MBI6662GD包含連接LED燈珠的陽極達(dá)到簡化配線以降低 成本MBI6662為高效率恒流降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器驅(qū)動(dòng)芯片，
其適用于驅(qū)動(dòng)高功率LED，并采用磁滯寬帶可調(diào)之定頻控制技術(shù)及提供共陽極連接方案。(60v/2A共陽極降壓型);
MBI6662GD輸出電流可透過外部電阻進(jìn)行設(shè)定，且可在DIM腳連接脈寬調(diào)變(PWM)訊號(hào)進(jìn)行調(diào)光控制。
另外，啟動(dòng)過流保護(hù)裝置(Start-Up)功能可限制芯片因電源啟動(dòng)時(shí)所產(chǎn)生的突波電流;
MBI6662 還提供欠電壓鎖定保護(hù)(UVLO)、過溫保護(hù)(OTP)及過電流保護(hù)功能(OCP)，以避免芯片在不正常運(yùn)作的情況下?lián)p毀。
MBI6662GD為確保系統(tǒng)穩(wěn)定性，MBI6662還提供過熱斷電保護(hù)功能(TSD)，在過熱的條件下，藉由關(guān)斷內(nèi)建MOSFET，以達(dá)到保護(hù)芯片的目的。
MBI6662目前提供散熱性佳的DFN-10和SOP-10兩種封裝。
MBI6662應(yīng)用:
@舞臺(tái)燈@高功率LED洗墻燈@車用LED照明@燈源采共陽極并聯(lián)架構(gòu)之燈
研究機(jī)構(gòu)Yole Developpement指出，隨著5G技術(shù)日益成熟，未來射頻功率放大器(RF PA)市場將出現(xiàn)顯著成長，但傳統(tǒng)的LDMOS制程將逐漸被新興的氮化鎵(GaN)取代，砷化鎵(GaAs)的市場占比則相對(duì)穩(wěn)定。
據(jù)Yole預(yù)估，電信基地臺(tái)設(shè)備升級(jí)與小型基地臺(tái)的廣泛布建，將是推動(dòng)RF PA市場規(guī)模成長最主要的動(dòng)力來源。 2016年全球RF PA市場規(guī)模約為15億美元，到2022年時(shí)，市場規(guī)模將達(dá)到25億美元，復(fù)合年增率(CAGR)為9.8%。 不過，由于導(dǎo)入新的射頻技術(shù)，并且使用更高的通訊頻段，因此RF PA必須使用新的制程技術(shù)來實(shí)現(xiàn)。
展望未來，采用GaN制程的RF PA將成為輸出功率3W以上的RF PA所采用的主流制程技術(shù)，LDMOS制程的市場份額則會(huì)明顯萎縮。
