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RISC-V也同樣如此，由于RISC-V允許用戶自己任意添加新的指令，但照此趨勢發(fā)展下去，可能以后很多芯片廠商開發(fā)出的RISC-V架構處理器盡管都歸屬于同一RISC-V體系，但在實際應用搭配時卻不能夠適配同樣版本的軟件。尤其是中國市場，編者認為這種情況會更為嚴重，因為對于像RISC-V這種開源性的架構，很多芯片設計廠家可能更多的偏向于使用而很少分享，就像現(xiàn)在的手機安卓系統(tǒng)一樣，各手機品牌都做獨立自主開發(fā)，因此也演變出了各自不同的版本。況且，芯片與手機不同，在現(xiàn)在任何一種智能設備當中，各類芯片的用量會更大，這樣的話，RISC-V類的芯片被應用的更多之后，應用端會出現(xiàn)非常多硬件和硬件之間、硬件與軟件之間的適配問題。
不過，業(yè)界某芯片設計企業(yè)人士卻表示：“從英特爾或者ARM的經(jīng)驗來看，碎片化的確會造成它們‘發(fā)展不上去’。所以過去ARM為了防止碎片化，嚴格禁止用戶修改指令集，但是RISC-V解決的思路并不是嚴格限制，它的策略是建立一個簡易的小型指令集基礎和模塊標準擴展，適用于大多數(shù)代碼，同時為不干擾標準指令集核心的應用特定擴展留出足夠的空間�！�
研究團隊預期，應用于人工智能發(fā)展與云端運算，更可減少讀取資料的延遲時間，大幅加快演算速度，可望在未來微縮化多功能納米元件的趨勢中，帶來革命性的突破。
根據(jù)研究資料，鐵酸鉍(BiFeO3)是在一個存儲單元中可同時具有高達8種邏輯狀態(tài)(0-7)的多位元存儲器材料，比起傳統(tǒng)只能存儲0與1的單位元存儲器，可大幅地提升儲存信息的密度。
據(jù)悉，研究團隊成功開發(fā)新穎光學技術，可進行非接觸性的特性控制，應用這類材料與相關光控技術，現(xiàn)有存儲器體積可被大幅地縮小，耗能也將近一步降低。
傳統(tǒng)硬盤與存儲器器基礎單位為0與1的組合，受此限制，基礎存儲單元只能靠不斷縮小元件尺寸才能提高存儲器密度，在開發(fā)上始終會達到極限。
成大團隊教授陳宜君指出，以磁性金屬薄膜為主材料的傳統(tǒng)硬盤為例，只具有一個鐵磁有序性，用以紀錄0與1的信息。而多鐵性材料鐵酸鉍的存儲單元為材料內(nèi)自發(fā)的電偶極矩與電子自旋排列方向，存儲單元理論上可達次納米尺度，且可在同一點存在多個存儲狀態(tài)，即同時包含電、磁與反鐵磁有序，組合上可一次紀錄8組信息于單個儲存單元中。
她指出，相較于現(xiàn)今商用非揮發(fā)性存儲器仍有斷電長時間后會損失資料的問題，多鐵性材料的存儲狀態(tài)更加穩(wěn)定。
成大研究團隊這次研究最重要的突破，在于賦予該材料全光控的優(yōu)勢，由于光是交變的電磁波，因此在傳統(tǒng)經(jīng)驗中，光無法對材料產(chǎn)生多組態(tài)的存儲調(diào)變。
研究團隊助理教授楊展其也表示，團隊所提出的關鍵光控技術，可利用光照產(chǎn)生的局部形變進而控制鐵酸鉍中的多位元存儲組態(tài)。利用光學寫入技術的存儲器不需任何借助任何金屬電極與復雜的元件制程，充分體現(xiàn)“材料即元件”的構想，不只提升了信息存儲效益，也為新一代存儲器開發(fā)帶來全新的思考方式，使該材料可被直接導入如量子儲存，量子通訊等結合尖端光學技術的跨領域科技。
這個體現(xiàn)在以下兩個方面：首先，是RISC-V的模塊化指令集，它讓廠商在實現(xiàn)方案的時候能夠根據(jù)自己的需求選擇標準指令集組合，廠商完全沒有必要為不兼容付出額外的成本;其次，指令集里已經(jīng)提前預留好了大量的定制指令空間，指令長度從16byte到1024byte理論上都支持，這些空間就是專門給定制處理器的廠商實現(xiàn)自己的指令集的。這樣一來，基本的軟件都能兼容，遇到定制指令集，廠家提供預先設計好的函數(shù)庫就能在很好地保證效率的同時不失兼容性。的確，這在一定程度上減少了RISC-V碎片化的發(fā)生，但并沒有從根本上解決問題。目前，很嚴重的碎片化問題盡管現(xiàn)在還沒有出現(xiàn)，但隨著產(chǎn)業(yè)和技術的進一步發(fā)展，待整個圈子越來越大之后，編者認為這種風險發(fā)生還是具有不小的可能性，這需要引起業(yè)界的重視。
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