SST25WF040B/80B串行閃存在1.65V至1.95V的單電源電壓范圍內(nèi)寫(xiě)入（編程或擦除）。這些串行閃存利用SuperFlash技術(shù)（可實(shí)現(xiàn)低耗電流）進(jìn)行編程并縮短擦除時(shí)間。這樣即可減少在任何擦除或編程操作期間的總能量消耗。SST25WF040B/80B串行閃存采用8引腳SOIC和8觸點(diǎn)USOIN封裝。
FEATURES 串行接口架構(gòu)： SPI兼容： 模式0和模式3 雙輸入/輸出支持： 快速讀取雙輸出指令(3BH) 快速讀取雙I/O指令(BBH) 寫(xiě)入結(jié)束檢測(cè)： 軟件輪詢狀態(tài)寄存器中的BUSY位 保持引腳(HOLD#)： 暫停串行序列而不取消選擇設(shè)備 寫(xiě)保護(hù)(WP#)： 啟用/禁用狀態(tài)寄存器的鎖定功能 軟件寫(xiě)保護(hù)： 通過(guò)狀態(tài)寄存器中的塊保護(hù)位進(jìn)行寫(xiě)保護(hù) 采用以下封裝： 8引腳SOIC (150 mils) 8引腳USON (2mm x 3mm） 符合RoHS指令 SPECIFICATIONS 1.65V至1.95V單電壓讀寫(xiě)操作 高速時(shí)鐘頻率為40MHz 出眾的可靠性： 100000個(gè)周期 數(shù)據(jù)保留超過(guò)20年 超低功耗： 4mA有源讀取電流 待機(jī)電流：7μA 2μA掉電模式待機(jī)電流 靈活的擦除功能： 統(tǒng)一的4KB扇區(qū) 統(tǒng)一的64KB重疊塊 頁(yè)面程序模式： 256字節(jié)/頁(yè)面 快速擦除和頁(yè)面編程： 400ms芯片擦除時(shí)間 40ms扇區(qū)擦除時(shí)間 80ms塊擦除時(shí)間 0.8ms/256B頁(yè)面編程時(shí)間 工業(yè)溫度范圍：-40°C至85°C 擴(kuò)展溫度范圍：-40°C至125°C 功能框圖
SST25WF040B/80B SPI串行閃存" title="Block Diagram - Microchip Technology SST25WF040B/80B SPI串行閃存" style="box-sizing:border-box;vertical-align:middle;display:block;max-width:100%;height:auto;" />
