使用先進(jìn)技術(shù)實(shí)現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的低RON特性。東芝提供符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的2 mm x 2 mm和2.9 mm x 2.8 mm封裝，可為智能手機(jī)和可穿戴設(shè)備等電池供電設(shè)備中的MOSFET提供低損耗和緊湊尺寸。
東芝采用先進(jìn)的溝槽工藝，使其單元結(jié)構(gòu)小型化，以實(shí)現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的低RON。與老一代工藝相比，最新一代溝槽工藝Pch7和Nch9成功地將每單位面積的導(dǎo)通電阻降低了70％。它有效降低傳導(dǎo)損失。
低損耗和緊湊的半導(dǎo)體器件對(duì)于降低電源系統(tǒng)和移動(dòng)應(yīng)用（如快速充電和USB PD）的功耗至關(guān)重要。例如，SSM6K513NU是采用東芝先進(jìn)技術(shù)的MOSFET，與實(shí)際機(jī)器測(cè)試中的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手相比，假設(shè)供電電流為5A，它可以實(shí)現(xiàn)極低的導(dǎo)通電阻和降低的溫升，導(dǎo)致傳導(dǎo)損耗降低27％。
特征 低導(dǎo)通電阻：4.5 V時(shí)為12mΩ至105mΩ 寬電壓額定值陣容：VDSS= -20 V至100 V. 應(yīng)用 物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備 移動(dòng)設(shè)備 N溝道
