ACU2109

ACU2109公司大量全新原裝正品 隨時(shí)可以發(fā)貨

歡迎光臨瀚佳科技（深圳）有限公司（李先生：0755-23140719 . 15323480717微信同號(hào) . QQ:3441530696）
瀚佳科技（深圳）有限公司是一家專業(yè)經(jīng)營IC電子元器件企業(yè)。代理分銷品牌有MAXIM、ADI、Microchip、TI、Xilinx、ALTERA、ATMEL、Infineon、SST、ISSI、NXP、PHILIPS、STC、Avago、Agilent、NS、POWER、ST、Winbond、FREESCALE、NS、FSC、IR、ON等世界知名品牌IC。包括：IC集成電路、傳感器、光電元件、濾波器、晶體、振蕩器、保險(xiǎn)絲、繼電器、編程器、連接器、隔離器、可編程邏輯器件、功率模塊、電源模塊、光耦、二三極管、MOS管、電容電阻、電感等。 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于航天、通訊、電力、電源、電子電器、儀器儀表、醫(yī)療器械、自動(dòng)控制、汽車、船舶等高科技領(lǐng)域。公司備有部分現(xiàn)貨，并在北美、歐洲、亞洲、港澳臺(tái)有著良好供貨渠道，保證客戶拿到有竟力優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品。在市場競爭日趨激烈的當(dāng)下，
瀚佳科技以自己良好的信用、可靠的質(zhì)量、有競爭力的價(jià)格、快捷的物流和靈活的財(cái)務(wù)支持，在行業(yè)內(nèi)贏得了很好的聲譽(yù)。
公司部分現(xiàn)貨：
MIC5381-PPYFTTR MIC5381-SSYFTTR MIC68220YMLTR MIC69303YMLTR MIC94040YFL MIC94041YFL MIC94042YFL MIC94043YFL MIC94060YMLTR MIC94060YMT MIC94060YMTTR MIC94061YML MIC94061YMLTR MIC94061YMT MIC94061YMTTR MIC94062YML MIC94062YMLTR MIC94062YMT MIC94062YMTTR MIC94063YML MIC94063YMLTR MIC94063YMT MIC94063YMTTR MIC94064YMT MIC94064YMTTR MIC94065YMT MIC94065YMTTR MIC94070YMT MIC94070YMTTR MIC94071YMT MIC94071YMTTR MIC94072YMT MIC94072YMTTR MIC94073YMT MIC94073YMTTR MIC94080YFT MIC94080YFTTR MIC94082YFT MIC94082YFTTR MIC94083YFT MIC94083YFTTR MIC94084YFT MIC94084YFTTR MIC94085YFT MIC94085YFTTR MIC94090YMT MIC94091YMT MIC94092YMT MIC94093YMT MIC94094YMT MIC94095YMT MIC94300YMTTR ML2870AGPZ060 ML2871GDZEAD MM1475CCBE MM3323HRRE MMA-062020-C3 MMA20312BT1 MMA20312BVT1 MMA25312BT1 MMG20271HT1 MML20242HT1 MMPF0100F0EP MMPF0100F0EPR2 MMPF0100F1EP MMPF0100F1EPR2 MMPF0100F2EP MMPF0100F2EPR2 MMPF0100NPEP MMPF0100NPEPR2 MMPF0100NPZES MMPF0100NPZESR2 MMZ09312BT1 MMZ25332BT1 MN101C66DAA MN101C66DAC MN101C66DAJ MN101C66DAG MP1519DQL-LF-Z MP2106DQ-LF-Z MP2119DQ-LF-Z MP2351DQ-LF-Z MP2602DQ-LF-Z MP26023DQ-LF-Z MP26021DQ-LF-Z MP26028EQ MP26028EQ-LF-Z MPC17559EP MPC17559EPR2 MS1AB-SLB MSC1201Y2RHHR MSC1201Y2RHHRG4 MSC1201Y2RHHT MSC1201Y2RHHTG4 MSC1201Y3RHHR MSC1201Y3RHHRG4 MSC1201Y3RHHT MSC1201Y3RHHTG4 MSC1202Y2RHHR MSC1202Y2RHHRG4 MSC1202Y2RHHT MSC1202Y2RHHTG4 MSC1202Y3RHHR MSC1202Y3RHHRG4 MSC1202Y3RHHT MSC1202Y3RHHTG4 MSC5503 MSP430F1121AIRGER MSP430F1121AIRGET MSP430F133IRTDR MSP430F133IRTDT MSP430F1481IRTDR MSP430F1481IRTDT MT6119N MT6120N-L MT6129N-L MT6301N MT6301N/B MT6305BN MT6305BN/C MT6601CA MT6601CA/A MT9T001C12STC MVPG15B-A2-NAE1C00 MXC6225XU MXL5003S N098E NB100LVEP221MNG NB100LVEP221MNRG NB100LVEP222MNG NB100LVEP222MNRG NB3N121KMNG NB3N121KMNR2G NB4L7210MNG NB4N121KMNG NB4N121KMNR2G NB618DL NB618DL-LF-Z NB7L111MMN NB7L111MMNG NB7L111MMNR2 NB7L111MMNR2G NB7N017MMN NB7N017MMNG NB7N017MMNR2 NB7N017MMNR2G NCN1154MUTAG NCN1188MUTAG NCN2612MTTWG NCN7200MTTWG NCN9252MUTAG NCP1508MNR2 NCP1508MNR2G NCP1509MNR2 NCP1509MNR2G NCP1546MNR2G NCP1547MNR2G NCP1589BMNTXG NCP2811AMTTXG NCP2811BMTTXG NCP3163BMNR2G NCP3163MNR2G NCP5030MTTXG NCP5201MN NCP5201MNG NCP5201MNR2 NCP5201MNR2G NCP5203MNR2 NCP5203MNR2G NCP5210MNR2 NCP5210MNR2G NCP5214MNR2 NCP5214MNR2G NCP5217AMNTXG NCP5220AMNR2 NCP5220AMNR2G NCP5220MNR2 NCP5220MNR2G NCP5360AMNR2 NCP5360AMNR2G NCP5360RMNR2G NCP5385MNR2G NCP5810DMUTXG NCP6121S52MNR2G NCP6131NS52MNR2G NCP6131S52MNR2G NCP6132AMNR2G NCP6132BMNR2G NCP6132MNR2G NCP6151S52MNR2G NCP6153MNTWG NCP694DSAN33T1G NCV3163MNR2G NCV51411MNR2G NCV8614BMNR2G NCV8614MNR2G NCV8842MNR2G NCV8843MNR2G NJG1617K11-TE1

SiC和GaN并不是終點(diǎn)，功率半導(dǎo)體氧化鎵到底是什么

目前，以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代化合物半導(dǎo)體受到的關(guān)注度越來越高，它們?cè)谖磥淼拇蠊β�、高溫、高壓�?yīng)用場合將發(fā)揮傳統(tǒng)的硅器件無法實(shí)現(xiàn)的作用。特別是在未來三大新興應(yīng)用領(lǐng)域(汽車、5G和物聯(lián)網(wǎng))之一的汽車方面，會(huì)有非常廣闊的發(fā)展前景。

然而，SiC和GaN并不是終點(diǎn)，最近，氧化鎵(Ga2O3)再一次走入了人們的視野，憑借其比SiC和GaN更寬的禁帶，該種化合物半導(dǎo)體在更高功率的應(yīng)用方面具有獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。因此，近幾年關(guān)于氧化鎵的研究又熱了起來。

實(shí)際上，氧化鎵并不是很新的技術(shù)，多年前就有公司和研究機(jī)構(gòu)對(duì)其在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用進(jìn)行鉆研，但就實(shí)際應(yīng)用場景來看，過去不如SiC和GaN的應(yīng)用面廣，所以相關(guān)研發(fā)工作的風(fēng)頭都被后二者搶去了。而隨著應(yīng)用需求的發(fā)展愈加明朗，未來對(duì)高功率器件的性能要求越來越高，這使得人們更深切地看到了氧化鎵的優(yōu)勢(shì)和前景，相應(yīng)的研發(fā)工作又多了起來，已成為美國、日本、德國等國家的研究熱點(diǎn)和競爭重點(diǎn)。而我國在這方面還是比較欠缺的。

氧化鎵的優(yōu)勢(shì)

氧化鎵是一種寬禁帶半導(dǎo)體，禁帶寬度Eg=4.9eV，其導(dǎo)電性能和發(fā)光特性良好，因此，其在光電子器件方面有廣闊的應(yīng)用前景，被用作于Ga基半導(dǎo)體材料的絕緣層，以及紫外線濾光片。這些是氧化鎵的傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域，而其在未來的功率、特別是大功率應(yīng)用場景才是更值得期待的。

雖然氧化鎵的導(dǎo)熱性能較差，但其禁帶寬度(4.9eV)超過碳化硅(約3.4eV)，氮化鎵(約3.3eV)和硅(1.1eV)的。由于禁帶寬度可衡量使電子進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)所需的能量。采用寬禁帶材料制成的系統(tǒng)可以比由禁帶較窄材料組成的系統(tǒng)更薄、更輕，并且能應(yīng)對(duì)更高的功率，有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率元件。此外，寬禁帶允許在更高的溫度下操作，從而減少對(duì)龐大的冷卻系統(tǒng)的需求。

日本的相關(guān)機(jī)構(gòu)在氧化鎵功率器件研究方面一直處于業(yè)界領(lǐng)先水平。早些年，日本信息通信研究機(jī)構(gòu)(NICT)等研究小組使用Ga2O3試制了“MESFET”(metal-semiconductorfield effect transistor，金屬半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。盡管是未形成保護(hù)膜(鈍化膜)的非常簡單的構(gòu)造，但試制品顯示出了耐壓高、漏電流小的特性。而使用SiC及GaN來制造相同構(gòu)造的元件時(shí)，要想實(shí)現(xiàn)像試制品這樣的特性，則是非常難的。

2012年，Ga2O3的結(jié)晶形態(tài)確認(rèn)有α、β、γ、δ、ε五種，其中，β結(jié)構(gòu)最穩(wěn)定，當(dāng)時(shí)，與Ga2O3的結(jié)晶生長及物性相關(guān)的研究報(bào)告大部分都使用β結(jié)構(gòu)。

例如，單結(jié)晶構(gòu)造的β-Ga2O3由于具有較寬的禁帶，使其擊穿電場強(qiáng)度很大，具體如下圖所示。β-Ga2O3的擊穿電場強(qiáng)度約為8MV/cm，是Si的20多倍，相當(dāng)于SiC及GaN的2倍以上。

β-Ga2O3的主要優(yōu)勢(shì)在于禁帶寬度，但也存在著不足，主要表現(xiàn)在遷移率和導(dǎo)熱率低，特別是導(dǎo)熱性能是其主要短板。不過，相對(duì)來說，這些缺點(diǎn)對(duì)功率器件的特性不會(huì)有太大的影響，這是因?yàn)楣β势骷男阅苤饕Q于擊穿電場強(qiáng)度。就β-Ga2O3而言，作為低損失性指標(biāo)的“巴利加優(yōu)值(Baliga’s figure of merit)”與擊穿電場強(qiáng)度的3次方成正比、與遷移率的1次方成正比。因此，巴利加優(yōu)值較大，是SiC的10倍、GaN的4倍。

由于β-Ga2O3的巴利加優(yōu)值較高，因此，在制造相同耐壓的單極功率器件時(shí)，元件的導(dǎo)通電阻比采用SiC或GaN的低很多。降低導(dǎo)通電阻有利于減少電源電路在導(dǎo)通時(shí)的電力損耗。使用β-Ga2O3的功率器件，不僅能減少導(dǎo)通時(shí)的電力損耗，還可降低開關(guān)時(shí)的損耗，因?yàn)樵谀蛪?kV以上的高耐壓應(yīng)用方面，可以使用單極元件。

比如，設(shè)有利用保護(hù)膜來減輕電場向柵極集中的單極晶體管(MOSFET)，其耐壓可達(dá)到3k～4kV。而使用硅的話，在耐壓為1kV時(shí)就必須使用雙極元件，即便使用耐壓較高的SiC，在耐壓為4kV時(shí)也必須使用雙極元件。雙極元件以電子和空穴為載流子，因此與只以電子為載流子的單極元件相比，在導(dǎo)通和截止的開關(guān)操作時(shí)，溝道內(nèi)的載流子的產(chǎn)生和消失會(huì)耗費(fèi)時(shí)間，損失容易變大。

在導(dǎo)熱率方面，如果導(dǎo)熱率低，功率器件很難在高溫下工作。不過，實(shí)際應(yīng)用中的工作溫度一般不會(huì)超過250℃，因此，實(shí)際應(yīng)用當(dāng)中不會(huì)在這方面出現(xiàn)大的問題。而且封裝有功率器件的模塊和電源電路使用的封裝材料、布線、焊錫、密封樹脂等的耐熱溫度最高也不過250℃，因此，功率器件的工作溫度也要控制在這一水平之下。

研究進(jìn)展

高質(zhì)量β-Ga2O3晶體

一直以來，中國在β-Ga2O3晶體材料和器件方面的研究相對(duì)落后，尤其是功率器件的研究很少，關(guān)鍵原因是受限于大尺寸、高質(zhì)量β-Ga2O3晶體的獲得。

2017年8月，我國同濟(jì)大學(xué)物理科學(xué)與工程學(xué)院唐慧麗副教授、徐軍教授團(tuán)隊(duì)采用自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的導(dǎo)模法技術(shù)，成功制備出2英寸高質(zhì)量β-Ga2O3單晶。獲得的高質(zhì)量β-Ga2O3單晶，X射線雙晶搖擺曲線半高寬27″，位錯(cuò)密度3.2×104cm-2，表面粗糙度<5A，該項(xiàng)研究成果將有力推動(dòng)我國氧化鎵基電力電子器件和探測(cè)器件的發(fā)展。

α-Ga2O3

2018年初，電裝與FLOSFIA公司決定共同開發(fā)面向車載應(yīng)用的新一代氧化鎵功率半導(dǎo)體材料——α-Ga2O3。

α-Ga2O3是京都大學(xué)藤田靜雄教授全球首次開發(fā)成功的單結(jié)晶合成材料，可用于電動(dòng)車的轉(zhuǎn)換器，能實(shí)現(xiàn)低功耗、低成本、小型輕量化。

FLOSFIA是于2011年由京都大學(xué)發(fā)起成立的一家合資公司。致力于α-Ga2O3功率半導(dǎo)體研發(fā)。2015年發(fā)表了世界最小的導(dǎo)通電阻0.1mΩcm2 SBD(Schottky Barrier Diode)試制數(shù)據(jù)，2016年成功研制了新型P型半導(dǎo)體α-Ir2O3。

氧化鎵MOSFET

今年早些時(shí)候，布法羅大學(xué)(UB)工程與應(yīng)用科學(xué)學(xué)院電氣工程副教授Uttam Singisetti博士和他的學(xué)生制造了一個(gè)厚度為5微米、由氧化鎵制成的MOSFET。

研究人員表示，該晶體管的擊穿電壓為1,850 V，比氧化鎵半導(dǎo)體的記錄增加了一倍多。擊穿電壓是將材料(在這種情況下為氧化鎵)從絕緣體轉(zhuǎn)換為導(dǎo)體所需的電量。擊穿電壓越高，器件可以處理的功率越高。

Singisetti表示，由于晶體管的尺寸相對(duì)較大，因此不適合智能手機(jī)和其他小型設(shè)備。但它可能有助于調(diào)節(jié)大規(guī)模運(yùn)營中的能量流，例如收獲太陽能和風(fēng)能的發(fā)電廠，以及電動(dòng)汽車、火車和飛機(jī)等。

但是，該研究還需要深入下去，以解決其導(dǎo)熱性差的缺點(diǎn)。

縱向Ga2O3功率器件

近期，日本情報(bào)通信研究機(jī)構(gòu)(NICT)與東京農(nóng)工大學(xué)(TUAT)演示了一種“縱向的”氧化鎵MOSFET，它采用“全離子注入( all-ion-implanted )”工藝進(jìn)行N型與P型摻雜，為低成本、高可制造性的Ga2O3 功率電子器件鋪路。

過去幾年來，Ga2O3 晶體管的開發(fā)集中于研究橫向幾何結(jié)構(gòu)。然而，由于器件面積較大、發(fā)熱帶來的可靠性問題、表面不穩(wěn)定性，橫向器件不容易經(jīng)受住許多應(yīng)用所需的高電流與高電壓的考驗(yàn)。

相比而言，縱向幾何結(jié)構(gòu)能以更高的電流驅(qū)動(dòng)，不必增加芯片尺寸，從而簡化了熱管理�？v向晶體管開關(guān)的特性，是通過向半導(dǎo)體中引入兩種雜質(zhì)(摻雜劑)來設(shè)計(jì)的。開關(guān)“打開”時(shí)，N型摻雜，提供移動(dòng)的載流子(電子)，用于攜帶電流;開關(guān)“關(guān)閉”時(shí)，P型摻雜，會(huì)啟動(dòng)電壓阻斷。

Masataka Higashiwaki 領(lǐng)導(dǎo)的 NICT 科研小組率先在 Ga2O3 器件中使用硅作為N型摻雜劑，但是科學(xué)界長期以來一直在為找到一種合適的P型摻雜劑而努力。今年早些時(shí)候，同一科研小組，公布了用氮(N)作為P型摻雜劑的可行性。他們最新的成果包括首次通過高能量摻雜劑引入工藝，即所謂的“離子注入”，整合硅與氮摻雜，設(shè)計(jì)出一個(gè) Ga2O3 晶體管。

據(jù)悉，縱向功率器件可以實(shí)現(xiàn)超過100A的電流和超過1kV的電壓，這樣的結(jié)合是許多應(yīng)用所要求的，特別是電力工業(yè)和汽車電力系統(tǒng)所需要的。

熱管理方法研究

近期，美國佛羅里達(dá)大學(xué)、美國海軍研究實(shí)驗(yàn)室和韓國大學(xué)的研究人員也在研究氧化鎵MOSFET。佛羅里達(dá)大學(xué)材料科學(xué)與工程教授Stephen Pearton表示，它們正在研究氧化鎵作為MOSFET的發(fā)展?jié)摿Α鹘y(tǒng)上，這些微型電子開關(guān)由硅制成，用于筆記本電腦、智能手機(jī)和其他電子產(chǎn)品。對(duì)于像電動(dòng)汽車充電站這樣的系統(tǒng)，我們需要能夠在比硅基器件更高的功率水平下工作的MOSFET，而氧化鎵可能就是解決方案。為了實(shí)現(xiàn)這些先進(jìn)的MOSFET，該團(tuán)隊(duì)確定了需要改進(jìn)柵極電介質(zhì)，以及更有效地從器件中釋放熱量的熱管理方法。

結(jié)語

氧化鎵是一種新興的功率半導(dǎo)體材料，其禁帶寬度大于硅，氮化鎵和碳化硅，在高功率應(yīng)用領(lǐng)域的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)愈加明顯。但氧化鎵不會(huì)取代SiC和GaN，后兩者是硅之后的下一代主要半導(dǎo)體材料。

氧化鎵更有可能在擴(kuò)展超寬禁帶系統(tǒng)可用的功率和電壓范圍方面發(fā)揮作用。而最有希望的應(yīng)用可能是電力調(diào)節(jié)和配電系統(tǒng)中的高壓整流器，如電動(dòng)汽車和光伏太陽能系統(tǒng)。

但是，在成為電力電子產(chǎn)品的主要競爭者之前，氧化鎵仍需要開展更多的研發(fā)和推進(jìn)工作，以克服自身的不足。

瀚佳科技是一家專業(yè)從事集成電路配套的供應(yīng)商，在本行擁有多年的銷售經(jīng)驗(yàn)！
備有大量現(xiàn)貨庫存，誠信為本，客戶至上，為客戶把產(chǎn)品的質(zhì)量關(guān)！
由于公司型號(hào)眾多，無法一一上傳，如在網(wǎng)站找不到您要的產(chǎn)品，請(qǐng)聯(lián)系業(yè)務(wù)員，本司可提供電子元器件配單服務(wù)。
聯(lián)系電話：0755-23140719/15323480719微信同號(hào) （李先生）
聯(lián)系QQ：3441530696/3449124707
聯(lián)系地址：廣東省深圳市福田區(qū)中航路鼎城大廈1607室
公司網(wǎng)址:http://www.szhanjia.com


NLAS3158MNR2G NLAS4684FCT1 NLAS4717EPMTR2G NLAS52231MUR2G NLAS5223BLMNR2G NLAS5223BMNR2G NLAS5223BMUR2G NLAS5223LMNR2G NLAS5223MNR2G NLAS6234MUTBG NLAS7222AMTR2G NLAS7222AMUR2G NLAS7222AMUTAG NLAS7222BMUTAG NLAS7222BMUTBG NLAS7222CMUTBG NLAS7242MUTBG NLAS8252MUTAG NLSV22T244MUTAG RT8015AGQW RT8020BGQW RT8020GQW RT8072GQW RT8073GQW RT8082GQW RT8105AGQW RT8208BGQW RT8209BGQW RT8209MGQW RT8228AZQW RT8240BZQW RT8241DZQW RT8241EZQW RT8450BGQW RT8804PQV RT8859MGQW RT9032BGQWA RT9360APQV RT9364PQW RT9368AGQW RT9378BGQW RT9505GQW RT9607PQV RT9643PQV RT9913BPQV RT9939GQW RTC6685 RTM875N-606 RTM875N-606-VD-GRT RTR6200 RX-4581NB S1D137323C1 S1D13732B03C10B SA9521HN/C1 SAFEH1G84FB0F00R00 SAFSE942MALOT05R12 SAN4915416E SAPA1D1-MLF SC2516 SC2516MLTR SC2516MLTRT SC2614 SC2614ML SC2614MLTR SC2615 SC2615ML SC2615ML.TR SC2615MLTRT SC415MLTRT SC417MLTRT SC4501MLTRT SC4508AMLTRT SC452IMLTRT SC4624MLTRT SC603IMLTR SC603IMLTRT SCANSTA476TSD SCANSTA476TSD/NOPB SCSALPDSBGA SDIO101IHR,515 SDIO101IHR,551 SFDG75BS101 SFHG42PS101 SGM3005XD/TR SGM3133YTQ16G/TR SGM3138YTQ16G/TR SH6962B SH6962BCAORGCR SH6962BAAORGCRG4 SI1000-C-GM SI1000-C-GMR SI1001-C-GM SI1001-C-GMR SI1002-C-GM SI1002-C-GMR SI1003-C-GM SI1003-C-GMR SI1004-C-GM SI1010-A-GM SI1010-A-GMR SI1012-A-GM SI1012-A-GMR SI1013-A-GM SI1013-A-GMR SI1015-A-GM SI1015-A-GMR SI1060-A-GM SI1060-A-GMR SI1061-A-GM SI1061-A-GMR SI1062-A-GM SI1062-A-GMR SI1063-A-GM SI1063-A-GMR SI1064-A-GM SI1064-A-GMR SI1065-A-GM SI1065-A-GMR SI1080-A-GM SI1080-A-GMR SI1081-A-GM SI1081-A-GMR SI1082-A-GM SI1082-A-GMR SI1083-A-GM SI1083-A-GMR SI1084-A-GM SI1084-A-GMR SI1085-A-GM SI1085-A-GMR SI2143-A30-GM SI2143-A30-GMR SI2161-D-GM SI2161-D-GMR SI2165-D-GM SI2165-D-GMR SI3210-E-FM SI3210-E-FMR SI3210-E-GM SI3210M-E-FM SI3210M-E-FMR SI3210M-E-GM SI3215-B-FM SI3215-B-FMR SI3215-C-FM SI3215-C-FMR SI3215M-C-FM SI3215M-C-FMR SI3216-C-FM SI3216-C-FMR SI32171-B-FM SI32171-B-FMR SI32176-B-FM SI32176-B-FM1R SI32176-B-FMR SI32176-B-GM SI32176-B-GMR SI32176-B-GM1 SI32176-B-GM1R SI32178-B-FM SI32178-B-FM1 SI32178-B-FMR SI32178-B-FM1R SI3230-E-FM SI3230-E-FMR SI3230M-E-FM SI3230M-E-FMR SI4126BM SI4126-BMR SI4134T-BM Si4134T-BMR SI4206-BMR Si4210-D-GM SI4210-D-GMR TUA6039B1 TUA6045 TUSB7320RKMR TUSB7320RKMT TW9910-NA2-GR TW9910-NA2-GRT TW9910-NB2-GR TWL3029BZWR TX810IRHHR TX810IRHHT TXB0104GXUR TXB0104QRGYRQ1 TXB0104RGYR TXB0104RGYRG4 TXB0104RUTR TXB0108RGY TXB0108RGYR TXB0108RGYRG4 TXB0108RGYT TXB0108RGYTG4 TXB0304RUTR TXBN0304RUTR TXS0104ERGYR TXS0104ERGYRG4 TXS4555RUTR UAA3537 UAA3537GHN/C1 UAA3537HN UAA3544HN/C1 UAA3595HN/C1 UBX-G5010-ST UCC28230DRNR UCC28230DRNRG4 UCC28230DRNT UCC28230DRNTG4 UCC28231DRNR UCC28231DRNRG4 UCC28231DRNT UCC28231DRNTG4 UM5059 UP6206AQGK UPA2350T1G-E4 UPD482445G5-60-7JG UPD65946GN-102-2M UPD78F4218AGF-3BA UPG2035T5F-A UPG2035T5F-E2-A UPG2157T5F-A UPG2157T5F-E2-A UPG2251T6M-A UPG2251T6M-E2-A UPG2301T5L-E2-A UPG2311T5F-A UPG2311T5F-E2-A USB1T1102MPX USB1T1103MPX USB2240-AEZG-06 USB2241-AEZG-05 USB2241-AEZG-06 USB2244-AEZG-05 USB2244-AEZG-06 USB2502-AEZG USB2512A-AEZG USB2512A-AEZG-TR USB2512-AEZG USB2512B-AEZG USB2512B-AEZG-TR USB2512BI-AEZG USB2512BI-AEZG-TR USB2512I-AEZG USB2513-AEZG USB2513B-AEZC USB2513B-AEZC-TR USB2513B-AEZG USB2513BI-AEZG USB2513BI-AEZG-TR USB2514 USB2514AEZG USB2514-AEZG USB2514-AEZG-TR USB2514AEZG-TR USB2514B-AEZC USB2514B-AEZC-TR USB2514B-AEZG USB2514B-AEZG-TR USB2514I-AEZG USB2514I-AEZG-TR USB2524-ABZJ USB2532-1080AEN-TR USB2532I-1080AENTR USB2533-1080AEN-TR USB2533I-1080AENTR USB2534-1080AEN-TR USB2534I-1080AENTR USB3250-ABZJ USB3321C-GL-TR USB3330E-GL-TR USB3500-ABZJ USB3740B-AI2-TR USB3740B-AI9-TR USB5537-AKZE USB5537B-4100AKZE USB5537B4100AKZETR USB5537BI4100AKZE USB5537BI4100AKZETR UX6603Q-V3 V112 V126 VC0917 VC0918 VC0918D VC0928D VC0938D VC0938D-LF VC0938D-40LP Si4700-A09-GM Si4700-A09-GMR SI4700-B15-GM SI4700-B15-GMR SI4703-B16-GM SI4703-B16-GMR SI5315A-C-GM SI5315A-C-GMR SI5315B-C-GM SI5315B-C-GMR SI5316-C-GM SI5316-C-GMR SI5317A-C-GM SI5317A-C-GMR SI5317B-C-GM SI5317B-C-GMR SI5317C-C-GM SI5317C-C-GMR SI5317D-C-GM SI5317D-C-GMR SI5319B-C-GM SI5319B-C-GMR SI5319C-C-GM SI5319C-C-GMR SI5322-C-GM SI5322-C-GMR SI5323-C-GM SI5323-C-GMR SI5324A-C-GM SI5324A-C-GMR SI5324C-C-GM SI5324C-C-GMR SI5324D-C-GM SI5324D-C-GMR SI5325C-C-GM SI5325C-C-GMR SI5326A-C-GM SI5326A-C-GMR SI5326B-B-GM SI5326B-B-GMR SI5326B-C-GM SI5326B-C-GMR SI5326C-C-GM SI5326C-C-GMR SI5327C-C-GM SI5327C-C-GMR SI5327D-C-GM SI5327D-C-GMR SI7606DN-T1-E3 SI7606DN-T1-GE3 SI8501-C-IM SI8502-C-IM SI8503-C-IM SI8511-C-IM SI8512-C-IM SI8513-C-IM SiI9287ACNU SII9287CNU SIO1036-ZG SIP32401ADNP-T1GE4 SIP32402ADNP-T1GE4 SIP32411DNP-T1-GE4 SIP32431DNP3-T1GE4 SIS187 SKY12146-321LF SKY12338-337LF SKY12407-321LF SKY13267-321LF SKY13299-321LF SKY13318-321LF SKY13345-368LF SKY13352-337LF SKY13353-337LF SKY13374-397LF SKY13385-460LF SKY65111-348LF SKY65206-11 SKY65206-13 SKY65208-R4 SKY65208-11 SKY65227-11 SKY74073-13 SKY74117 SKY74117-13 SKY74117-13A SKY77148-15 SKY77149-14 SKY77162-12 SKY77175-14 SKY77252-13 SKY77255-11 SKY77304-17P SKY77324-12 SKY77324-12B SKY77328-13 SKY77328-13A SKY77506-13 SKY77506-13A SKY77518-11 SKY77518-11A SKY77518-21 SKY77518-21A SKY77531-11 SKY77531-21 SKY77542-11 SKY77547-11 SKY77552-11 SKY77592-21 SL28647BLC SL28647BLCT SL28647CLC SL28647CLCT SL28EB742ALC SL28EB742ALI SLG84450V SLG8SP628VTR SM0301L-423-G02 SM2110 SM8132AB-G-EL SN3100 SN3100JIR1 SN3103I420E SN3189I320E SN3218I424E SN3226JIR1 SN3227I208 SN3227I208E SN3228AI212E SN3228BI212E SN3726JIR1 SN4066JIR1 SN4915I416E SN65LVCP1414RLJR SN65LVCP1414RLJT


瀚佳科技是一家專業(yè)從事集成電路配套的供應(yīng)商，在本行擁有多年的銷售經(jīng)驗(yàn)！
備有大量現(xiàn)貨庫存，誠信為本，客戶至上，為客戶把產(chǎn)品的質(zhì)量關(guān)！
由于公司型號(hào)眾多，無法一一上傳，如在網(wǎng)站找不到您要的產(chǎn)品，請(qǐng)聯(lián)系業(yè)務(wù)員，本司可提供電子元器件配單服務(wù)。
聯(lián)系電話：0755-23140719/15323480719微信同號(hào) （李先生）
聯(lián)系QQ：3441530696/3449124707
聯(lián)系地址：廣東省深圳市福田區(qū)中航路鼎城大廈1607室
公司網(wǎng)址:http://www.szhanjia.com