SDH7711S SDH7711STR SOP-7 小功率高效率LED恒流驅(qū)動(dòng)芯片深圳市瑞新盛科技代理銷售LED驅(qū)動(dòng)IC/電源IC，MOS管。
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與臺(tái)積電在7nm節(jié)點(diǎn)搶先完成布局不同，三星在7nm節(jié)點(diǎn)要慢了一些，上周才宣布了7nm EUV工藝正式量產(chǎn)，
很大一個(gè)原因就是三星在7nm節(jié)點(diǎn)上直接上了EUV光刻工藝，沒有使用過渡工藝，這要比英特爾、臺(tái)積電都激進(jìn)得多。
除了邏輯工藝升級(jí)到EUV工藝，三星在未來的1Ynm工藝的DRAM內(nèi)存芯片生產(chǎn)上也在研究EUV工藝，而他們也不是唯一
的一家，SK Hynix也被曝研發(fā)EUV工藝的DRAM芯片，只有美光在這方面比較保守。
不論是處理器芯片還是存儲(chǔ)芯片，現(xiàn)在的半導(dǎo)體生產(chǎn)幾乎都離不開光刻機(jī)，上不上EUV光刻工藝主要是看需求及成本，
邏輯芯片工藝對(duì)EUV工藝是最有需求的，7nm被公認(rèn)為大量應(yīng)用EUV工藝的節(jié)點(diǎn)，越往下就越依賴EUV工藝。
DRAM內(nèi)存對(duì)EUV工藝需求并不迫切，畢竟目前最先進(jìn)的DRAM工藝依然在18nm以上，所以美光之前表態(tài)即使到了
1α及1β工藝工藝節(jié)點(diǎn)，也沒有必要使用EUV工藝。
美光不用不代表其他DRAM廠商不用，三星對(duì)EUV工藝是最激進(jìn)的，此前被爆在1Ynm節(jié)點(diǎn)就會(huì)嘗試EUV光刻工藝，
最快在2020年量產(chǎn)EUV工藝的1Ynm內(nèi)存芯片。
晶圓代工廠聯(lián)電昨日召開法人說明會(huì)，第3季合并營(yíng)收達(dá)393.87億元?jiǎng)?chuàng)歷史新高，但因業(yè)外提列轉(zhuǎn)投資損失及匯兌損失，
導(dǎo)致獲利下滑，每股凈利0.14元，低于市場(chǎng)預(yù)期。
聯(lián)電預(yù)估第4季晶圓出貨季減4～5％，平均美元價(jià)格亦季減4～5％，法人推估營(yíng)收將較上季下滑1成以內(nèi)。
聯(lián)電公告第3季合并營(yíng)收季增1.4％達(dá)393.87億元，創(chuàng)單季營(yíng)收歷史新高，較去年同期成長(zhǎng)4.5％，平均毛利率17.6％優(yōu)于預(yù)期，
因營(yíng)業(yè)費(fèi)用提升，營(yíng)業(yè)利益季減23.5％達(dá)24.35億元，但仍較去年同期成長(zhǎng)49.5％，但因業(yè)外提列轉(zhuǎn)投資損失及匯兌損失，
歸屬母公司稅后凈利季減53.0％達(dá)17.20億元，較去年同期減少50.5％ ，每股凈利僅0.14元。
聯(lián)電今年前3季合并營(yíng)收達(dá)1,157.35億元，較去年同期成長(zhǎng)2.7％，平均毛利率15.8％低于去年同期，
但代表本業(yè)獲利能力的營(yíng)業(yè)利益達(dá)63.86億元，較去年同期成長(zhǎng)36.8％ ，歸屬母公司稅后凈利達(dá)87.80億元，
較去年同期成長(zhǎng)11.7％，每股凈利0.73元。
對(duì)于第4季展望部份，聯(lián)電預(yù)估晶圓出貨量季減4～5％，平均美元價(jià)格季減4～5％，平均毛利率預(yù)估達(dá)15％，
產(chǎn)能利用率將介于87～ 89％之間，今年資本支出11億美元。
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