設備概述：SST39VF010-70-4C-NHE
摘要
SST39VF010-70-4C-NHE是采用SST專有的高性能CMOSSuperFlash技術制造的128Kx8CMOS多功能閃存（MPF）。與其他方法相比，分裂柵極單元設計和厚氧化物隧道注入器具有更好的可靠性和可制造性。SST39VF010器件使用2.7-3.6V電源寫入（編程或擦除）。該器件符合針對x8存儲器的JEDEC標準引腳排列。
附加功能：SST39VF010-70-4C-NHE
組織為64Kx8/128Kx8/256Kx8/512Kx8
單電壓讀寫操作-3.7-3.6V用于SST39LF512/010/020/040-2.7-3.6V用于SST39VF512/010/020/040
卓越的可靠性-耐久性：100,000次循環（典型值）-超過100年的數據保留
低功耗（典型值為14MHz）-有功電流：5mA（典型值）-待機電流：1μA（典型值）
扇區擦除能力-統一4KB扇區
快速讀取訪問時間：-對于SST39LF512/010/020/040-為45ns，對于SST39LF020/040-為70ns，對于SST39VF512/010/020/040為45ns
鎖存的地址和數據
快速擦除和字節編程：-扇區擦除時間：18ms（典型值）-芯片擦除時間：70ms（典型值）-字節編程時間：14μs（典型值）-芯片重寫時間：1秒（典型值）SST39LF/VF5122秒（典型值）SST39LF/VF0104秒（典型值）SST39LF/VF0208秒（典型值）SST39LF/VF040
自動寫時序-內部VPP生成
寫入結束檢測-切換位數據＃輪詢
CMOSI/O兼容性
JEDEC標準-閃存EEPROM引腳和命令集
可提供封裝-32引腳PLCC-32引腳TSOP（8mmx14mm）-48引腳TFBGA（6mmx8mm）-34引腳WFBGA（4mmx6mm），適用于1M和2M
所有器件均符合RoHS標準
制造商 MicrochipTechnology制造商零件編號 SST39VF010-70-4C-NHE
描述 ICFLASH1MPARALLEL32PLCC
對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 3（168小時）
原廠標準交貨期 6周
詳細描述 閃存-存儲器-IC-1Mb-（128K-x-8）-并聯-pval-800-pval-2192-32-PLCC（11.43x13.97）
一般信息 數據列表 39SeriesBrief;
SST39(L,V)F010/020/040;
SuperFlashBrochure;
標準包裝
包裝
零件狀態 在售
類別 集成電路（IC）
產品族 存儲器
系列 SST39MPF™
規格 存儲器類型 非易失
存儲器格式 閃存
技術 閃存
存儲容量 1Mb（128Kx8）
存儲器接口 并聯
寫周期時間-字，頁 20μs
訪問時間 70ns
電壓-電源 2.7V~3.6V
工作溫度 0°C~70°C（TA）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 32-LCC（J形引線）
供應商器件封裝 32-PLCC（11.43x13.97）
