OC5011是一款高端電流檢測降壓型高精度高亮度LED恒流驅(qū)動控制器。
OC5011通過一個外接電阻設(shè)定輸出電流，最大輸出電流可達5A；電流精度±3%；外圍只需很少的元件就可實現(xiàn)降壓、恒流驅(qū)動功能，并可以通過DIM引腳實現(xiàn)輝度控制功能。
系統(tǒng)采用電感電流滯環(huán)控制方式，對負載瞬變具有非�？斓捻憫�(yīng)，對輸入電壓 具有高的抑制比； 其電感電流紋波為20%，且最高工作頻率可達1MHz。
OC5011特別適合寬輸入電壓范圍的應(yīng)用，其輸入電壓范圍從5.5V到40V。
OC5011內(nèi)置過溫保護電路，當芯片達到過溫保護點，系統(tǒng)立即進入過溫保護模式，將降低輸入電流以提高系統(tǒng)可靠性。
OC5011特別內(nèi)置了一個LDO，其輸
出電壓為5V， 最大可提供5mA電流輸出。
OC5011采用小的SOT23-6封裝。
特點：
◆最大輸出電流：5A
◆高效率：96%
◆高端電流檢測
◆最大輝度控制頻率：5KHz
◆滯環(huán)控制，無需環(huán)路補償
◆最高工作頻率：1MHz
◆電流精度：±3%
◆寬輸入電壓：5.5V~40V
◆過溫保護
◆低壓差工作時，可保持高穩(wěn)定性
應(yīng)用領(lǐng)域：
◆建筑、工業(yè)、環(huán)境照明
◆MR16及LED燈
◆汽車照明
升壓恒流:
OC6701 3.2～100V 大于輸入電壓2V以上即可3A以內(nèi)
OC6700 3.2～60V 大于輸入電壓2V以上即可 2A以內(nèi)
OC6702 3.2～100V 大于輸入電壓2V以上即可 1A以內(nèi)
降壓恒流:
OC5021 3.2～100V最少低于輸出電壓1V以上就可以正常工作5A以內(nèi)
OC5020 3.2～100V最少低于輸出電壓1V以上就可以正常工作 2A以內(nèi)
OC5022 3.2～60V 最少低于輸出電壓1V以上就可以正常工作 3A以內(nèi)
OC5028 3.2～100V 最少低于輸出電壓1V以上就可以正常工作1.5A以內(nèi)
OC5011 5～40V 最少低于輸出電壓1V以上就可以正常工作5A以內(nèi)
OC5010 5～40V 最少低于輸出電壓1V以上就可以正常工作2A以內(nèi)
LED DRIVER DC-DC升降壓恒流
OC4001 5～100V 3.2～100V 3A
LED DRIVER DC-DC線性降壓恒流
OC7135 2.5-7V 低于等于輸入電壓即可固定<400mA
OC7131 2.5-7V 低于等于輸入電壓即可 可外擴，實際電流決定于MOS管功耗
OC7130 2.5-30V 低于等于輸入電壓即可 實際電流決定于IC整體耗散功率
LED DRIVER DC-DC降壓恒流專用IC系列：LED遠近光燈專用芯片
OC5200 3.2～100V最少低于輸出電壓1V以上就可以正常工作 2A以內(nèi)
OC5208 3.2～100V最少低于輸出電壓1V以上就可以正常工作 1.5A以內(nèi)
LED DRIVER DC-DC降壓恒流專用IC系列：多功能LED手電筒專用芯片
OC5351 3.2～100V最少低于輸出電壓1V以上就可以正常工作5A以內(nèi)
OC5331 3.2～100V最少低于輸出電壓1V以上就可以正常工作 5A以內(nèi)
DC-DC降壓恒壓
OC5801 8～100V最少低于輸出電壓5V以上就可以正常工作 3A以內(nèi)
OC5800 8～100V最少低于輸出電壓5V以上就可以正常工作2A以內(nèi)
6月20日，據(jù)DIGITIMES報道，由于2019年上半年DRAM價格下跌面臨沉重壓力，雖然目前由于產(chǎn)能調(diào)節(jié)及正處于市場旺季，致使DRAM需求有所提升，但為了能夠提升生產(chǎn)效益及拉開競爭差距，眾多DRAM大廠已經(jīng)開始競相研制下一代工藝制程。
由于半導體制程的越來越精細，摩爾定律已經(jīng)開始受到嚴重沖擊，同時越小的制程其所面臨的物理制約將越大，制作也將更加困難。而EUV(極紫外光刻)是一種可以波長為10~14nm的極紫外光作為光源的光刻技術(shù)，而荷蘭ASML公司所產(chǎn)的EUV光刻機便是其中的代表，不過其售價通常高達1億美元以上。
三星電子已經(jīng)率先宣布將在今年11月份采用EUV技術(shù)制作1znm的DRAM，同時美光、SK海力士都已經(jīng)在考慮評估EUV設(shè)備的需求。由于EUV光刻機高昂的售價，如果這些廠商開始采用EUV技術(shù)將DRAM推入1znm制程，那么將極大提升該領(lǐng)域的準入門檻。
不過這種選擇顯然也是無奈之舉，如今隨著DRAM市場價格不斷走低，即使廠商已經(jīng)通過縮減產(chǎn)量來減少DRAM的供應(yīng)，但仍然無法有效制止價格繼續(xù)下滑。有供應(yīng)鏈從業(yè)者透露，今年第二季度DRAM顆粒報價已經(jīng)逼近制造原廠的成本邊緣，中小型廠商獲利將更為困難，因此選擇繼續(xù)縮小制程來達到節(jié)省成本及獲取利潤將成為廠商目前的最佳選擇。
1znm級工藝屬于第三代10nm級工藝，但這不代表10nm工藝制程。目前10nm級工藝主要被分為1xnm、1ynm、1znm等，這是由于DRAM在提升小于20nm的制程變得非常困難，因此DRAM內(nèi)存工藝的線寬指標不再那么精確，而1znm代表工藝制程大概在12~14nm，后續(xù)還有1αnm、1βnm等。
目前在DRAM領(lǐng)域中保持優(yōu)勢的三星表示，其1znm DRAM即使在不使用EUV設(shè)備的情況下，仍然可以比如今的1ynm DRAM的產(chǎn)能提升20%，同時在速度及功耗上都有所提升，因此在今年9月份便會正式啟動1znm DRAM的量產(chǎn)進度。
不過三星也在近期表示，在11月份采用EUV設(shè)備制作的1znm DRAM初期將與韓國華城17產(chǎn)線與晶圓代工廠共用EUV光刻機，隨后平澤工廠也將啟動EUV DRAM的量產(chǎn)，這將表示三星DRAM工藝將正式引入EUV技術(shù)。
除三星以外，SK海力士也在韓國利川縣的DRAM工廠中研發(fā)在DRAM中采用EUV技術(shù)進行生產(chǎn)。有業(yè)內(nèi)人士預(yù)估，SK海力士在2019年所有DRAM產(chǎn)品中，將有超過半數(shù)屬于10nm級DRAM。
而美光也在今年上半年宣布將把DRAM技術(shù)推向1znm制程。但此前美光曾表示即使到了1αnm及1βnm工藝節(jié)點上，也沒有必要使用EUV技術(shù)，不過如今態(tài)度發(fā)生大轉(zhuǎn)變，或許由于目前DRAM市場下行，必須藉由提高性能與降低單位成本來鞏固產(chǎn)業(yè)競爭力。
不過隨著眾多DRAM大廠陸續(xù)進軍1znm制程，也將對中國DRAM產(chǎn)業(yè)造成一定影響。目前中國DRAM生產(chǎn)廠商的代表為合肥長鑫及福建晉華，以合肥長鑫為例，該公司計劃在2021年完成對17nm工藝技術(shù)的研發(fā)，即國產(chǎn)1xnm工藝將在2021年完成，這與國際主流DRAM廠商相比還有5年左右的差距。
但目前由于EUV設(shè)備非常昂貴，并且EUV光刻機技術(shù)目前只掌握在荷蘭ASML公司手中，即使資金充足也無法立即買到，目前只有中芯國際、華虹等少數(shù)廠商能夠買到，因此未來還需看我國自己的光刻機技術(shù)能夠跟上才行。不過由于目前三星已經(jīng)開始推進1znm工藝制程，后續(xù)進入1αnm制程將更加困難，或許將很難維持一年一個工藝制程的進度，而這也將是國內(nèi)廠商縮小差距的時機。
