型號：TL072CDRG4
品牌：TI
封裝：SOP8
批號：2016
TL072CDRG4 進(jìn)口原裝現(xiàn)貨！
公司優(yōu)勢庫存：
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5G推動(dòng)RF PA技術(shù)改朝換代 GaN逐漸取代LDMOS
摘要：5G推動(dòng)RF PA技術(shù)改朝換代 GaN逐漸取代LDMOS
關(guān)鍵詞：5G、LDMOS
研究機(jī)構(gòu)Yole Developpement指出，隨著5G技術(shù)日益成熟，未來射頻功率放大器(RF PA)市場將出現(xiàn)顯著成長，但傳統(tǒng)的LDMOS制程將逐漸被新興的氮化鎵(GaN)取代，砷化鎵(GaAs)的市場占比則相對穩(wěn)定。
據(jù)Yole預(yù)估，電信基地臺設(shè)備升級與小型基地臺的廣泛布建，將是推動(dòng)RF PA市場規(guī)模成長最主要的動(dòng)力來源。 2016年全球RF PA市場規(guī)模約為15億美元，到2022年時(shí)，市場規(guī)模將達(dá)到25億美元，復(fù)合年增率(CAGR)為9.8%。 不過，由于導(dǎo)入新的射頻技術(shù)，并且使用更高的通訊頻段，因此RF PA必須使用新的制程技術(shù)來實(shí)現(xiàn)。
展望未來，采用GaN制程的RF PA將成為輸出功率3W以上的RF PA所采用的主流制程技術(shù)，LDMOS制程的市場份額則會(huì)明顯萎縮。
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