7MBR25SA120、原裝現貨供應7MBR25SA120
7MBR25SA120模塊產品信息
FUJI品牌系列產品
7MBR25SA120批號：2011+/2012+
7MBR25SA120數量 200
7MBR25SA120封裝 模塊
7MBR25SA120技術參數：25A 1200V
士電機推出業(yè)界最高水平低損耗“Super J-MOS系列”MOSFET
富士電機株式會社(東京都品川區(qū)、代表取締役社長)推出業(yè)內最高水平的低損耗MOSFET“Super J-MOS系列”產品。1．上市目的
如今，人們對地球環(huán)境越來越關心，在不斷清潔化的IT領域及新能源等領域中，可實現高效電力變換的功率半導體受到廣泛矚目。
其中，MOSFET(注1)作為電力轉換過程所使用的主要裝置，對其降低損耗的要求越來越高。
此次，富士電機推出的Super J-MOS系列產品，采用具有新開發(fā)的低通態(tài)電阻特性的SJ結構(注2)，可大幅度地降低損耗。
據此，可通過提高設備的電力變換效率減少耗電，為實現低碳社會作貢獻。
2．產品特點
・降低通態(tài)電阻70％(注3)，達到業(yè)內最高水平的低損耗。
・結合最新降低開關損耗的技術，使元器件總損耗降低14％(注4)。
聯系人:向雅娟
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