合力，這一點可以多向制造、封測產(chǎn)業(yè)學(xué)習(xí)，兼并重組是形成規(guī)模效應(yīng)的重要方式。目前，中國半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)已有購并重組相關(guān)動作，預(yù)計后期的步伐會逐漸加快。
