FM25L16B-GTR是一個(gè)16 kbit的非易失性存儲(chǔ)器先進(jìn)的鐵電的過(guò)程。鐵電隨機(jī)存取內(nèi)存或F-RAM是非易失性的，執(zhí)行讀和寫類似于公羊。它提供了151年的可靠數(shù)據(jù)保存同時(shí)消除復(fù)雜性、開(kāi)銷和系統(tǒng)級(jí)別由串行閃光、EEPROM等引起的可靠性問(wèn)題非易失性記憶。與串行閃存和EEPROM不同
FM25L16B-GTR執(zhí)行寫操作以總線速度運(yùn)行。沒(méi)有發(fā)生寫延遲。數(shù)據(jù)是在每個(gè)字節(jié)之后立即寫入內(nèi)存數(shù)組成功轉(zhuǎn)移到設(shè)備上。下一輛公共汽車可以開(kāi)始不需要進(jìn)行數(shù)據(jù)輪詢。此外,
與其他產(chǎn)品相比，該產(chǎn)品具有強(qiáng)大的寫持久性非易失性記憶。
FM25L16B-GTR能夠支持1014個(gè)讀/寫周期，或者1億次以上的寫周期eepm。這些功能使FM25L16B-GTR成為非易失性的理想選擇需要頻繁或快速寫入的內(nèi)存應(yīng)用程序。例子的范圍從數(shù)據(jù)收集，其中寫入的數(shù)目周期可能是關(guān)鍵，要求工業(yè)控制的地方串行閃存或EEPROM寫入時(shí)間長(zhǎng)會(huì)導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失。
FM25L16B-GTR為串行用戶提供了大量的好處EEPROM或flash作為硬件替代。
FM25L16B-GTR采用高速SPI總線，提高了系統(tǒng)的可靠性F-RAM技術(shù)的高速寫入能力。該設(shè)備規(guī)格在工業(yè)溫度下保證一系列 –40 °C , +85 °C.有關(guān)文檔的完整列表，請(qǐng)單擊此處
特征
邏輯上16 kbit鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(F-RAM)
組織形式為2K×8
❐high endurance 100萬(wàn)億(1014)讀/寫
❐151年數(shù)據(jù)保留(見(jiàn)數(shù)據(jù)保留和
耐力表)
❐NoDelay™寫道
❐先進(jìn)的高鐵電的過(guò)程
■非�？斓拇型鈬涌�(SPI)
❐20 MHz的頻率
硬件代替串行flash和eepm❐直接
❐支持SPI模式0(0,0)和模式3 (1)
■完善的寫保護(hù)方案
❐硬件保護(hù)使用寫保護(hù)(WP)銷
使用寫禁用指令❐軟件保護(hù)
❐軟件塊保護(hù)1/4、1/2或整個(gè)數(shù)組
■低功耗
在 1 MHz ❐ 200 mA 有功 電流
❐ 3 mA (typ) 待機(jī) 電流
■低壓運(yùn)行:VDD = 2.7 V ~ 3.6 V
■ Industrial temperature: –40 °C , +85 °C
■包
❐有小輪廓集成電路(SOIC)包
❐有薄雙平?jīng)]有領(lǐng)導(dǎo)(DFN)包
■符合RoHS的有害物質(zhì)限制
制造商： Cypress Semiconductor
說(shuō)明：
F-RAM 16Kb Serial SPI 3V FRAM
制造商: Cypress Semiconductor
產(chǎn)品種類: F-RAM
RoHS: 詳細(xì)信息
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOIC-8
存儲(chǔ)容量: 16 kbit
接口類型: SPI
組織: 2 k x 8
電源電壓-最小: 2.7 V
電源電壓-最大: 3.6 V
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 85 C
系列: FM25L16B-G
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
商標(biāo): Cypress Semiconductor
濕度敏感性: Yes
工作電源電壓: 3.3 V
產(chǎn)品類型: FRAM
工廠包裝數(shù)量: 2500
子類別: Memory & Data Storage
單位重量: 540 mg
