描述：STW48NM60N
N通道600 V，0.055Ω（典型值），44 A MDmesh™II功率MOSFET
在TO-247封裝中
該器件是一個N溝道功率MOSFET使用第二代MDmesh™技術(shù)。 革命力量MOSFET將垂直結(jié)構(gòu)與公司的鋼帶布局產(chǎn)生了世界上的
最低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷。 它是因此適合最苛刻的高效率轉(zhuǎn)換器。
特征：STW48NM60N
■經(jīng)過100％雪崩測試
■低輸入電容和柵極電荷
■低柵極輸入電阻
應(yīng)用領(lǐng)域：STW48NM60N
■切換應(yīng)用
制造商:STW48NM60N
STMicroelectronics
產(chǎn)品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細(xì)信息
技術(shù):
Si
安裝風(fēng)格:
Through Hole
封裝 / 箱體:
TO-247-3
通道數(shù)量:
1 Channel
晶體管極性:
N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
600 V
Id-連續(xù)漏極電流:
39 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:
70 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:
25 V
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
255 W
配置:
Single
商標(biāo)名:
MDmesh
封裝:
Tube
系列:
STW48NM60N
晶體管類型:
1 N-Channel
商標(biāo):
STMicroelectronics
產(chǎn)品類型:
MOSFET
工廠包裝數(shù)量:
600
子類別:
MOSFETs
單位重量:
38 g
