RU40120M

RU40120M

,全新原裝現(xiàn)貨0755-82732291當(dāng)天發(fā)貨或門(mén)市自取.原廠(chǎng)直供代理銷(xiāo)售現(xiàn)貨供應(yīng)RUICHIPS全系列產(chǎn)品.

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RUH30J30M DFN5060
RUH30J51M DFN5060
RUH3051M DFN5060
RUH3051L TO-252
RUH3051H SOP-8
RUH3051M2 DFN3333

RU1HP60RTO-220RUH30100M DFN5060
RUH3090L TO-252
RUH3090M DFN5060
RUH3090M-C DFN5060
RUH30120M DFN5060
RUH30120M-C DFN5060
RU2030M2DFN3333

RU20D40M3DFN3030
RUICHIPS專(zhuān)業(yè)從事功率集成電路、功率器件系列的設(shè)計(jì)及半導(dǎo)體微電子相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)；生產(chǎn)規(guī)模不斷擴(kuò)大，產(chǎn)品涵蓋了MOSFET、IC、開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓管等。
我們的大電流，大功率，超低阻抗，超快速開(kāi)關(guān)MOS ，擬填補(bǔ)國(guó)內(nèi)空白，在其他產(chǎn)業(yè)也都有廣泛的應(yīng)用（如：電源，UPS,SMPS,Battery,逆變器，功放，各類(lèi)消費(fèi)類(lèi)電子）。
公司也積極的部署IGBT /CMOS產(chǎn)品的研發(fā)，在電源管理芯片方面已流片成功CMOS 工藝為制程的16路恒流源，最小線(xiàn)寬0.35UM，以及各類(lèi)開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓管、各種低壓差線(xiàn)性穩(wěn)壓器。產(chǎn)品具備高驅(qū)動(dòng)能力、集成度高、體積小而且環(huán)保節(jié)能的優(yōu)點(diǎn)，主要應(yīng)用于LED驅(qū)動(dòng)，未來(lái)還將在A(yíng)C-DC、DC-DC方面加大研發(fā)力，提供一個(gè)具有成本效益的新一代大功率大電流MOSFET，同時(shí)也為客戶(hù)提供定制的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。依托于持之以恒的研發(fā)投入，RUICHIPS一直在穩(wěn)定、持續(xù)、快速的發(fā)展，為客戶(hù)提供優(yōu)質(zhì)、創(chuàng)新、低成本的集成電路產(chǎn)品和應(yīng)用系統(tǒng)。
Ruichips是一家專(zhuān)注從事功率半導(dǎo)體研發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售的高新技術(shù)企業(yè)，在適配器快充、移動(dòng)快充、車(chē)充、電機(jī)控制、新能源、逆變、鋰電保護(hù)等應(yīng)用領(lǐng)域均占有領(lǐng)先地位，RUICHIPS致力于新產(chǎn)品研發(fā)，持續(xù)更新/優(yōu)化新工藝、新技術(shù)，現(xiàn)有Trench MOSFET/SGT MOSFET/Super Junction MOSFET三大類(lèi)產(chǎn)品線(xiàn)、數(shù)百種型號(hào)，累計(jì)獲得國(guó)家發(fā)明專(zhuān)利18項(xiàng)，尤其是RUICHIPS獨(dú)創(chuàng)的TO-220內(nèi)絕緣封裝技術(shù)，徹底解決了終端客戶(hù)在散熱和裝配上的技術(shù)難點(diǎn)。
MOS管，是MOSFET的縮寫(xiě)。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。
般是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱(chēng)是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。G：gate 柵極；S：source 源極；D：drain 漏極。MOS管的source（源極）和drain（耗盡層）是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱(chēng)的。
場(chǎng)效應(yīng)管分為PMOS管和NMOS管，屬于絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。
PMOS是指n型襯底、p溝道，靠空穴的流動(dòng)運(yùn)送電流的MOS管。全稱(chēng) ： positive channel Metal Oxide Semiconductor；別名 ： positive MOS。
金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類(lèi)， P溝道硅MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩個(gè)P+區(qū)，分別叫做源極和漏極，兩極之間不通導(dǎo)，源極上加有足夠的正電壓(柵極接地)時(shí)，柵極下的N型硅表面呈現(xiàn)P型反型層，成為連接源極和漏極的溝道。改變柵壓可以改變溝道中的空穴密度，從而改變溝道的電阻。這種MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管稱(chēng)為P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。如果N型硅襯底表面不加?xùn)艍壕鸵汛嬖赑型反型層溝道，加上適當(dāng)?shù)钠珘�，可使溝道的電阻增大或減小。這樣的MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管稱(chēng)為P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。統(tǒng)稱(chēng)為PMOS晶體管。
P溝道MOS晶體管的空穴遷移率低，因而在MOS晶體管的幾何尺寸和工作電壓絕對(duì)值相等的情況下，PMOS晶體管的跨導(dǎo)小于N溝道MOS晶體管。此外，P溝道MOS晶體管閾值電壓的絕對(duì)值一般偏高，要求有較高的工作電壓。它的供電電源的電壓大小和極性，與雙極型晶體管——晶體管邏輯電路不兼容。PMOS因邏輯擺幅大，充電放電過(guò)程長(zhǎng)，加之器件跨導(dǎo)小，所以工作速度更低，在NMOS電路(見(jiàn)N溝道金屬—氧化物—半導(dǎo)體集成電路)出現(xiàn)之后，多數(shù)已為NMOS電路所取代。只是，因PMOS電路工藝簡(jiǎn)單，價(jià)格便宜，有些中規(guī)模和小規(guī)模數(shù)字控制電路仍采用PMOS電路技術(shù)。
MOSFET共有三個(gè)腳，一般為G、D、S，通過(guò)G、S間加控制信號(hào)時(shí)可以改變D、S間的導(dǎo)通和截止。PMOS和NMOS在結(jié)構(gòu)上完全相像，所不同的是襯底和源漏的摻雜類(lèi)型。簡(jiǎn)單地說(shuō)，NMOS是在P型硅的襯底上，通過(guò)選擇摻雜形成N型的摻雜區(qū)，作為NMOS的源漏區(qū)；PMOS是在N型硅的襯底上，通過(guò)選擇摻雜形成P型的摻雜區(qū)，作為PMOS的源漏區(qū)。兩塊源漏摻雜區(qū)之間的距離稱(chēng)為溝道長(zhǎng)度L，而垂直于溝道長(zhǎng)度的有效源漏區(qū)尺寸稱(chēng)為溝道寬度W。對(duì)于這種簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)，器件源漏是完全對(duì)稱(chēng)的，只有在應(yīng)用中根據(jù)源漏電流的流向才能最后確認(rèn)具體的源和漏。
PMOS的工作原理與NMOS相類(lèi)似。因?yàn)镻MOS是N型硅襯底，其中的多數(shù)載流子是電子，少數(shù)載流子是空穴，源漏區(qū)的摻雜類(lèi)型是P型，所以，PMOS的工作條件是在柵上相對(duì)于源極施加負(fù)電壓，亦即在PMOS的柵上施加的是負(fù)電荷電子，而在襯底感應(yīng)的是可運(yùn)動(dòng)的正電荷空穴和帶固定正電荷的耗盡層，不考慮二氧化硅中存在的電荷的影響，襯底中感應(yīng)的正電荷數(shù)量就等于PMOS柵上的負(fù)電荷的數(shù)量。當(dāng)達(dá)到強(qiáng)反型時(shí)，在相對(duì)于源端為負(fù)的漏源電壓的作用下，源端的正電荷空穴經(jīng)過(guò)導(dǎo)通的P型溝道到達(dá)漏端，形成從源到漏的源漏電流。同樣地，VGS越負(fù)(絕對(duì)值越大)，溝道的導(dǎo)通電阻越小，電流的數(shù)值越大。
與NMOS一樣，導(dǎo)通的PMOS的工作區(qū)域也分為非飽和區(qū)，臨界飽和點(diǎn)和飽和區(qū)。當(dāng)然，不論NMOS還是PMOS，當(dāng)未形成反型溝道時(shí)，都處于截止區(qū)，其電壓條件是：
VGS
|VGS|>|VTP (PMOS)|，
值得注意的是，PMOS的VGS和VTP都是負(fù)值。
PMOS集成電路是一種適合在低速、低頻領(lǐng)域內(nèi)應(yīng)用的器件。PMOS集成電路采用-24V電壓供電。
MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有很高的輸入阻抗，在電路中便于直接耦合，容易制成規(guī)模大的集成電路 [1] 。

2

RU80N15R TO-220
RU80N15S TO-263
RU80N15Q TO-247
RU120N15R TO-220
RU120N15Q TO-247
RU1Z120R TO-220
RU1Z121R TO-220
RU1Z150R TO-220
RU1Z150S TO-263
RU1Z200Q TO-247
RU2HE2D SOT223
RU2HE5L TO-252
RU2H30R TO-220
RU2H30S TO-263
RU2H30Q TO-247

RU1H220Q TO-247
RU1H221R TO-220
RU1H221Q TO-247
RU1H300Q TO-247
RU1H301Q TO-247
RU12150Q TO-247
RU12150R TO-220
RU12200R TO-220
RU1Z40L TO-252

其他現(xiàn)貨產(chǎn)品還有：
SI4463-C2A-GMR
BUK9277，TO-252
FQD7P20TM，TO-252
HHC67E-1H-24VDC
SN54LS298J
TPS2412D
Q2015LT
L03S200D15
EPM3256ATC144-7
產(chǎn)品種類(lèi): CPLD - 復(fù)雜可編程邏輯器件
RoHS: N
產(chǎn)品: MAX 3000A
大電池?cái)?shù)量: 256
邏輯數(shù)組塊數(shù)量——LAB: 16
最大工作頻率: 126.6 MHz
傳播延遲—最大值: 7.5 ns
輸入/輸出端數(shù)量: 116 I/O
工作電源電壓: 3.3 V
最小工作溫度: 0 C
最大工作溫度: + 70 C
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TQFP-144
封裝: Tray
存儲(chǔ)類(lèi)型: EEPROM
系列: EPM3256
商標(biāo): Intel / Altera
柵極數(shù)量: 5000
濕度敏感性: Yes
產(chǎn)品類(lèi)型: CPLD - Complex Programmable Logic Devices
工廠(chǎng)包裝數(shù)量: 60
子類(lèi)別: Programmable Logic ICs
電源電壓-最大: 3.6 V

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AD7862BRZ-3

產(chǎn)品種類(lèi): 模數(shù)轉(zhuǎn)換器 - ADC
RoHS: 詳細(xì)信息
系列: AD7862
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOIC-28
分辨率: 12 bit
通道數(shù)量: 4 Channel
采樣比: 250 kS/s
輸入類(lèi)型: Single-Ended
接口類(lèi)型: Parallel
結(jié)構(gòu): SAR
參考類(lèi)型: External， Internal
SNR – 信噪比: 71 dB
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 85 C
封裝: Tube
高度: 2.35 mm
輸入電壓: +/- 2.5 V
長(zhǎng)度: 18.1 mm
轉(zhuǎn)換器數(shù)量: 2 Converter
功耗: 60 mW
類(lèi)型: S/H ADC
寬度: 7.6 mm
商標(biāo): Analog Devices
DNL - 微分非線(xiàn)性: +/- 1 LSB
增益誤差: +/- 3 LSB
INL - 積分非線(xiàn)性: +/- 1 LSB
濕度敏感性: Yes
ADC 輸入端數(shù)量: 4 Input
工作電源電壓: 5 V
Pd-功率耗散: 75 mW
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GRM21BC8YA106KE11L
CL10B106KB8NC
CL10B104KB8NC
HY19P03D
0603WAJ0103T5E
0603WAF5601T5E
SH79F084A
PH-5A
10A10
CS172125
CD110 100uF/50V
CL10B102KB8NC
CL10B105KB8NC
SK154
BAV70
IN4148
MMBT3904
MMBT3906
HY19P03D
2N7002
0603WAJ1003T5E
0603WAJ0472T5E
AD7862ARZ-3，SOP28
AD7862AR-3，SOP28
AD7862ARZ-2，SOP28
AD7863AR-3，SOP28
AD7862ARZ-10，SOP28
0603WAJ0101T5E
RU30P4B
RU3089L
S3F9498XZZ-AO98
RPM882-H12E4A
RU3040M2
V23079-A1006-B201
0603WAF4702T5E
EPM3256ATC144-7 ，QFP144
0603WAJ0102T5E
HY1607P
1206W4F0R20T5E
1206W4J68R0T5E
78L05
D203S

HY1106S

V23079-C1101-B301
CS5528-ASZ，SSOP-24
SN54LS240J
SGL8023W
HOA1874-12
AD73422BB-80
ADG619BRMZ
OPA847IDBVR，SOT23-6
AON7520
FSDM07652
BZX84-B16
SN54LS240J
R1LP0108ESP-5SI
MT3245
AD7740KRMZ
CBJ2510
G6B-1114P-FD-US-24V
BTW691200
NCE01H14
AD7740KRMZ-REEL7
SST25VF016B-75-4I-S2AF
HL6545MG
STM32F101C6T6A
MB15F07SLPFV1
VLA517-01R
S3C2440A40
PCF7942AT/011
G6B-2014P-FD-US-12V
CD40106BD
704.032.518
BUK9277-55A，TO-252
HYG260P03LR1S
TQ2SA-3V
G6B-2114P-FD-US-12V
IAC-5

IACM-5

704.032.218
NRF2401A
G6B-2014P-FD-US-12V
HMC274QS16
MDS501628B
MSP430F135IPM
AK4452VN，QFN32
VS3604AT
NE555
TP4056
15N10，TO252
STC6073
TQ2-3V
FT232RL
SPF5043Z
HT82K629A，SSOP
PCF7936AS
AK4522VF
PCF7935AS
PA1a-5V，（APA3319）
EECS0HD224H 5.5V0.22F
ISL90727WIE627Z-TK
PI5V330WEX
GP2A22
LTS15-NP
AD73422BB-80
LS7266R1-S
SST89E516RD2-40-I-TQJE
ISL90727WIE627Z
A3P250-PQG208
BQ24005PWP
IR21844PBF
LM3S6918-IQC50-A2
FGC400A-130DS
AD8206YRZ-REEL
AMK-2-13+
SN54LS161AJ
HHC67E-1H-24VDC
SN54LS298J
TPS2412D
Q2015LT
L03S200D15
D203S
HY1106S
V23079-C1101-B301
CS5528-ASZ，SSOP-24
SN54LS240J
SGL8023W
HOA1874-12
AD73422BB-80
ADG619BRMZ
OPA847IDBVR，SOT23-6

AON7520

FSDM07652
BZX84-B16
SN54LS240J
R1LP0108ESP-5SI
MT3245
AD7740KRMZ
CBJ2510
G6B-1114P-FD-US-24V
BTW691200
NCE01H14
AD7740KRMZ-REEL7
SST25VF016B-75-4I-S2AF
HL6545MG
STM32F101C6T6A
MB15F07SLPFV1
VLA517-01R
S3C2440A40
PCF7942AT/011
CD40106BD
704.032.518
IDC-24
1-1393028-1
70-IDC5
MY4-AC6-EL
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