製造商: Vishay
產(chǎn)品類型: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)資料
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝/外殼: PowerPAK-1212-8
通道數(shù): 1 Channel
晶體管極性: P-Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 40 V
Id - C連續(xù)漏極電流: 18 A
Rds On - 漏-源電阻: 25 mOhms
Vgs th - 門源門限電壓 : 1 V
Vgs - 閘極-源極電壓: 10 V
Qg - 閘極充電: 41 nC
最低工作溫度: - 50 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 39 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
公司名稱: TrenchFET
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
高度: 1.04 mm
長度: 3.3 mm
系列: SI7
晶體管類型: 1 P-Channel
寬度: 3.3 mm
品牌: Vishay / Siliconix
互導(dǎo) - 最小值: 25 S
下降時(shí)間: 9 ns, 12 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 11 ns, 150 ns
原廠包裝數(shù)量: 3000
子類別: MOSFETs
標(biāo)準(zhǔn)斷開延遲時(shí)間: 28 ns, 30 ns
標(biāo)準(zhǔn)開啟延遲時(shí)間: 10 ns, 47 ns
零件號(hào)別名: SI7611DN-GE3