NVHL027N65S3F SUPERFET III功率MOSFET采用3引腳TO-247長引線封裝。該器件無鉛，符合RoHS指令。NVHL027N65S3F符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)并具有PPAP功能，因此非常適合用于汽車應(yīng)用。
FEATURES 符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)并具有PPAP功能 700V（TJ=150°C時） 典型RDS(on)= 21.5mΩ 超低柵極電荷（典型Qg= 227nC） 低有效輸出電容（典型 Coss(eff.)= 1880μF） 出色的體二極管性能（低Qrr，堅固的體二極管） 優(yōu)化的電容 系統(tǒng)可靠性高，可在低溫下運行 低開關(guān)損耗 在LLC和相移全橋電路中具有較高的系統(tǒng)可靠性 低峰值Vds和低Vgs振蕩 100%經(jīng)過雪崩測試 封裝類型：TO-247長引線 無鉛，符合RoHS指令 應(yīng)用 汽車車載充電器HEV-EV 汽車DC-DC轉(zhuǎn)換器，用于HEV-EON NVHL027N65S3F，全新原裝進(jìn)口現(xiàn)貨，財富熱線 18566746609
發(fā)布時間:2019/5/20 10:29:00 訪問次數(shù):216 發(fā)布企業(yè):深圳市和諧世家電子有限公司
ON Semiconductor NVHL027N65S3F 650V 75A SUPERFET® III功率MOSFET
安森美半導(dǎo)體NVHL027N65S3F 650V 75A SUPERFET®III功率MOSFET是一款符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的高電壓超級結(jié) (SJ) MOSFET，采用電荷平衡技術(shù)，實現(xiàn)了出色的低導(dǎo)通電阻和低柵極電荷性能。借助電荷平衡技術(shù)，可最大限度地降低傳導(dǎo)損耗，提供卓越的開關(guān)性能，并能夠承受極高的dV/dt速率。NVHL027N65S3F SUPERFET III MOSFET非常適合用于需要小尺寸和高效率的電源系統(tǒng)。NVHL027N65S3F還具有經(jīng)過優(yōu)化的反向恢復(fù)體二極管性能，從而減少了額外需要的元件數(shù)量，并提高了系統(tǒng)可靠性。
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