STMicroelectronics的 PWD5F60 高密度功率驅(qū)動器是一種先進(jìn)的電源系統(tǒng)級封裝，集成柵極驅(qū)動器和四個 N 溝道功率 MOSFET，采用雙半橋配置。集成功率 MOSFET 的 RDS(ON)為 1.38Ω，漏源極擊穿電壓為 600 V，同時嵌入式柵極驅(qū)動器的高壓側(cè)能夠方便地通過集成自舉二極管供電。該器件集成度高，因此能在狹小空間內(nèi)高效地驅(qū)動負(fù)載。
PWD5F60 接受在 10 V 至 20 V 寬范圍內(nèi)的電源電壓 (VDC)。這類器件在上、下驅(qū)動部分都具有 UVLO 保護(hù)功能，以防電源開關(guān)在低效率或危險條件下工作。輸入引腳可擴(kuò)展，允許輕松連接微控制器、DSP 單元或霍爾效應(yīng)傳感器。
PWD5F60 嵌入了兩個非指定比較器，用于防止過流、過熱等。PWD5F60 的工作溫度為 -40°C 至 +125°C。
特性 可達(dá) 600 V 的高壓 全橋功率級 IOUT= 5 A 和 RDS(ON)= 1.38Ω 快速恢復(fù)二極管（trr= 70 ns） 集成陰極負(fù)載二極管 嵌入式 OCP 嵌入 UVLO 保護(hù) 可編程空載時間 寬輸入電源電壓范圍：0 V 至 21 V 先進(jìn)的 QFN 封裝，15 mm x 7 mm 應(yīng)用 工業(yè)風(fēng)扇和泵 抽油煙機(jī)和燃?xì)饧訜崞? 鼓風(fēng)機(jī) 工業(yè)驅(qū)動和工廠自動化 電源單元 PWD5F60 High-Density Power Driver 圖片 制造商零件編號 描述 可供貨數(shù)量 查看詳情
PWD5F60TR
HIGH-DENSITY POWER DRIVER - HIGH
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PWD5F60
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