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      富士7MBP150RA120-05

      發(fā)布時(shí)間:2012/8/11 12:10:00 訪問(wèn)次數(shù):327

      富士7MBP150RA120-05的適用領(lǐng)域:通用變頻器、通用伺服、數(shù)控加工機(jī)械、工業(yè)機(jī)器人、中央空調(diào)、太陽(yáng)能發(fā)電用電力變換器等 !

      富士電機(jī)推出業(yè)界最高水平低損耗“Super J-MOS系列”MOSFET

      富士電機(jī)株式會(huì)社(東京都品川區(qū)、代表取締役社長(zhǎng))推出業(yè)內(nèi)最高水平的低損耗MOSFET“Super J-MOS系列”產(chǎn)品。

      1.上市目的
      如今,人們對(duì)地球環(huán)境越來(lái)越關(guān)心,在不斷清潔化的IT領(lǐng)域及新能源等領(lǐng)域中,可實(shí)現(xiàn)高效電力變換的功率半導(dǎo)體受到廣泛矚目。
      其中,MOSFET(注1)作為電力轉(zhuǎn)換過(guò)程所使用的主要裝置,對(duì)其降低損耗的要求越來(lái)越高。
      此次,富士電機(jī)推出的Super J-MOS系列產(chǎn)品,采用具有新開(kāi)發(fā)的低通態(tài)電阻特性的SJ結(jié)構(gòu)(注2),可大幅度地降低損耗。
      據(jù)此,可通過(guò)提高設(shè)備的電力變換效率減少耗電,為實(shí)現(xiàn)低碳社會(huì)作貢獻(xiàn)。

      2.產(chǎn)品特點(diǎn)
      ・降低通態(tài)電阻70%(注3),達(dá)到業(yè)內(nèi)最高水平的低損耗。
      ・結(jié)合最新降低開(kāi)關(guān)損耗的技術(shù),使元器件總損耗降低14%(注4)。

      品牌:

      富士

      規(guī)格型號(hào)

      富士7MBP150RA120-05


      封裝

      模塊

      電流參數(shù)

      150A 1200V


      價(jià)格

      電議

      供貨數(shù)量

      不限


      最小起訂量

      1PCS

      備注:

      進(jìn)口原裝


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