建筑優(yōu)勢(shì)
■單電源運(yùn)行
■采用110納米鏡像比特工藝技術(shù)制造
■安全硅區(qū)128字/256字節(jié)扇區(qū)，用于永久、安全標(biāo)識(shí)通過(guò)8字/16字節(jié)隨機(jī)電子串行數(shù)字，可通過(guò)命令序列訪問工廠或客戶編程并鎖定
■靈活的部門架構(gòu)
64MB（統(tǒng)一扇形模型）：一百二十八32KWORD（64 KB）扇區(qū)
64 MB（引導(dǎo)扇區(qū)型號(hào)）：一百二十七32KWORD（64 KB）扇區(qū)+8個(gè)4KWORD（8KB）引導(dǎo)扇區(qū)32 MB（統(tǒng)一扇區(qū)型號(hào)）：六十四個(gè)32kword（64 kb）
扇區(qū)32 MB（引導(dǎo)扇區(qū)型號(hào)）：63 32kword（64 kb）扇區(qū)+8個(gè)4Kword（8Kb）引導(dǎo)扇區(qū)
■增強(qiáng)Versatilei/O™控制所有輸入電平（地址、控制和DQ輸入電平）和輸出由VIO輸入端的電壓決定。VIO范圍是1.65到VCC
■與JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的兼容性為單電源提供插腳和軟件兼容性提供閃存和卓越的意外寫入保護(hù)每個(gè)扇區(qū)典型的100000個(gè)擦除周期
■典型的20年數(shù)據(jù)保留性能特點(diǎn)
■高性能90 ns訪問時(shí)間8字/16字節(jié)頁(yè)面讀取緩沖區(qū)25 ns頁(yè)面讀取時(shí)間16字/32字節(jié)寫入緩沖區(qū)，減少總體編程多字更新時(shí)間
■功耗低25 mA典型初始讀取電流，1 mA典型頁(yè)面讀取電流50 mA典型擦除/程序電流1微安典型待機(jī)模式電流
■包裝選項(xiàng)48針TSOP56針TSOP64球強(qiáng)化BGA48球細(xì)間距BGA軟件和硬件功能
■軟件功能高級(jí)扇區(qū)保護(hù)：提供持久的扇區(qū)保護(hù)和密碼扇區(qū)保護(hù)程序暫停和恢復(fù)：編程前讀取其他扇區(qū)操作已完成擦除掛起和恢復(fù)：之前讀取/編程其他扇區(qū)
擦除操作已完成數(shù)據(jù)輪詢和切換位提供狀態(tài)CFI（通用閃存接口）兼容：允許主機(jī)系統(tǒng)識(shí)別和容納多個(gè)閃存設(shè)備解鎖旁路程序命令減少了整個(gè)多字編程時(shí)間
■硬件特點(diǎn)wp_/acc輸入加速編程時(shí)間（高施加電壓）以提高系統(tǒng)生產(chǎn)期間的吞吐量。保護(hù)第一個(gè)或最后一個(gè)扇區(qū)，而不考慮扇區(qū)保護(hù)
統(tǒng)一扇形模型的設(shè)置硬件重置輸入（重置）重置設(shè)備就緒/忙碌輸出（ry/by）檢測(cè)程序或擦除周期完成
