PowerDesigner參考設(shè)計庫TPS62085EVM-169:1.2V@3A,2.5~6Vin
PCN組件/產(chǎn)地AssemblySiteTransfer21/May/2015
制造商產(chǎn)品頁TPS62085RLTRSpecifications
產(chǎn)品屬性選取全部項目類別集成電路（IC）PMIC-穩(wěn)壓器-DCDC開關(guān)穩(wěn)壓器制造商TexasInstruments系列DCS-Control
包裝剪切帶（CT）零件狀態(tài)在售功能降壓輸出配置正拓?fù)浣祲狠敵鲱愋涂烧{(diào)式輸出數(shù)1電壓-輸入（最小值）2.5V電壓-輸入（最大值）6V電壓-輸出（最小值/固定）0.8V電壓-輸出（最大值）6V電流-輸出3A頻率-開關(guān)2.4MHz同步整流器是工作溫度-40°C~125°C（TJ）安裝類型表面貼裝封裝/外殼7-VFDFN供應(yīng)商器件封裝7-VSON（2x2）產(chǎn)品種類:開關(guān)穩(wěn)壓器制造商:TexasInstrumentsRoHS:詳細(xì)信息安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝/箱體:VSON-7輸出電壓:0.8Vto6V輸出電流:3A輸出端數(shù)量:1Output最大輸入電壓:6V拓?fù)浣Y(jié)構(gòu):Buck最小輸入電壓:2.5V開關(guān)頻率:2.4MHz最小工作溫度:-40C最大工作溫度:+125C系列:TPS62085封裝:Reel商標(biāo):TexasInstruments開發(fā)套件:TPS62085EVM-169輸入電壓:2.5Vto6V工作電源電流:17uA工作溫度范圍:-40Cto+125C產(chǎn)品:VoltageRegulators工廠包裝數(shù)量:3000商標(biāo)名:HotRod類型:VoltageConverter
萬物互聯(lián)等新技術(shù)的涌現(xiàn)推動數(shù)據(jù)量的急速膨脹，全球數(shù)據(jù)總量由2005年的0.13ZB增長至2015年的8.59ZB，十年間增長了66倍。市場調(diào)研機(jī)構(gòu)IDC預(yù)計，到2020年，TPS62085RLTR全球數(shù)據(jù)總量將達(dá)到40ZB(相當(dāng)于4萬億GB)，這一數(shù)據(jù)量是2011年的22倍。
而存儲器則可以說是大數(shù)據(jù)時代的基石，其市場規(guī)模也隨著數(shù)據(jù)總量的增加而不斷加大。雖然15年和16年上半年P(guān)C市場低迷導(dǎo)致存儲器市場遭遇困境，但從2016年下半年開始存儲器價格開始回升，而且一直持續(xù)到現(xiàn)在，價格上漲帶動存儲器市場規(guī)模不斷擴(kuò)大，ICInsights預(yù)計，從現(xiàn)在到2021年，存儲器價格平均每年都將上漲1.8%，2017全球存儲器市場規(guī)模將達(dá)到853億美元，同比增長10%，此后幾年存儲器市場都將保持健康的增長態(tài)勢，于2020年達(dá)到1000億美元的規(guī)模，2021年可能接近1100億美元左右，年均增速7.3%，比集成電路整體市場年復(fù)合增長率高2.4個百分點。
存儲器根據(jù)存儲介質(zhì)的不同，可分為光學(xué)存儲、半導(dǎo)體存儲和磁性存儲，其中，半導(dǎo)體存儲器已成存儲器市場主流。根據(jù)數(shù)據(jù)易失性，我們將半導(dǎo)體存儲器分為易失性存儲(VolatileMemory)和非易失性存儲(Non-VolatileMemory)。易失性存儲器斷電后，數(shù)據(jù)會隨之丟失，最為常見的用途就是PC的內(nèi)存條。非易失性存儲器的數(shù)據(jù)則不會因為斷電而丟失，包含ROM、FLASH等。
在目前市場上，DRAM、FLASH是存儲器產(chǎn)業(yè)的主要構(gòu)成部分。就目前PC內(nèi)存市場來說，更高密度、更大帶寬、更低功耗、更短延時、更低成本的DRAM仍是不二之選。而在通信領(lǐng)域、消費領(lǐng)域和計算機(jī)領(lǐng)域，F(xiàn)LASH具有壽命長、體積小、功耗低、抗振性強(qiáng)，非易失性等優(yōu)點，逐漸成為目前最有潛力，發(fā)展最快的存儲器芯片產(chǎn)品。FLASH又可進(jìn)一步分為NORFLASH以及NANDFLASH。NORFLASH主要用來存儲代碼及部分?jǐn)?shù)據(jù)，是手機(jī)、PC、DVD、TV、USBKey、機(jī)頂盒、TPS62085RLTR物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備等代碼閃存應(yīng)用領(lǐng)域的首選。NANDFLASH可以實現(xiàn)大容量存儲、高寫入和擦除速度、相當(dāng)擦寫次數(shù)，多應(yīng)用于大容量數(shù)據(jù)存儲，例如智能手機(jī)、平板電腦、U盤、固態(tài)硬盤等領(lǐng)域。
過去30余年中，全球存儲器產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了兩次區(qū)域性的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移：20世紀(jì)80年代，由于日本經(jīng)濟(jì)二戰(zhàn)后迅速崛起，電子制造業(yè)從歐美向日本轉(zhuǎn)移，存儲器產(chǎn)業(yè)重心也從歐美國家轉(zhuǎn)移到日本，日本存儲器企業(yè)一度壟斷90%以上份額。90年代，韓國抓住了6英寸晶圓廠過渡到8英寸的世代交替，以9座8英寸晶圓廠的產(chǎn)能優(yōu)勢，一舉取代日本廠商，存儲器產(chǎn)業(yè)重心從日本轉(zhuǎn)移到韓國。
1.2存儲器產(chǎn)業(yè)模式
存儲器產(chǎn)業(yè)有兩種主要經(jīng)營模式，IDM和Fabless。IDM模式是指企業(yè)務(wù)覆蓋芯片的設(shè)計、制造封裝和測試所有環(huán)節(jié)，這種模式對企業(yè)的研發(fā)力量、生產(chǎn)管理能力、資金實力和業(yè)務(wù)規(guī)模都有極高的要求。Fabless模式是指無晶圓生產(chǎn)線模式，即企業(yè)只進(jìn)行設(shè)計和銷售，將制造、封裝和測試等生產(chǎn)環(huán)節(jié)分別外包給專業(yè)的晶圓制造企業(yè)、封裝和測試企業(yè)來完成。
IDM企業(yè)主要是國際大廠所采取的主要模式，技術(shù)先進(jìn)、資金雄厚的三星、SK海力士、美光等均采用此種模式，占據(jù)了存儲器市場的大半江山。IDM模式需要大量的投資和研發(fā)經(jīng)驗，沒有足夠資金和經(jīng)驗的公司選擇進(jìn)入存儲器產(chǎn)業(yè)的某一細(xì)分階段，該模式垂直分工，具有較強(qiáng)的靈活性，設(shè)計環(huán)節(jié)代表廠商有晶豪科等，制造環(huán)節(jié)代表廠商有臺積電、中芯國際等，封測環(huán)節(jié)代表廠商有日月光等
