描述：IRFP3703PBF
30V正極N通道HEXFET功率MOSFET，采用TO-247AC封裝
優(yōu)勢：IRFP3703PBF
寬SOA的平面單元結(jié)構(gòu)
針對分銷合作伙伴的最廣泛可用性進行了優(yōu)化
根據(jù)JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品認(rèn)證
硅經(jīng)過優(yōu)化，適用于低于100kHz的開關(guān)應(yīng)用
行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的通孔電源封裝
高電流承載能力封裝（高達195 A，取決于芯片尺寸）
針對高功率密度
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:Through Hole
封裝 / 箱體:TO-247-3
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:30 V
Id-連續(xù)漏極電流:210 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:2.8 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
Qg-柵極電荷:209 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 175 C
Pd-功率耗散:230 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
封裝:Tube
高度:20.7 mm
長度:15.87 mm
晶體管類型:1 N-Channel
類型:Smps MOSFET
寬度:5.31 mm
商標(biāo):Infineon Technologies
下降時間:24 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時間:123 ns
工廠包裝數(shù)量:400
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間:53 ns
典型接通延遲時間:18 ns
零件號別名:SP001556744
單位重量:38 g
