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產(chǎn)品種類: IGBT 模塊
產(chǎn)品: IGBT Silicon Modules
配置: Single
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 1200 V
集電極—射極飽和電壓: 2.5 V
在25 C的連續(xù)集電極電流: 430 A
柵極—射極漏泄電流: 0.32 uA
功率耗散: 2.5 KW
最大工作溫度: + 150 C
封裝 / 箱體: 62MM
柵極/發(fā)射極最大電壓: +/- 20 V
最小工作溫度: - 40 C
安裝風(fēng)格: Screw
