描述:NCE2301
NCE P通道增強(qiáng)模式功率MOSFET
NCE2301使用先進(jìn)的溝槽技術(shù)來(lái)提供出色的RDS(ON),低柵極電荷和帶柵極工作電壓低至2.5V。 該設(shè)備適合用作負(fù)載開(kāi)關(guān)或在PWM應(yīng)用中。
一般特征:NCE2301
●VDS = -20V,ID = -3A
RDS(開(kāi)啟)<140mΩ@ VGS = -2.5V
RDS(開(kāi)啟)<110mΩ@ VGS = -4.5V
●高功率和電流處理能力
●獲得無(wú)鉛產(chǎn)品
●表面貼裝
應(yīng)用:NCE2301
●PWM應(yīng)用
●負(fù)載開(kāi)關(guān)
●電源管理
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