晶體管 - FET,MOSFET - 單>IRFP150NPBF 假一罰十,原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,長期的產(chǎn)品,價格優(yōu)惠歡迎采購。IRFP150NPBF Infineon Technologies | IRFP150NPBF-ND | Digi-Key Electronics" src="https://media.digikey.com/Renders/Infineon%20Renders/TO-247-3-AC-EP.jpg" />
一般信息
數(shù)據(jù)列表
IRFP150NPBF;
標(biāo)準(zhǔn)包裝IRFP150NPBF-ND;part_id=811534;ref_supplier_id=448;ref_page_event=Standard Packaging" />
400
包裝
管件
零件狀態(tài)
有源
類別
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
產(chǎn)品族
晶體管 - FET,MOSFET - 單
系列
HEXFET®
規(guī)格
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)
42A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
36 毫歐 @ 23A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
110nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
1900pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
160W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型
通孔
供應(yīng)商器件封裝
TO-247AC
封裝/外殼
TO-247-3
文檔
仿真模型
IRFP150N Spice Model
IRFP150NPBF Saber Model
其它有關(guān)文件
IR Part Numbering System
設(shè)計資源
IRFP150N Saber Model
PCN 封裝
Barcode Label Update 24/Feb/2017
Mult Dev Lot No Format Chg 6/Apr/2018
Mult Device Standard Label Chg 29/Sep/2017
Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
PCN 設(shè)計/規(guī)格
Pb/Sn/Ag Material Update 09/Feb/2015
圖像和媒體
產(chǎn)品相片
TO-247-3 AC EP
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊
High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
特色產(chǎn)品
Data Processing Systems
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發(fā)布時間:2019/9/19 9:06:00 訪問次數(shù):226 發(fā)布企業(yè):深圳市晶美隆科技有限公司