功能說明:FM25V10-GTR
FM25V10-GTR是一種采用非易失性存儲器的1Mbit非易失性存儲器。先進的鐵電工藝。鐵電隨機存取內(nèi)存或F-RAM是非易失性的,可以執(zhí)行讀寫操作類似于RAM。它提供了151年的可靠數(shù)據(jù)保留同時消除了復(fù)雜性,開銷和系統(tǒng)級串行閃存,EEPROM等引起的可靠性問題非易失性存儲器。與串行閃存和EEPROM不同,FM25V10-GTR執(zhí)行寫操作以公交車速度運行。沒有寫入延遲。數(shù)據(jù)是每個字節(jié)后立即寫入存儲器陣列成功轉(zhuǎn)移到設(shè)備。下一個公交周期可以無需進行數(shù)據(jù)輪詢即可開始。除此之外與其他產(chǎn)品相比,該產(chǎn)品具有可觀的書寫耐力非易失性存儲器。 FM25V10能夠支持1014個讀/寫周期,或多一億倍的寫周期比EEPROM。這些功能使FM25V10-GTR非常適合非易失性內(nèi)存應(yīng)用程序,需要頻繁或快速寫入。示例范圍從數(shù)據(jù)收集到寫次數(shù)周期對于要求嚴格的工業(yè)控制至關(guān)重要,串行閃存或EEPROM的長時間寫入會導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失。
FM25V10-GTR為串行用戶提供了很多好處EEPROM或閃存作為硬件的替代品。FM25V10-GTR使用高速SPI總線,從而增強了F-RAM技術(shù)的高速寫入能力。FM25V10-GTR提供了一個唯一的序列號,該序列號是只讀,可用于標識板或系統(tǒng)。都這些設(shè)備包含一個只讀的設(shè)備ID,該ID允許主機確定制造商,產(chǎn)品密度和產(chǎn)品修訂。設(shè)備規(guī)格在工業(yè)溫度范圍為–40C至+85C。
特征:FM25V10-GTR
■邏輯上具有1 Mbit的鐵電隨機存取存儲器(F-RAM)
組織為128K×8
❐高耐用性100萬億(1014)讀/寫
❐151年的數(shù)據(jù)保留(請參閱數(shù)據(jù)保留和
耐力表)
De NoDelay™寫道
❐先進的高可靠性鐵電工藝
■非?焖俚拇型鈬O(shè)備接口(SPI)
frequency最高40 MHz的頻率
❐直接更換串行閃存和EEPROM的硬件
❐支持SPI模式0(0,0)和模式3(1,1)
■復(fù)雜的寫保護方案
using使用寫保護(WP)引腳進行硬件保護
using使用禁止寫入指令進行軟件保護
❐針對1 / 4、1 / 2或整個陣列的軟件塊保護
■設(shè)備ID和序列號
❐制造商ID和產(chǎn)品ID
❐唯一序列號(FM25VN10)
■低功耗
1 MHz時有300 A的有功電流
❐90A(典型值)的待機電流
❐5A睡眠模式電流
■低壓操作:VDD = 2.0 V至3.6 V
■工業(yè)溫度:–40C到+85C
■包裝
❐8引腳小尺寸集成電路(SOIC)封裝
❐8引腳雙扁平無引線(DFN)封裝
■符合有害物質(zhì)限制(RoHS)
制造商:FM25V10-GTR
Cypress Semiconductor
產(chǎn)品種類:
F-RAM
RoHS:
詳細信息
安裝風(fēng)格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
SOIC-8
存儲容量:
1 Mbit
接口類型:
SPI
組織:
128 k x 8
電源電壓-最小:
2 V
電源電壓-最大:
3.6 V
最小工作溫度:
- 40 C
最大工作溫度:
+ 85 C
系列:
FM25V10-G
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
封裝:
Reel
商標:
Cypress Semiconductor
濕度敏感性:
Yes
工作電源電壓:
2 V to 3.6 V
產(chǎn)品類型:
FRAM
工廠包裝數(shù)量:
2500
子類別:
Memory & Data Storage
單位重量:
540 mg