制造商: Semtech
產(chǎn)品種類: ESD 抑制器/TVS 二極管
系列: UCLAMP33
Vesd - 靜電放電電壓觸點(diǎn): 30 kV
Vesd - 靜電放電電壓氣隙: 30 kV
極性: Bidirectional
通道數(shù)量: 1 Channel
端接類型: SMD/SMT
擊穿電壓: 3.5 V
工作電壓: 3.3 V
鉗位電壓: 8 V
Ipp - 峰值脈沖電流: 5 A
Cd - 二極管電容 : 5 pF
Pd-功率耗散: 40 W
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 85 C
封裝: Cut Tape
封裝: Reel
電流額定值: 10 nA
工作溫度范圍: - 40 C to + 85 C
商標(biāo): Semtech
工作電源電壓: 3.3 V
工廠包裝數(shù)量: 3000
AOS/萬代:
AO3401 AO3400 AO3402 AO3403 AO3404
AO3406 AO3407 AO3409 AO3414 AO3415
AO4403 AO4405 AO4406 AO4407 AO4409
AO4411 AO4419 AO4423 AO4430 AO4447
AO4455 AOD407 AOD418 AOD444 AOD476
AOD482 AOB409L AOB440 AOT240L AOT404
AOT440 AOTF10N60 AOTF12N60 AOTF20N60 AOTF16N50
FAIRCHILD/仙童:
FQB19N20 FDB2552 FDB5800 FDB2532 FQB4N80
FQB33N10 FQB44N10 FDB3632 FDB8870 FQB34P10
FDD6670 FDD2670 FDD2582 FQD8P10 FQD3P50
FQD2N50 FQD1N60C FDD3N40 FDD3860 FQP17P10
FQP13N50 FDP8870 FQP55N10 FDP3682 FQP27N25
FQP70N10 FQP50N06 FQP65N06 FDP047N08 FQP60N06
FDPF16N50 FQPF4N90C FQPF85N06 FQPF5N80 FQPF4N60C
IR/整流器:
IRF1404S IRF1407S IRFS3307 IRFS3607 IRF2804S
IRF4905S IRF1104S IRL1104S IRF540NS IRF640NS
IRFR110 IRFR9110 IRFR210 IRFR220 IRFR230
IRFR5305 IRLR2905 IRFR3708 IRFR4120 IRLR8113
IRF1404PBF IRF640NPBF IRF1404PBF IRFZ44N IRFB4110PBF
IRL3303 IRF840PBF IRFIZ44N IRLI2505 IRFIB6N60
IRFIBC30G IRFIBC30G IRFIZ48G IRFI830G IRFI1010N
ST/意法:
STGB7NB60HD STGB6NC60HD L7805CD2T L7808CD2T L7806CD2T
L7812CD2T STB120N4F6 STB150NF04 STB170NF04 STB270N4F3
STB120NF10 LD1117DT33TR LD1117DTTR L78M05ACDT-TR L78M06ACDT-TR
L78M10 L78M18 L78M20 LD1117DT28TR STD12N06
STP10NM65N STP21N65M5 STP35N65M5 STP5N62K3 STF26NM60N
STF34NM60N STF4N52K3 STF6NK70Z STP14NK60Z STP3NK60ZFP
STP3N150 STP20NM50 STP40NF20 STP8NK100Z STP80N20M5
Winbond/華邦:
W25Q128FVFIG W25Q128FVEIG W25Q32BVSSIG W25Q16BVSSIG W25Q32FVSSIQ
W25Q80DVSSIG W25Q256FVEIG W25Q64FVSFIG W9825G6JH-6 W25Q64FVSSIQ
W971GG6KB-25 W25Q64FVSFIG W9825G6JH-6 W25Q64FVSSIQ W971GG6KB-25
W25X10BVSNIG W25X10CLSNIG W25X20BVSNIG W25X20CLSNIG W25X40BVSNIG
W25X40CLSNIG W25Q80BVSSIG W25Q16DVSSIG W25Q32FVSSIG W25Q64BVSFIG
W25Q64FVSSIG W25Q128FVSSIG W25Q128BVFIG W25Q256FVFIG W25Q256FVEIM
MAXIM/美信:
MAX6350AESA MAX6350CSA MAX2235EUP MAX6350ESA MAX6325ESA
MAX6325ACSA MAX6325CSA MAX6225ACSA MAX6225BESA MAX6225ESA
MAX3430CSA MAX774ESA MAX9140EUK MAX1836EUT33 MAX4427ESA
MAX4427CSA MG3500A3-376B MAX797CSE MAX1993ETG MAX6250ESA
MAX6250CSA MAX487CSA MAX3223CAP MAX690EPA MAX481ECPA
MAX223EAI MAX815TCSA MAX4544CSA MAX706SCSA MAX709SCSA
MAX9947ETE MAX696CWE MAX1771CSA MAX489ECSD MAX6338CUB
UCLAMP3311T.TCT手機(jī)存儲容量需求大增,為3D NAND儲存鋪平道路
智能手機(jī)使用者不斷尋求更好的移動體驗,除了提升裝置的處理性能以外,還需要更高容量的儲存,才足以支持5G、人工智能(AI)、擴(kuò)增實(shí)境(AR)、高解析視訊等以數(shù)據(jù)為導(dǎo)向的新一代應(yīng)用。以往容量僅16GB、32GB的智能手機(jī)已無法滿足當(dāng)前的移動應(yīng)用需求,從而為3D NAND快閃存儲器(flash)的進(jìn)展鋪路。
Western Digital (WD)最近推出采用64層堆疊的3D NAND技術(shù)以及UFS與e.MMC介面的全新iNAND嵌入式快閃存儲器(EFD)系列,可望讓智能手機(jī)使用者能夠充份體驗當(dāng)今由數(shù)據(jù)驅(qū)動的新興移動應(yīng)用。
隨著智能手機(jī)用戶數(shù)持續(xù)增加,各種移動應(yīng)用程式(app)的下載量、豐富的多媒體內(nèi)容,以及照片和視訊擷取產(chǎn)生的數(shù)據(jù)量正如雪球般地越滾越大,再加上5G、AI以及AR/VR等數(shù)據(jù)密集型的新興應(yīng)用出現(xiàn),不斷為移動裝置帶來龐大的數(shù)據(jù)儲存需求。
“3D NAND是快閃存儲器領(lǐng)域的重大進(jìn)步,可為邊緣裝置帶來巨大的儲存容量與成長潛力!盬D嵌入式與整合解決方案移動和運(yùn)算產(chǎn)品線市場管理總監(jiān)包繼紅指出,智能手機(jī)一直使用嵌入式快閃存儲器儲存與執(zhí)行應(yīng)用程式,但隨著平面2D NAND技術(shù)逐漸達(dá)到微縮極限,越來越難在儲存容量及其效能方面取得突破。
如今,采用創(chuàng)新制程架構(gòu)的3D NAND技術(shù)出現(xiàn),以更低的每位成本解決了平面2D NAND微縮的挑戰(zhàn),提供較2D NAND更高的容量、更好的性能和更高的可靠性。此外,在當(dāng)今約有高達(dá)96%的數(shù)據(jù)量都必須在邊緣處理的環(huán)境下,為移動裝置采用3D NAND嵌入式快閃存儲器已是大勢所趨。
包繼紅介紹,WD最新的iNAND系列采用X3 3D NAND與SmartSLC技術(shù),可為數(shù)據(jù)密集型的新興移動應(yīng)用打造最佳儲存環(huán)境。iNAND 8521專為支援5G網(wǎng)路的旗艦移動裝置設(shè)計,iNAND 7550則瞄準(zhǔn)主流的智能手機(jī)。
iNAND 8521嵌入式快閃存儲器采用UFS 2.1介面以及WD第五代SmartSLC技術(shù),相較于為旗艦機(jī)推出的前一代產(chǎn)品,其連續(xù)寫入速度更高2倍,隨機(jī)寫入速度更高達(dá)10倍。iNAND 8521能快速且智慧地回應(yīng)使用者對于AR/VR游戲或下載HD影片等應(yīng)用效能需求。此外,更高數(shù)據(jù)傳輸速率,讓移動用戶能利用Wi-Fi或未來的5G網(wǎng)絡(luò)提升效能與體驗。
3D NAND采用創(chuàng)新制程架構(gòu),提供較2D NAND更高的容量、更好的性能和更高可靠性。