W1221是驅(qū)動外部NMOS去除100／120Hz控制器的LED電流紋波對交流/直流電源通過VC和GND之間的電容。
JW1221自適應(yīng)技術(shù)使功耗最小的同時去除NMOSFET LED電流紋波。
JW1221夾在VIN引腳輸入電壓30V。只有一個電阻時所需的交流/直流電源的輸出電壓大于31V條。
JW1221允許用戶設(shè)置最大LED電流由感應(yīng)電阻NMOSFET和地面源之間，使NMOSFET損壞時短接或熱插拔LED。
通過排水和vlmt引腳之間的電阻傳感NMOSFET漏極電壓，JW1221允許用戶設(shè)置LED串的最大陰極電壓，這可能有助于限制芯片的功耗。
認(rèn)為LED短路時，陰極電壓LED是比短連接閾值和仍在60us JW1221關(guān)閉LED短路和NMOSFET時恢復(fù)后13ms JW1221提供過熱保護(hù)。
當(dāng)JW1221溫度超過135℃，OTP是觸發(fā)。JW1221關(guān)閉NMOSFET直到溫度下降到110℃。
自適應(yīng)100／120Hz紋波電流器控制器
內(nèi)置的齊納二極管的輸入電壓鉗位
VG的輸出電壓高至10V
LED電流紋波的可編程幅度
LED的可編程最大陰極電壓
可編程最大LED電流
短路保護(hù)
過溫保護(hù)
SOT23-6L封裝
應(yīng)用：LED照明
據(jù)媒體報道指中芯的產(chǎn)能已被塞爆，其中8寸晶圓廠被華為海思、高通和瑞典指紋識別芯片大客戶FPC三個大客戶奪走近七成的產(chǎn)能，這從側(cè)面證明華為海思今年的出貨量非常猛，也間接證明華為手機(jī)今年的出貨量確實在猛增。
華為是國產(chǎn)第一大手機(jī)品牌，與其他手機(jī)企業(yè)不同的是，它盡量采用自家華為海思的芯片，以扶持華為海思的發(fā)展，增強(qiáng)自己的核心競爭力，以獲得長遠(yuǎn)的發(fā)展。
目前華為海思主要是利用中芯的0.18微米工藝生產(chǎn)電源管理芯片，海思的電源管理芯片大量消耗著中芯國際的產(chǎn)能，意味著華為的電信設(shè)備、手機(jī)等業(yè)務(wù)確實在快速發(fā)展，導(dǎo)致對電源管理芯片的需求量大增。今年上半年華為的營收同比暴增40%，而電信設(shè)備和手機(jī)業(yè)務(wù)正是它的兩大業(yè)務(wù)收入來源。
華為海思的手機(jī)芯片則主要是由臺積電代工，這說明了華為不但在核心芯片方面堅持自主設(shè)計，即使是外圍的芯片也在努力自行開發(fā)。
除了大眾所知的這些芯片外華為其實還有電信設(shè)備、網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備所采用的網(wǎng)通處理器等也是華為海思設(shè)計，2014年臺積電推出的16nm工藝正是華為海思幫助開發(fā)的，而華為海思的網(wǎng)通處理器正是臺積電16nm工藝僅有的兩個客戶之一，由于這種工藝的能效甚至還不如臺積電的20nm因此華為海思繼續(xù)幫助臺積電改進(jìn)到去年三季度推出廣受好評的16nmFF+工藝。
不過隨后臺積電卻優(yōu)先照顧蘋果，將其16nmFF+工藝產(chǎn)能用于生產(chǎn)iPhone6s采用的A9處理器，而華為海思的麒麟950則延遲到11月才能上市。受此教訓(xùn)，以及中國大陸推動自己的半導(dǎo)體制造發(fā)展，華為海思轉(zhuǎn)而與中芯國際合作研發(fā)14nmFinFET工藝。本來預(yù)計中芯國際要到2020年才能量產(chǎn)14nmFinFET工藝的，不過有消息指該工藝將有望提前到2018年，這意味著華為海思和中芯國際的半導(dǎo)體制造工藝研發(fā)進(jìn)展順利將能提前達(dá)產(chǎn)。
除了上述芯片外，華為海思據(jù)說還在研發(fā)當(dāng)前正發(fā)著迅猛的SSD控制芯片，存儲芯片在各個行業(yè)應(yīng)用廣泛，對于華為當(dāng)前正進(jìn)入的手機(jī)、服務(wù)器業(yè)務(wù)都大有裨益，海思進(jìn)入這個行業(yè)也正是國家希望發(fā)展的芯片產(chǎn)業(yè)之一，華為海思進(jìn)入各個芯片行業(yè)證明了它的強(qiáng)大研發(fā)實力，當(dāng)然也有助于華為的發(fā)展。
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