深圳市哲瀚電子科技一級代理OCX系列產(chǎn)品：低壓LED驅(qū)動系列OC1002OC4000 OC4001OC5010OC5011 OC5012 OC5020B OC5021B OC5022B OC5022 OC5028B OC5031 OC5036 OC5038 OC5120B OC5120OC5121OC5122A OC5122 OC5128OC5136OC5138 OC5330 OC5331 OC5351OC5501OC5620B OC5620 OC5622AOC5628OC6700BOC6700 OC6701B OC6701 OC6702B OC6702 OC6781 OC7130 OC7131 OC7135 OC7140 OC7141 電源管理系列OC5800L OC5801LOC5802LOC5806L OC5808L OC6800 OC6801 OC6811 高壓LED驅(qū)動系列OC9300D OC9300S OC9302 OC9303 OC9308 OC9320S OC9330S OC9331 OC9500S OC9501 OC9508等更多型號，提供方案設(shè)計(jì)技術(shù)支持等，歡迎來電咨詢0755-83259945/13714441972陳小姐。
OC7140是一種帶 PWM 調(diào)光功能的線性降壓 LED 恒流驅(qū)動器，僅需外接一個電阻就可以構(gòu)成一個完整的 LED 恒流驅(qū)動電路，調(diào)節(jié)該外接電阻可調(diào)節(jié)輸出電流，輸出電流范圍為 10~2000mA。OC7140 內(nèi)置 30V 50 毫歐 MOS。
OC7140 內(nèi)置過熱保護(hù)功能，可有效保護(hù)芯片，避免因過熱而造成損壞。
OC7140 具有很低的靜態(tài)電流，典型值為 60uA。
OC7140 帶 PWM 調(diào)光功能，可通過在 DIM 腳加 PWM 信號調(diào)節(jié) LED 電流。
OC7140 采用 ESOP8 封裝。外露散熱片接 LED 腳。
特點(diǎn)：
內(nèi)置 30V 50 毫歐 MOS
低靜態(tài)電流：60uA
輸出電流：10mA 到 2000mA。
PWM 調(diào)光：最高頻率 10KHz
輸出電流精度：±4%
內(nèi)置過熱保護(hù)
VDD 工作電壓：2.5-6V
應(yīng)用：
線性 LED 照明驅(qū)動
LED 手電筒、LED 臺燈、LED 礦燈、LED 指示燈等
升壓恒流:
OC6701 3.2～100V 大于輸入電壓2V以上即可3A以內(nèi)
OC6700 3.2～60V 大于輸入電壓2V以上即可 2A以內(nèi)
OC6702 3.2～100V 大于輸入電壓2V以上即可 1A以內(nèi)
降壓恒流:
OC5021 3.2～100V最少低于輸出電壓1V以上就可以正常工作5A以內(nèi)
OC5020 3.2～100V最少低于輸出電壓1V以上就可以正常工作 2A以內(nèi)
OC5022 3.2～60V 最少低于輸出電壓1V以上就可以正常工作 3A以內(nèi)
OC5028 3.2～100V 最少低于輸出電壓1V以上就可以正常工作1.5A以內(nèi)
OC5011 5～40V 最少低于輸出電壓1V以上就可以正常工作5A以內(nèi)
OC5010 5～40V 最少低于輸出電壓1V以上就可以正常工作2A以內(nèi)
LED DRIVER DC-DC升降壓恒流
OC4001 5～100V 3.2～100V 3A
LED DRIVER DC-DC線性降壓恒流
OC7135 2.5-7V 低于等于輸入電壓即可固定<400mA
OC7131 2.5-7V 低于等于輸入電壓即可 可外擴(kuò)，實(shí)際電流決定于MOS管功耗
OC7130 2.5-30V 低于等于輸入電壓即可 實(shí)際電流決定于IC整體耗散功率
LED DRIVER DC-DC降壓恒流專用IC系列：LED遠(yuǎn)近光燈專用芯片
OC5200 3.2～100V最少低于輸出電壓1V以上就可以正常工作 2A以內(nèi)
OC5208 3.2～100V最少低于輸出電壓1V以上就可以正常工作 1.5A以內(nèi)
LED DRIVER DC-DC降壓恒流專用IC系列：多功能LED手電筒專用芯片
OC5351 3.2～100V最少低于輸出電壓1V以上就可以正常工作5A以內(nèi)
OC5331 3.2～100V最少低于輸出電壓1V以上就可以正常工作 5A以內(nèi)
DC-DC降壓恒壓
OC5801 8～100V最少低于輸出電壓5V以上就可以正常工作 3A以內(nèi)
OC5800 8～100V最少低于輸出電壓5V以上就可以正常工作2A以內(nèi)
砷化鎵主要用于微波功率器件，即工作在微波波段（頻率300~300000MHz 間）的半導(dǎo)體器件。5G 帶動砷化鎵需求量新一輪成長，根據(jù) Strategy Analytics 調(diào)查數(shù)據(jù)，2017 年全球砷化鎵元件市場總產(chǎn)值約為 88.3 億美元，國外 IDM 廠商搶占砷化鎵半導(dǎo)體市場先機(jī)，目前全球砷化鎵半導(dǎo)體市場份額最大的 Skyworks，但砷化鎵半導(dǎo)體代工經(jīng)營模式出現(xiàn)，中國臺灣的穩(wěn)懋成為砷化鎵晶圓代工領(lǐng)域龍頭。
l 氮化鎵半導(dǎo)體：微波器件首選材料， 功率器件未來應(yīng)用前景廣闊
氮化鎵材料由于禁帶寬度達(dá)到 3.4eV，與 SIC、金剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽(yù)為第三代半導(dǎo)體材料，也稱為寬禁帶半導(dǎo)體。由于氮化鎵具有禁帶寬度大、擊穿電場高、飽和電子速度大、熱導(dǎo)率高、介電常數(shù)小、化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定和抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，成為高溫、高頻、大功率微波器件的首選材料之一，氮化鎵大功率器件未來應(yīng)用前景廣闊，全球氮化鎵半導(dǎo)體市場潛在規(guī)模達(dá) 94 億美元。
l 碳化硅半導(dǎo)體：高功率器件用途廣泛，應(yīng)用市場將逐步拓展
SiC（碳化硅）是一種由硅（Si）和碳（C）構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料，不僅絕緣擊穿場強(qiáng)是 Si 的 10 倍，帶隙是 Si 的 3 倍，被認(rèn)為是一種超越 Si 極限的功率器件用材料。SiC 功率半導(dǎo)體適合用于深井鉆探、太陽能逆變器（實(shí)現(xiàn)直流與交流的轉(zhuǎn)換）、風(fēng)能逆變器、電動汽車與混合動力汽車、工業(yè)驅(qū)動以及輕軌牽引等需要大功率電源轉(zhuǎn)換的應(yīng)用。
l 國產(chǎn)替代有望加速，三安光電取得國內(nèi)重要客戶的合格供應(yīng)商認(rèn)證
以砷化鎵/氮化鎵/碳化硅為代表的化合物半導(dǎo)體的市場規(guī)模高達(dá)百億美元，代工模式擁有強(qiáng)大的市場競爭力，國家政策扶持將加速化合物半導(dǎo)體的國產(chǎn)化進(jìn)程，2014 年，三安光電成立子公司三安集成電路有限公司，開始切入化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域，同年通訊微電子（一期）項(xiàng)目基建工程開工，根據(jù)公司半年報(bào)，三安集成已取得國內(nèi)重要客戶的合格供應(yīng)商認(rèn)證，并與行業(yè)標(biāo)桿企業(yè)展開業(yè)務(wù)范圍內(nèi)的全面合作。
國聯(lián)萬眾 | 智芯研報(bào)
一、砷化鎵半導(dǎo)體：5G 帶動砷化鎵需求量新一輪成長，代工經(jīng)營模式發(fā)展壯大
砷化鎵主要用于微波功率器件，即工作在微波波段（頻率300~300000MHz間）的半導(dǎo)體器件。在手機(jī)無線網(wǎng)絡(luò)中，系統(tǒng)中的無線射頻模組必定含有兩個關(guān)鍵的砷化鎵半導(dǎo)體零組件：以HBT設(shè)計(jì)的射頻功率放大器（RF PA）和以pHEMT設(shè)計(jì)的射頻開關(guān)器。
傳統(tǒng)2G手機(jī)中，一般需要2個功率放大器（PA），且只有一個頻段，噪聲要求低，使用1個射頻開關(guān)器；到了3G時代，一部手機(jī)平均使用4顆PA，3.5G平均使用6顆PA，使用2個射頻開關(guān)器；4G時代的手機(jī)平均使用7顆PA，4個射頻開關(guān)器。4G的射頻通信需要用到5模13頻；下一代5G技術(shù)，其傳輸速度將是現(xiàn)行4G LTE的100倍，目前只有砷化鎵功率放大器可以實(shí)現(xiàn)如此快速的資料傳輸，4G及未來的5G通訊已成為砷化鎵微波芯片重要的成長動能之一。
由于砷化鎵高頻傳輸?shù)奶匦�，除了在手機(jī)應(yīng)用中飛速成長外，平板電腦、筆記本電腦中搭載的WiFi模組、固定網(wǎng)絡(luò)無線傳輸，以及光纖通訊、衛(wèi)星通訊、點(diǎn)對點(diǎn)微波通訊、有線電視、汽車導(dǎo)航系統(tǒng)、汽車防撞系統(tǒng)等，也分別采用1~4顆數(shù)量不等的功率放大器，這都是推動砷化鎵成長的強(qiáng)大動力。根據(jù)StrategyAnalytics調(diào)查數(shù)據(jù)，2017年全球砷化鎵元件市場總產(chǎn)值約為88.3億美元，較2016年的81.9億美元成長7.8%。
砷化鎵半導(dǎo)體代工經(jīng)營模式出現(xiàn)。在無線通訊的拉動下砷化鎵微波功率半導(dǎo)體需求量快速增長，考慮到半導(dǎo)體制造需要巨額的研發(fā)和設(shè)備投入，產(chǎn)品價格下降快等因素，未來在砷化鎵整體產(chǎn)業(yè)擁有競爭力，砷化鎵半導(dǎo)體垂直分工的經(jīng)營模式出現(xiàn)。盡管目前砷化鎵半導(dǎo)體主要由美國三家IDM廠商（Skyworks，TriQuint與RFMD合并而成的Qorvo，Avago）占據(jù)，但近年來，晶圓代工在整個市場中的占比不斷提高。其中中國臺灣的穩(wěn)懋是砷化鎵晶圓代工領(lǐng)域龍頭，主要客戶為Avago、Murata、Skyworks、RDA、Anadgics等。
二、氮化鎵半導(dǎo)體：微波器件首選材料， 功率器件未來應(yīng)用前景廣闊
氮化鎵材料由于禁帶寬度達(dá)到3.4eV，與SIC、金剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽(yù)為第三代半導(dǎo)體材料，也稱為寬禁帶半導(dǎo)體。由于氮化鎵具有禁帶寬度大、擊穿電場高、飽和電子速度大、熱導(dǎo)率高、介電常數(shù)小、化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定和抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，成為高溫、高頻、大功率微波器件的首選材料之一。
在各國政策的大力推進(jìn)下，國際半導(dǎo)體大廠紛紛將目光投向氮化鎵功率半導(dǎo)體領(lǐng)域。隨著Si材料達(dá)到物理極限，氮化鎵因各方面優(yōu)異的電學(xué)性能被認(rèn)為是未來半導(dǎo)體材料的首選。傳統(tǒng)半導(dǎo)體廠商關(guān)于氮化鎵器件的收購和合作、許可協(xié)議不斷發(fā)生，氮化鎵功率半導(dǎo)體已經(jīng)成了各家必爭之地。Ma-com原先為摩托羅拉下屬微波/射頻解決方案部門，自2013年起產(chǎn)品逐步由砷化鎵半導(dǎo)體拓展到氮化鎵器件，公司毛利率一路攀升，目前已高達(dá)50%以上。
氮化鎵大功率器件未來應(yīng)用前景廣闊。由于對高速、高溫和大功率半導(dǎo)體器件需求的不斷增長，使得氮化鎵材料器件逐漸被半導(dǎo)體市場應(yīng)用。根據(jù)MA-COM預(yù)計(jì)，未來隨著氮化鎵半導(dǎo)體在新能源、智能電網(wǎng)、信息通訊設(shè)備及4C產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用逐步拓展，全球氮化鎵半導(dǎo)體市場潛在規(guī)模達(dá)94億美元。
三、碳化硅半導(dǎo)體：高功率器件用途廣泛，應(yīng)用市場將逐步拓展
SiC（碳化硅）是一種由硅（Si）和碳（C）構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料，不僅絕緣擊穿場強(qiáng)是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，而且在器件制作時可以在較寬范圍內(nèi)控制必要的p型、n型，所以被認(rèn)為是一種超越Si 極限的功率器件用材料。
SiC材料能夠同時實(shí)現(xiàn)高耐壓、低導(dǎo)通電阻、高頻這三個特性。SiC的絕緣擊穿場強(qiáng)大約是Si的10倍，因此與Si器件相比，能夠以具有更高的雜質(zhì)濃度和更薄的厚度的漂移層制作出600V～數(shù)千V的高耐壓功率器件。高耐壓功率器件的阻抗主要由該漂移層的阻抗組成，因此采用SiC可以得到單位面積導(dǎo)通電阻非常低的高耐壓器件，使用SiC材料可以大幅縮減功率器件的體積。
另外SiC的導(dǎo)熱率遠(yuǎn)高于其他材料，因此SiC功率器件即使在高溫下也可以穩(wěn)定工作。目前由于受到封裝的耐熱可靠性限制，SiC器件只保證在150℃~175℃穩(wěn)定工作，隨著未來封裝技術(shù)的發(fā)展，有望實(shí)現(xiàn)200℃以上溫度下的穩(wěn)定工作。
SiC功率半導(dǎo)體適合用于深井鉆探、太陽能逆變器（實(shí)現(xiàn)直流與交流的轉(zhuǎn)換）、風(fēng)能逆變器、電動汽車與混合動力汽車、工業(yè)驅(qū)動以及輕軌牽引等需要大功率電源轉(zhuǎn)換的應(yīng)用。SiC功率半導(dǎo)體瞄準(zhǔn)的市場是大約600V以上的耐壓用途，GaN功率半導(dǎo)體瞄準(zhǔn)的耐壓區(qū)域比SiC功率半導(dǎo)體低，大約為十幾V~600V，GaN功率半導(dǎo)體在此應(yīng)用范圍內(nèi)能否實(shí)現(xiàn)普及，其關(guān)鍵問題在于性價比是否能夠超越傳統(tǒng)的Si功率半導(dǎo)體（MOSFET）。
四、民用市場國產(chǎn)替代即將開啟，國產(chǎn)替代加速
全球化合物半導(dǎo)體規(guī)模合計(jì)近百億美元，比肩LED市場。在前面部分，我們已經(jīng)講過我國已經(jīng)是全球功率半導(dǎo)體最大消費(fèi)市場，占到了全球一半的份額。
軍事應(yīng)用有望成為化合物半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)化的突破口。砷化鎵/氮化鎵材料現(xiàn)在正處于發(fā)展階段，目前全球該領(lǐng)域參與者數(shù)量遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于硅，市場分布較為均衡，這對于國內(nèi)廠商來說易于尋找突破口，快速追趕國際先進(jìn)水平。目前國內(nèi)從事砷化鎵/氮化鎵芯片制造的多為軍工科研院所，如中電五十五所、中電十三所等，主要從事科學(xué)研發(fā)，難以實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)，有望成為突破口。
民用市場國產(chǎn)替代即將開啟。目前設(shè)計(jì)領(lǐng)域，國內(nèi)第三大IC設(shè)計(jì)廠商銳迪科（RDA），依托大陸強(qiáng)大的白牌手機(jī)制造業(yè)迅速發(fā)展，在白牌手機(jī)的PA、藍(lán)牙、FM Turner、DVB-STuner市場均為中國第一。銳迪科的砷化鎵微波半導(dǎo)體產(chǎn)品是由中國臺灣的穩(wěn)懋來代工生產(chǎn)。另外包括國民技術(shù)、漢天下等設(shè)計(jì)公司，均是三安光電未來潛在客戶。
由于對產(chǎn)業(yè)安全和國家信息安全的關(guān)注日益升級，我國于14年6月公布了《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》，將發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)上升為國家戰(zhàn)略，并對集成電路產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值以及制造與封測技術(shù)的發(fā)展提出了具體的要求。同時，通過產(chǎn)業(yè)基金、稅收優(yōu)惠、金融支持等措施對我國IC企業(yè)的發(fā)展提供保障。目前我國砷化鎵/氮化鎵半導(dǎo)體受制于國際半導(dǎo)體巨頭，處于被動局面，將是《綱要》扶持發(fā)展的重點(diǎn)。
綜上所述，以砷化鎵/氮化鎵/碳化硅為代表的化合物半導(dǎo)體的市場規(guī)模高達(dá)百億美元，代工模式擁有強(qiáng)大的市場競爭力，國家政策扶持將加速化合物半導(dǎo)體的國產(chǎn)化進(jìn)程。2016年全球砷化鎵元件市場總產(chǎn)值約為81.9億美元，氮化鎵半導(dǎo)體市場潛在規(guī)模達(dá)94億美元，2016 年全球SiC功率半導(dǎo)體市場約5億美元，預(yù)計(jì)未來SiC功率半導(dǎo)體市場容量有望超過20億美元，隨著我國對產(chǎn)業(yè)安全和國家信息安全的關(guān)注日益升級，將發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)上升為國家戰(zhàn)略，政策扶持將加速二/三代半導(dǎo)體的國產(chǎn)化進(jìn)程。
2014年，公司成立子公司三安集成電路有限公司，開始切入化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域，同年通訊微電子（一期）項(xiàng)目基建工程開工。2015年7月三安光電非公開發(fā)行1.57億股募集資金35億元，其中16億元用于投資通訊微電子器件（一期）項(xiàng)目，建設(shè)GaAs/GaN外延片產(chǎn)線各一條、適用于專業(yè)通訊微電子市場的GaAs高速半導(dǎo)體芯片與GaN高功率半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)線各一條。項(xiàng)目建設(shè)周期為45個月，建設(shè)完成后，將形成通訊用外延片36萬片/年、通訊用芯片36萬片/年的產(chǎn)能，預(yù)計(jì)完全達(dá)產(chǎn)后貢獻(xiàn)年銷售收入40.15億元（不含稅），新增年凈利潤5.96億元。
三安集成電路進(jìn)展順利。根據(jù)公司2018年半年報(bào)顯示，三安集成電路砷化鎵射頻已與103家客戶有業(yè)務(wù)接觸，出貨客戶累計(jì)58家，14家客戶已量產(chǎn)，達(dá)89種產(chǎn)品，產(chǎn)品性能及穩(wěn)定性獲客戶一致好評；氮化鎵射頻已實(shí)現(xiàn)客戶送樣，初步性能已獲客戶認(rèn)可；科技部重點(diǎn)研發(fā)項(xiàng)目取得重大突破，提前完成階段性結(jié)題指標(biāo)，核高基重大專項(xiàng)—5G移動通信功放芯片項(xiàng)目按計(jì)劃正常進(jìn)行中；電力電子產(chǎn)品已完成國內(nèi)外客戶產(chǎn)品驗(yàn)證并批量供貨，己進(jìn)入量產(chǎn)階段；光通訊芯片已累計(jì)送樣26件，部分產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)并已實(shí)現(xiàn)銷售。
三安集成電路于2016年與GCS成立三安環(huán)宇。2016年11月，公司與GCS（環(huán)宇通訊半導(dǎo)體有限責(zé)任公司）合資成立子公司三安環(huán)宇，其中三安出資204萬美元，股權(quán)占比51%。環(huán)宇是全球知名的化合物半導(dǎo)體代工廠，2017年GaAs代工市場份額占比達(dá)到7.2%，位居全球第三，僅低于穩(wěn)懋和宏捷，更重要的是GCS擁有豐富全面的化合物半導(dǎo)體制造技術(shù)，此次合作將有利于公司提升射頻通訊和光通訊元件技術(shù)水平和構(gòu)筑相關(guān)專利平臺，同時有望引入環(huán)宇已有客戶資源。
目前GCS擁有2寸、3寸和4寸的GaAs、InP、GaN和SiC晶圓產(chǎn)能，其中以4寸產(chǎn)能為主，提供包括磷化銦鎵（InGaP）異質(zhì)介面雙極電晶體（HBT）、磷化銦HBT、 PHEMT、HFET、GaN HEMT、 THz混頻器二極管與積體被動元件（IPD）等制程技術(shù)。在多元化業(yè)務(wù)驅(qū)動下，公司的營收快速增長，2017年?duì)I業(yè)收入達(dá)4.23億元，毛利率高達(dá)46.5%。
2019年1月21日，公司發(fā)布關(guān)于控股東引入戰(zhàn)略投資者的提示，引入安芯基金、泉州金控和興業(yè)信托，協(xié)議約定：興業(yè)信托、泉州金控、安芯基金向三安集團(tuán)增資不低于54億元，泉州金控向三安集團(tuán)提供6億元流動性支持。公司此次引入戰(zhàn)略投資者將大幅增加公司控股東的現(xiàn)金流，改善財(cái)務(wù)報(bào)表結(jié)構(gòu)，降低控股股東股權(quán)質(zhì)押比例。
根據(jù)公司半年報(bào)，三安集成已取得國內(nèi)重要客戶的合格供應(yīng)商認(rèn)證，并與行業(yè)標(biāo)桿企業(yè)展開業(yè)務(wù)范圍內(nèi)的全面合作。射頻業(yè)務(wù) HBT、pHEMT 代工工藝線已經(jīng)批量供貨并得到客戶一致好評，產(chǎn)品涵蓋 2G-5G 手機(jī)射頻功放 WiFi、物聯(lián)網(wǎng)、路由器、通信基站射頻信號功放、衛(wèi)星通訊等市場應(yīng)用；電力電子業(yè)務(wù)已推出高可靠性，高功率密度的碳化硅功率二極管及 MOSFET 及硅基氮化鎵功率器件，產(chǎn)品主要應(yīng)用于新能源汽車，充電樁，光伏逆變器等電源市場；光通訊業(yè)務(wù)已具備生產(chǎn)DFB、 VCSEL、 PD APD 等數(shù)通產(chǎn)品的能力，產(chǎn)品主要應(yīng)用于光纖到戶， 5G 通信基站傳輸，數(shù)據(jù)中心以及消費(fèi)類終端的 3D 感知探測等應(yīng)用市場；濾波器業(yè)務(wù)產(chǎn)線設(shè)備已到位并進(jìn)入全面安裝調(diào)試階段，預(yù)計(jì)今年產(chǎn)線全面組建完成投產(chǎn)。
