制造商: ROHM Semiconductor
產(chǎn)品種類: 穩(wěn)壓二極管
Vz - 齊納電壓: 7.82 V
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOD-323-2
Pd-功率耗散: 100 mW
齊納電流: 1 mA
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
配置: Single
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
系列: RSB6.8CS
產(chǎn)品: Zener Diode
商標(biāo): ROHM Semiconductor
Ir - 反向電流 : 500 nA
工廠包裝數(shù)量: 8000
零件號(hào)別名: RSB6.8CS
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RSB6.8CST2R今晨，美光在官方博客發(fā)布技術(shù)文章，表示GDDR6顯存已經(jīng)完成所有的設(shè)計(jì)工作并通過(guò)了內(nèi)部驗(yàn)證，首發(fā)的分別是針腳帶寬12Gbps和14Gbps的芯片。
其實(shí)有心人應(yīng)該看出來(lái)了，部分Pascal顯卡用的GDDR5X其實(shí)就已經(jīng)達(dá)到12GHz了，比如EVGA的GTX1080TIFTW3EL
ITE，TITANXp也達(dá)到了11.4Gbps。
不過(guò)，GDDR6還是有自己的優(yōu)勢(shì)，單芯片最高32Gb(目前是8Gb和16Gb)，雙通道，電壓1.35V(相對(duì)于GDDR5的1.5V)，
內(nèi)部電子干擾減少，另外制造工藝也從G5X的20nm升級(jí)為16nm。
美光表示，現(xiàn)在他們可以把精力轉(zhuǎn)向提升量產(chǎn)良率和研發(fā)更快速度的GDDR6顯存上了，畢竟理論極限是16GHz。
美光保守估計(jì)，GDDR6顯存將在明年上半年商用，但NVIDIA早就表示自己會(huì)首發(fā)，畢竟還有三星和SK海力士也在籌備。
考慮到CES2018有些冒進(jìn)，估計(jì)3月份的GTC大會(huì)上，配合GDDR6的Volta架構(gòu)GeForce游戲顯卡就會(huì)發(fā)布了，不過(guò)由于
造價(jià)的原因，筆者估計(jì)可能只會(huì)在GTX2080/Ti(假想名)上使用，況且G5X還不賴。
