圖1：SK海力士NAND產(chǎn)品發(fā)展路線圖
多級存儲器最終達到5bit/cell 在當(dāng)天的FMS會上，讓人驚訝的是，東芝存儲也宣布了兩項基本技術(shù)來提高3D NAND閃存的存儲密度。
圖2：通過東芝存儲的QLC（4位/單元）技術(shù)分配閾值電壓。
圖2：
通過東芝存儲的QLC（4位/單元）技術(shù)分配
閾值電壓
一種是多值存儲技術(shù)。該公司宣布將開發(fā)“PLC技術(shù)”，將5位數(shù)據(jù)存儲在一個存儲單元中。這聽起來是一個令在場聽眾超級震驚的消息。
圖3：東芝存儲公司推出的PLC（5位/單元）技術(shù)的閾值電壓分布。
傳統(tǒng)的多級存儲系統(tǒng)通常是QLC（四級單元）技術(shù)，其將4位數(shù)據(jù)存儲在一個存儲器單元中。在QLC技術(shù)中，在一個存儲器單元中寫入15級的閾值電壓。相鄰閾值電壓之間的差異很小并且調(diào)整非常困難。因此，QLC技術(shù)被認為是多級存儲的限制。 然而，東芝存儲已經(jīng)打破了這種信念。他們已經(jīng)展示了當(dāng)在一個存儲器單元中寫入31個閾值電壓時的實驗結(jié)果。東芝聯(lián)合開發(fā)合作伙伴Western Digital也展示了一個包含5位/單元的多級內(nèi)存。順便說一句，將QLC更改為PLC會使內(nèi)存密度增加25％。
圖4：Western Digital的多級存儲方法解釋幻燈片。
圖4：
Western Digital的多級存儲方法解釋幻燈片。
雙倍內(nèi)存密度的終極方法 另一種技術(shù)是通過將存儲器單元的字線分成兩半來將每個存儲器通孔的存儲器單元數(shù)量加倍。盡管很難制造，但存在原則上存儲密度加倍的優(yōu)勢。 東芝存儲展示了電荷陷阱（CT）單元和浮柵（FG）單元的橫截面觀察圖像，其中字線被分成兩半。
圖5：通過將存儲器單元字線分成兩半來將存儲器密度加倍。左邊是概念。右邊是原型單元結(jié)構(gòu)和橫截面觀察圖像。
圖5：
通過將存儲器單元字線分成兩半來將存儲器密度加倍。
左邊是概念。
右邊是原型單元結(jié)構(gòu)和橫截面觀察圖像。
3D NAND閃存主要供應(yīng)商開發(fā)的意愿似乎根本沒有削弱。毫無疑問，超高層，多值存儲和存儲器單元劃分是極其困難的技術(shù)。不過，可以說這個行業(yè)別無選擇，只能去做。
LM2902DR
LM324ADR
LM324DR
LM1881MX
LM258DR
LM2594M-3.3
LM2594M-5.0
LM2594M-ADJ
LM2594MX-3.3
LM2594MX-5.0
LM2594MX-ADJ
LM2902DR
LM2903DR
LM293ADR
LM293DR
LM324ADR
LM331MX
LM358ADR
LM358DR
LM358MX
LM385MX-1.2
LM385MX-2.5
LM386MX-1
LM393DR
LM4871MX
LM4871MX/NOPB
LMC555CM
LMV358IDGKR
LMV358IDR
LMV358MMX
LMV358MX
LMV722MX
LMV822MX
LM1117IMPX-3.3
LM1117IMPX-5.0
LM1117IMPX-ADJ
LM1117MPX-1.8
LM1117MPX-2.5
LM1117MPX-3.3
LM1117MPX-5.0
LM1117MPX-ADJ
LM317AEMP
LM317AEMPX
LM317EMPX
LM340MPX-5.0
LM3940IMPX-3.3
LM385M3X-1.2
LM385M3X-2.5
LM431CIM3X
LM1084IT-3.3
LM1084IT-5.0
LM1084IT-ADJ
LM1085IT-3.3
LM1085IT-5.0
LM1085IT-ADJ
LM1086IT-3.3
LM1086IT-5.0
LM1086IT-ADJ
LM1875T
LM2575T-12
LM2575T-3.3
LM2575T-5.0
LM2575T-ADJ
LM2576HVT-12
LM2576HVT-5.0
LM2576HVT-ADJ
LM2576T-12
LM2576T-3.3
LM2576T-5.0
LM2576T-ADJ
LM2596T-12
LM2596T-3.3
LM2596T-5.0
LM2596T-ADJ
LM2940CT-5.0
LM2940T-5.0
LM317T
LM317T/NOPB
LM7805CT
LM7808CT
LM7809CT
LM7812CT
LM7815CT
LM317AMDTX
LM317MDTX
LM1084IS-3.3
LM1084IS-5.0
LM1084IS-ADJ
LM1084ISX-3.3
LM1084ISX-5.0
LM1084ISX-ADJ
LM1085IS-3.3
LM1085IS-5.0
LM1085IS-ADJ
LM1085ISX-3.3
LM1085ISX-5.0
LM1085ISX-ADJ
LM1086IS-3.3
LM1086IS-5.0
LM1086IS-ADJ
LM1086ISX-3.3
LM1086ISX-5.0
LM1086ISX-ADJ
LM2575S-12
LM2575S-3.3
LM2575S-5.0
LM2575S-ADJ
LM2575SX-12
LM2575SX-3.3
LM2575SX-5.0
LM2575SX-ADJ
LM2576HVS-12
LM2576HVS-5.0
LM2576HVS-ADJ
LM2576HVSX-12
LM2576HVSX-5.0
LM2576HVSX-ADJ
LM2576S-12
LM2576S-3.3
LM2576S-5.0
LM2576S-ADJ
LM2576SX-12
LM2576SX-3.3
LM2576SX-5.0
LM2576SX-ADJ
LM2595S-3.3
LM2595S-5.0
LM2595S-ADJ
LM2596S-12
LM2596S-3.3
LM2596S-5.0
LM2596S-ADJ
LM2596SX-12
LM2596SX-3.3
LM2596SX-5.0
LM2596SX-ADJ
LM2940CS-5.0
LM2940CSX-5.0
LM2940S-5.0
LM2940SX-5.0
LM317S
LM317SX
LM3940IS-3.3
LM2576S-3.3
LM285Z-1.2
LM285Z-2.5
LM336Z-2.5
LM336Z-5.0
LM385Z-1.2
LM385Z-2.5
公司：深圳振華航空半導(dǎo)體有限公司
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