產(chǎn)品描述:FDS6990A
FDS6990A:雙N溝道、邏輯電平、PowerTrench®MOSFET
這些N溝道邏輯電平MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench工藝生產(chǎn),這一先進(jìn)工藝是專為最大限度地降低通態(tài)電阻并保持卓越開關(guān)性能而定制的。這些器件非常適合需要線路內(nèi)低功率損耗和快速開關(guān)的低電壓和電池供電應(yīng)用。
產(chǎn)品特性:FDS6990A
7.5A,30V
RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V
RDS(ON)=23mΩ@VGS=4.5V
快速開關(guān)速度
低柵極電荷
高性能溝道技術(shù)可實(shí)現(xiàn)極低的RDS(on)
高功率和高電流處理能力
應(yīng)用:FDS6990A
該產(chǎn)品是一般用途,適用于許多不同的應(yīng)用。
制造商 ONSemiconductor制造商零件編號(hào) FDS6990A
描述 MOSFET2N-CH30V7.5A8SOIC
對(duì)無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況/對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無鉛/符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)(MSL) 1(無限)
原廠標(biāo)準(zhǔn)交貨期 9周
詳細(xì)描述 2-個(gè)-N-溝道(雙)-Mosfet-陣列-30V-7.5A-900mW-表面貼裝-8-SOIC
一般信息
數(shù)據(jù)列表 FDS6990A;標(biāo)準(zhǔn)包裝FDS6990ATR-ND;part_id=965334;ref_supplier_id=488;ref_page_event=Standard Packaging" data_ue_src="/editor/editor_member_news//uploadfile/error!" /> 2,500
包裝 標(biāo)準(zhǔn)卷帶
零件狀態(tài) 在售
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
產(chǎn)品族 晶體管-FET,MOSFET-陣列
系列 PowerTrench®
規(guī)格
FET功能 邏輯電平門
漏源電壓(Vdss) 30V
電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時(shí)) 7.5A
不同Id,Vgs時(shí)的RdsOn(最大值) 18毫歐@7.5A,10V
不同Id時(shí)的Vgs(th)(最大值) 3V@250μA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)(最大值) 17nC@5V
不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值) 1235pF@15V
功率-最大值 900mW
工作溫度 -55°C~150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 8-SOIC(0.154",3.90mm寬)
供應(yīng)商器件封裝 8-SOIC