P溝道12 V（D-S）MOSFET
特征：SI2333DDS-T1-GE3
•TrenchFET®功率MOSFET
•100％Rg測(cè)試
•材料分類：
應(yīng)用：SI2333DDS-T1-GE3
•智能手機(jī)和平板電腦
- 負(fù)載開(kāi)關(guān)
- 電池開(kāi)關(guān)
制造商:SI2333DDS-T1-GE3
Vishay
產(chǎn)品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細(xì)信息
技術(shù):
Si
安裝風(fēng)格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
SOT-23-3
通道數(shù)量:
1 Channel
晶體管極性:
P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
12 V
Id-連續(xù)漏極電流:
6 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:
23 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:
1 V
Vgs - 柵極-源極電壓:
8 V
Qg-柵極電荷:
35 nC
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
1.7 W
配置:
Single
通道模式:
Enhancement
商標(biāo)名:
TrenchFET
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
封裝:
Reel
高度:
1.45 mm
長(zhǎng)度:
2.9 mm
系列:
SI2
晶體管類型:
1 P-Channel
寬度:
1.6 mm
商標(biāo):
Vishay / Siliconix
正向跨導(dǎo) - 最小值:
18 S
下降時(shí)間:
20 ns
產(chǎn)品類型:
MOSFET
上升時(shí)間:
24 ns
工廠包裝數(shù)量:
3000
子類別:
MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:
45 ns
典型接通延遲時(shí)間:
26 ns
單位重量:
8 mg
