一般說(shuō)明：MT48LC16M16A2P-6A:G
256Mb SDRAM是一個(gè)高速CMOS，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器268,435,456位。它在內(nèi)部配置為具有同步的四存儲(chǔ)體DRAM接口（所有信號(hào)都記錄在時(shí)鐘信號(hào)的上升沿，CLK）。x4的67,108,864位存儲(chǔ)體中的每一個(gè)被組織為8192行乘2048列乘4位。每個(gè)x8的67,108,864位存儲(chǔ)區(qū)組織為8192行×1024列8位。 x16的67,108,864位存儲(chǔ)體中的每一個(gè)被組織為8192行×512列按16位。
對(duì)SDRAM的讀寫訪問(wèn)是面向突發(fā)的;訪問(wèn)從選定的開始定位并繼續(xù)編程序列中的編程數(shù)量的位置。訪問(wèn)從注冊(cè)ACTIVE命令開始，然后遵循通過(guò)READ或WRITE命令。注冊(cè)的地址位與ACTIVE命令用于選擇要訪問(wèn)的存儲(chǔ)體和行（BA [1：0]選擇銀行; A [12：0]選擇行）。注冊(cè)的地址位與READ或。一致WRITE命令用于選擇突發(fā)訪問(wèn)的起始列位置。SDRAM提供1,2,4或8的可編程讀或?qū)懲话l(fā)長(zhǎng)度（BL）具有突發(fā)終止選項(xiàng)的位置或整頁(yè)。自動(dòng)預(yù)充電功能可以啟用以提供在時(shí)間結(jié)束時(shí)啟動(dòng)的自定時(shí)行預(yù)充電突發(fā)序列。256Mb SDRAM采用內(nèi)部流水線架構(gòu)，可實(shí)現(xiàn)高速運(yùn)行。該體系結(jié)構(gòu)與預(yù)取體系結(jié)構(gòu)的2n規(guī)則兼容，但它還允許在每個(gè)時(shí)鐘周期更改列地址以實(shí)現(xiàn)高速，完全隨機(jī)訪問(wèn)。訪問(wèn)一個(gè)銀行，同時(shí)訪問(wèn)另一個(gè)銀行三家銀行將隱藏PRECHARGE周期并提供無(wú)縫，高速，隨機(jī)訪問(wèn)操作。256Mb SDRAM設(shè)計(jì)用于3.3V內(nèi)存系統(tǒng)。自動(dòng)刷新提供模式，以及省電，省電模式。所有輸入和輸出
與LVTTL兼容。SDRAM在DRAM運(yùn)行性能方面取得了重大進(jìn)步，包括使用自動(dòng)列地址以高數(shù)據(jù)速率同步突發(fā)數(shù)據(jù)的能力生成，內(nèi)部庫(kù)之間交錯(cuò)以隱藏預(yù)充電時(shí)間的能力，以及在突發(fā)期間在每個(gè)時(shí)鐘周期隨機(jī)改變列地址的能力訪問(wèn)。
特征：MT48LC16M16A2P-6A:G
•符合PC100-和PC133標(biāo)準(zhǔn)
•完全同步;所有信號(hào)均以正數(shù)登記
系統(tǒng)時(shí)鐘的邊緣
•內(nèi)部流水線操作;列地址可以
每個(gè)時(shí)鐘周期都要改變
•內(nèi)部銀行用于隱藏行訪問(wèn)/預(yù)充電
•可編程突發(fā)長(zhǎng)度：1,2,4,8或整頁(yè)
•自動(dòng)預(yù)充電，包括并發(fā)自動(dòng)預(yù)充電
和自動(dòng)刷新模式
•自刷新模式（AT設(shè)備不可用）
•自動(dòng)刷新
- 64ms，8192周期刷新（商業(yè)和
產(chǎn)業(yè)）
- 16ms，8192周期刷新（汽車）
•兼容LVTTL的輸入和輸出
•單3.3V±0.3V電源
制造商:MT48LC16M16A2P-6A:G
Micron Technology
產(chǎn)品種類:
動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器
RoHS:
詳細(xì)信息
類型:
SDRAM
數(shù)據(jù)總線寬度:
16 bit
組織:
16 M x 16
封裝 / 箱體:
TSOP-54
存儲(chǔ)容量:
256 Mbit
最大時(shí)鐘頻率:
167 MHz
電源電壓-最大:
3.6 V
電源電壓-最小:
3 V
電源電流—最大值:
135 mA
最小工作溫度:
0 C
最大工作溫度:
+ 70 C
系列:
MT48LC
封裝:
Tray
商標(biāo):
Micron
安裝風(fēng)格:
SMD/SMT
濕度敏感性:
Yes
產(chǎn)品類型:
DRAM
工廠包裝數(shù)量:
1080
子類別:
Memory & Data Storage
單位重量:
820 mg
