描述:AO3422
N通道增強(qiáng)模式場(chǎng)效應(yīng)晶體管
AO3422使用先進(jìn)的溝槽技術(shù)提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。 它提供在2.5V至2.5V的寬柵極驅(qū)動(dòng)范圍內(nèi)運(yùn)行12V 該設(shè)備適合用作負(fù)載開關(guān)。
特征:AO3422
VDS(V)= 55V
ID = 2.1A(VGS = 4.5V)
RDS(ON)<160mΩ(VGS = 4.5V)
RDS(ON)<200mΩ(VGS = 2.5V)
制造商Alpha & Omega Semiconductor Inc.
制造商零件編號(hào)AO3422
描述MOSFET N-CH 55V 2.1A SOT23
對(duì)無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況/對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況無鉛/符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS3)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí) (MSL)1(無限)
原廠標(biāo)準(zhǔn)交貨期26 周
詳細(xì)描述表面貼裝型-N-通道-55V-2.1A(Ta)-1.25W(Ta)-SOT-23-3L
一般信息:AO3422
數(shù)據(jù)列表AO3422;
SOT23 Pkg Drawing;
標(biāo)準(zhǔn)包裝 3,000
包裝 標(biāo)準(zhǔn)卷帶
零件狀態(tài)有源
類別分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
產(chǎn)品族晶體管 - FET,MOSFET - 單
系列-
規(guī)格:AO3422
FET 類型N 通道
技術(shù)MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)55V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí))2.1A(Ta)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)2.5V,4.5V
不同 Id,Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值)160 毫歐 @ 2.1A,4.5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值)2V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)(最大值)3.3nC @ 4.5V
Vgs(最大值)±12V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值)300pF @ 25V
FET 功能-
功率耗散(最大值)1.25W(Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝SOT-23-3L
封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3