FDN337N

產(chǎn)品描述：FDN337N

FDN337N：N溝道邏輯電平增強模式場效應(yīng)晶體管

SuperSOT™-3N溝道邏輯電平增強模式場效應(yīng)應(yīng)晶體管采用飛兆專有的高密度DMOS技術(shù)生產(chǎn)。這種密度非常高的工藝是專為最大限度地降低導(dǎo)通阻抗而定制的。這些器件特別適合筆記本電腦，手提電話，PCMCIA卡和其他電池供電電路中的低電壓應(yīng)用，此類應(yīng)用需要在很小尺寸的表面貼裝封裝中提供快速開關(guān)和低線路內(nèi)功率損耗。

產(chǎn)品特性：FDN337N

2.2A，30V，RDS（ON）=0.065Ω@VGS=4.5V，RDS（ON）=0.082Ω@VGS=2.5V.

工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)外形SOT-23表面貼裝封裝采用專有的SuperSOT™-3設(shè)計，具有優(yōu)異的熱性能和電氣性能。

采用高密度單元設(shè)計，可實現(xiàn)極低的RDS（ON）。

出色的導(dǎo)通阻抗和最大的DC電流能力。

應(yīng)用

該產(chǎn)品是一般用途，適用于許多不同的應(yīng)用。

制造商 ONSemiconductor
制造商零件編號 FDN337N
描述 MOSFETN-CH30V2.2ASSOT3
對無鉛要求的達標(biāo)情況/對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達標(biāo)情況 無鉛/符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
原廠標(biāo)準(zhǔn)交貨期 27周
詳細描述 表面貼裝-N-溝道-pval-2068-2.2A（Ta）-500mW（Ta）-SuperSOT-3

一般信息

數(shù)據(jù)列表 FDN337N;

標(biāo)準(zhǔn)包裝FDN337NTR-ND;part_id=458847;ref_supplier_id=488;ref_page_event=Standard Packaging" data_ue_src="/editor/editor_member_news//uploadfile/error!" /> 3,000
包裝 標(biāo)準(zhǔn)卷帶
零件狀態(tài) 在售
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
產(chǎn)品族 晶體管-FET，MOSFET-單
系列 -

規(guī)格

FET類型 N溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 30V
電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時） 2.2A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn） 2.5V，4.5V
不同Id，Vgs時的RdsOn（最大值） 65毫歐@2.2A，4.5V
不同Id時的Vgs（th）（最大值） 1V@250μA
不同Vgs時的柵極電荷（Qg）（最大值） 9nC@4.5V
Vgs（最大值） ±8V
不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值） 300pF@10V
FET功能 -
功率耗散（最大值） 500mW（Ta）
工作溫度 -55°C~150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 SuperSOT-3
封裝/外殼 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3