描述:AOD4186
N通道增強(qiáng)模式場(chǎng)效應(yīng)晶體管
AOD4186結(jié)合了先進(jìn)的溝槽MOSFET低電阻封裝技術(shù)提供RDS(ON)極低。 該設(shè)備是低電量的理想選擇電壓逆變器的應(yīng)用。
-符合RoHS
-無鹵素
特征:AOD4186
VDS(V)= 40V
ID = 35A
RDS(開)<15mΩ
RDS(開)<19mΩ
(VGS = 10V)
(VGS = 10V)
(VGS = 4.5V)
經(jīng)過100%UIS測(cè)試!
100%R g已測(cè)試!
制造商Alpha & Omega Semiconductor Inc.
制造商零件編號(hào)AOD4186
描述MOSFET N-CH 40V 10A TO252
對(duì)無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況/對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況無鉛/符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS3)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí) (MSL)1(無限)
原廠標(biāo)準(zhǔn)交貨期26 周
詳細(xì)描述表面貼裝型-N-通道-40V-10A(Ta)-35A(Tc)-2.5W(Ta)-50W(Tc)-TO-252-(D-Pak
一般信息:AOD4186
數(shù)據(jù)列表AOD4186;
TO252 (DPAK) Pkg Drawing;
標(biāo)準(zhǔn)包裝 2,500
包裝 標(biāo)準(zhǔn)卷帶
零件狀態(tài)有源
類別分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
產(chǎn)品族晶體管 - FET,MOSFET - 單
系列-
規(guī)格:AOD4186
FET 類型N 通道
技術(shù)MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)40V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí))10A(Ta),35A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
不同 Id,Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值)15 毫歐 @ 20A,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值)2.7V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)(最大值)20nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值)1200pF @ 20V
FET 功能-
功率耗散(最大值)2.5W(Ta),50W(Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝TO-252,(D-Pak)
封裝/外殼TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63