瀚佳科技(深圳)有限公司
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地址:深圳市福田區(qū)振華路中航苑鼎城大夏1607室
制造商: ROHM Semiconductor
產(chǎn)品種類: 低壓差穩(wěn)壓器
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: HVSOF-EP-5
輸出電壓: 2.85 V
輸出電流: 150 mA
輸出端數(shù)量: 1 Output
極性: Positive
最大輸入電壓: 5.5 V
最小輸入電壓: + 2.5 V
輸出類型: Fixed
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 85 C
負(fù)載調(diào)節(jié): 6 mV
系列: BH2JNB1WHFV
封裝: Reel
高度: 0.6 mm
長(zhǎng)度: 1.6 mm
寬度: 1.2 mm
商標(biāo): ROHM Semiconductor
回動(dòng)電壓—最大值: 450 mV
電壓調(diào)節(jié)準(zhǔn)確度: 1 %
Ib - 輸入偏流: 60 uA
線路調(diào)整率: 20 mV
Pd-功率耗散: 0.41 W
工廠包裝數(shù)量: 3000
零件號(hào)別名: BH2JNB1WHFV
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BH2JNB1WHFV-TR三星第二代10nm級(jí)別8Gb DDR4內(nèi)存投產(chǎn),以后高頻條3600MHz起跳
三星剛才宣布量產(chǎn)第二代10nm級(jí)別(1y-nm)的8Gb DDR4內(nèi)存顆粒,新的內(nèi)存具備更高的頻率與更低的供貨,以及更小的尺寸,產(chǎn)能可以比初代10nm級(jí)別(1x-nm)的高30%,然而價(jià)格嘛……應(yīng)該暫時(shí)不會(huì)降。
新的1y-nm 8Gb DDR4顆粒采用了先進(jìn)的專用電路設(shè)計(jì)技術(shù),性能水平與效能會(huì)比1x-nm的高約10%到15%,它能夠在3600MHz下運(yùn)行,而1x-nm的8Gb DDR4顆粒則是3200MHz,也就是說以后的高頻內(nèi)存要以3600MHz起步了。
目前1y-nm內(nèi)存的生產(chǎn)還沒有用上EUV極紫外光設(shè)備,這次用的是高靈敏度細(xì)胞數(shù)據(jù)傳感系統(tǒng)(high-sensitivity cell data sensing system)與空氣墊片(air spacer)方案,前者可以更準(zhǔn)確地確定每個(gè)單元中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù),從而顯著提高電路集成度和生產(chǎn)效率,后者是在位線周圍布置獨(dú)特的空氣墊片,這樣可以顯著降低寄生電容。
現(xiàn)在1y-nm DDR4內(nèi)存模組已經(jīng)完成了與CPU廠商的相關(guān)驗(yàn)證工作,接下來(lái)計(jì)劃于全球IT客戶合作,開發(fā)下一代計(jì)算系統(tǒng),隨著1y-nm內(nèi)存投產(chǎn)所帶來(lái)的技術(shù)儲(chǔ)備,三星可以加速下一代內(nèi)存產(chǎn)品DDR5、HBM3、LPDDR5以及GDDR6上的研發(fā),可以進(jìn)一步鞏固三星在存儲(chǔ)市場(chǎng)上的地位。