描述：FDN327N
FDN327N：N額定1.8Vgs額定PowerTrench®MOSFET
該20V N MOSFET采用飛兆高壓PowerTrench工藝完成。已針對電源管理應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。
特性：FDN327N
2A，20伏
RDS（ON）= 70mΩ@ VGS = 4.5 V
RDS（ON）= 80mΩ@ VGS = 2.5 V
RDS（ON）= 120mΩ@ VGS = 1.8 V
低柵極電荷
快速開關(guān)速度
高性能溝道技術(shù)可實(shí)現(xiàn)極低的RDS（ON）
應(yīng)用：FDN327N
該產(chǎn)品是一般用途，適用于許多不同的應(yīng)用程序。
負(fù)荷開關(guān)
電池保護(hù)
能源管理
制造商:FDN327N
ON Semiconductor
產(chǎn)品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細(xì)信息
技術(shù):
Si
安裝風(fēng)格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
SSOT-3
通道數(shù)量:
1 Channel
晶體管極性:
N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
20 V
Id-連續(xù)漏極電流:
2 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:
40 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:
8 V
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
500 mW (1/2 W)
配置:
Single
通道模式:
Enhancement
商標(biāo)名:
PowerTrench
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
封裝:
Reel
高度:
1.12 mm
長度:
2.9 mm
產(chǎn)品:
MOSFET Small Signal
系列:
FDN327N
晶體管類型:
1 N-Channel
類型:
MOSFET
寬度:
1.4 mm
商標(biāo):
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨導(dǎo) - 最小值:
11 S
下降時(shí)間:
6.5 ns
產(chǎn)品類型:
MOSFET
上升時(shí)間:
6.5 ns
工廠包裝數(shù)量:
3000
子類別:
MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:
14 ns
典型接通延遲時(shí)間:
6 ns
零件號別名:
FDN327N_NL
單位重量:
30 mg
