產(chǎn)品種類: RS-422/RS-485 接口 IC
RoHS: 詳細(xì)信息
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOIC-8
系列: MAX3485E
功能: Transceiver
數(shù)據(jù)速率: 12000 kb/s
接收機(jī)數(shù)量: 1 Receiver
工作電源電壓: 3.3 V
工作電源電流: 1 mA
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 85 C
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
高度: 1.5 mm (Max)
輸入電壓: 3.3 V
長(zhǎng)度: 5 mm (Max)
輸出電流: +/- 8 mA to +/- 60 mA
輸出電壓: - 7.5 V to + 12.5 V
寬度: 4 mm (Max)
商標(biāo): Maxim Integrated
Pd-功率耗散: 727 mW
產(chǎn)品類型: RS-422/RS-485 Interface IC
傳播延遲時(shí)間: 22 ns
工廠包裝數(shù)量: 2500
MAX3485EESA子類別: Interface ICs
零件號(hào)別名: MAX3485E
單位重量: 540 mg
制造商: Maxim Integrated
產(chǎn)品種類: RS-422/RS-485 接口 IC
RoHS: 詳細(xì)信息
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOIC-8
系列: MAX3485E
功能: Transceiver
數(shù)據(jù)速率: 12000 kb/s
接收機(jī)數(shù)量: 1 Receiver
工作電源電壓: 3.3 V
工作電源電流: 1 mA
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 85 C
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
高度: 1.5 mm (Max)
輸入電壓: 3.3 V
MAX3485EESA長(zhǎng)度: 5 mm (Max)
輸出電流: +/- 8 mA to +/- 60 mA
輸出電壓: - 7.5 V to + 12.5 V
寬度: 4 mm (Max)
商標(biāo): Maxim Integrated
Pd-功率耗散: 727 mW
產(chǎn)品類型: RS-422/RS-485 Interface IC
傳播延遲時(shí)間: 22 ns
工廠包裝數(shù)量: 2500
子類別: Interface ICs
零件號(hào)別名: MAX3485E
單位重量: 540 mg
研究團(tuán)隊(duì)預(yù)期，應(yīng)用于人工智能發(fā)展與云端運(yùn)算，更可減少讀取資料的延遲時(shí)間，大幅加快演算速度，可望在未來(lái)微
縮化多功能納米元件的趨勢(shì)中，帶來(lái)革命性的突破。
根據(jù)研究資料，鐵酸鉍(BiFeO3)是在一個(gè)存儲(chǔ)單元中可同時(shí)具有高達(dá)8種邏輯狀態(tài)(0-7)的多位元存儲(chǔ)器材料，比起傳
統(tǒng)只能存儲(chǔ)0與1的單位元存儲(chǔ)器，可大幅地提升儲(chǔ)存信息的密度。
據(jù)悉，研究團(tuán)隊(duì)成功開(kāi)發(fā)新穎光學(xué)技術(shù)，可進(jìn)行非接觸性的特性控制MAX3485EESA，應(yīng)用這類材料與相關(guān)光控技術(shù)，現(xiàn)有存儲(chǔ)器體積
可被大幅地縮小，耗能也將近一步降低。
傳統(tǒng)硬盤(pán)與存儲(chǔ)器器基礎(chǔ)單位為0與1的組合，受此限制，基礎(chǔ)存儲(chǔ)單元只能靠不斷縮小元件尺寸才能提高存儲(chǔ)器密度，
在開(kāi)發(fā)上始終會(huì)達(dá)到極限。
成大團(tuán)隊(duì)教授陳宜君指出，以磁性金屬薄膜為主材料的傳統(tǒng)硬盤(pán)為例，只具有一個(gè)鐵磁有序性，用以紀(jì)錄0與1的信息。
而多鐵性材料鐵酸鉍的存儲(chǔ)單元為材料內(nèi)自發(fā)的電偶極矩與電子自旋排列方向，存儲(chǔ)單元理論上可達(dá)次納米尺度，且
可在同一點(diǎn)存在多個(gè)存儲(chǔ)狀態(tài)，即同時(shí)包含電、磁與反鐵磁有序，組合上可一次紀(jì)錄8組信息于單個(gè)儲(chǔ)存單元中。
她指出，相較于現(xiàn)今商用非揮發(fā)性存儲(chǔ)器仍有斷電長(zhǎng)時(shí)間MAX3485EESA后會(huì)損失資料的問(wèn)題，多鐵性材料的存儲(chǔ)狀態(tài)更加穩(wěn)定。
成大研究團(tuán)隊(duì)這次研究最重要的突破，在于賦予該材料全光控的優(yōu)勢(shì)，由于光是交變的電磁波，因此在傳統(tǒng)經(jīng)驗(yàn)中，
光無(wú)法對(duì)材料產(chǎn)生多組態(tài)的存儲(chǔ)調(diào)變。
研究團(tuán)隊(duì)助理教授楊展其也表示，團(tuán)隊(duì)所提出的關(guān)鍵光控技術(shù)，可利用光照產(chǎn)生的局部形變進(jìn)而控制鐵酸鉍中的多位元
存儲(chǔ)組態(tài)。利用光學(xué)寫(xiě)入技術(shù)的存儲(chǔ)器不需任何借助任何金屬電極與復(fù)雜的元件制程，充分體現(xiàn)“材料即元件”的構(gòu)想，
不只提升了信息存儲(chǔ)效益，也為新一代存儲(chǔ)器開(kāi)發(fā)帶來(lái)全新的思考方式，使該材料可被直接導(dǎo)入如量子儲(chǔ)存，量子通訊等
結(jié)合尖端光學(xué)技術(shù)的跨領(lǐng)域科技。
