一般信息
數(shù)據(jù)列表
IPD50N10S3L-16
標(biāo)準(zhǔn)包裝
2,500
包裝
帶卷（TR）
零件狀態(tài)
有源
類別
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
產(chǎn)品族
晶體管 - FET，MOSFET - 單
系列
OptiMOS
其它名稱
IPD50N10S3L-16
IPD50N10S3L-16-ND
IPD50N10S3L-16TR
IPD50N10S3L-16TR-ND
IPD50N10S3L16
IPD50N10S3L16ATMA1TR
SP000386185
規(guī)格
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
100V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
50A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同Id，Vgs 時(shí)的Rds On（最大值）
15 毫歐 @ 50A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
2.4V @ 60μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）（最大值）
64nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）
4180pF @ 25V
功率耗散（最大值）
100W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝
PG-TO252-3
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
