產(chǎn)品描述：NTZS3151PT1G
NTZS3151PT1G：單P溝道小信號(hào)MOSFET-20V，-950mA，150mΩ
這是一個(gè)20VP溝道功率MOSFET。
特性：NTZS3151PT1G
低RDS（on）提高系統(tǒng)效率
低閾值電壓
小尺寸1.6x1.6毫米
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
應(yīng)用：NTZS3151PT1G
負(fù)載/電源開關(guān)
電池管理
終端產(chǎn)品：NTZS3151PT1G
手機(jī)
數(shù)碼相機(jī)
掌上電腦
尋呼機(jī)
制造商零件編號(hào) NTZS3151PT1G
描述 MOSFETP-CH20V0.86ASOT-563
對(duì)無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況/對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無鉛/符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)（MSL） 1（無限）
原廠標(biāo)準(zhǔn)交貨期 4周
詳細(xì)描述 表面貼裝-P-溝道-pval-2068-860mA（Ta）-170mW（Ta）-SOT-563
一般信息 數(shù)據(jù)列表 NTZS3151P;
標(biāo)準(zhǔn)包裝
包裝
零件狀態(tài) 在售
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
產(chǎn)品族 晶體管-FET，MOSFET-單
系列 -
規(guī)格 FET類型 P溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 20V
電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時(shí)） 860mA（Ta）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn） 1.8V，4.5V
不同Id，Vgs時(shí)的RdsOn（最大值） 150毫歐@950mA，4.5V
不同Id時(shí)的Vgs（th）（最大值） 1V@250μA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷（Qg）（最大值） 5.6nC@4.5V
Vgs（最大值） ±8V
不同Vds時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 458pF@16V
FET功能 -
功率耗散（最大值） 170mW（Ta）
工作溫度 -55°C~150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 SOT-563
封裝/外殼 SOT-563，SOT-666
