30V正極N通道HEXFET功率MOSFET，采用D-Pak封裝
優(yōu)勢(shì)：IRLR7843TRPBF
符合RoHS
具有一流先進(jìn)的品質(zhì)
低RDS（ON）@ 4.5V VGS
經(jīng)過充分驗(yàn)證的雪崩電壓和電流
超低的二氧化碳濃度
邏輯合理
制造商:Infineon
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:TO-252-3
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:30 V
Id-連續(xù)漏極電流:161 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:3.2 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:2.3 V
Qg-柵極電荷:34 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 175 C
Pd-功率耗散:140 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
高度:2.3 mm
長(zhǎng)度:6.5 mm
晶體管類型:1 N-Channel
寬度:6.22 mm
商標(biāo):Infineon / IR
正向跨導(dǎo) - 最小值:37 S
下降時(shí)間:19 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時(shí)間:42 ns
工廠包裝數(shù)量:2000
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:34 ns
典型接通延遲時(shí)間:25 ns
零件號(hào)別名:SP001569090
單位重量:4 g
