描述：STB55NF06T4
這些功率MOSFET已開發(fā)使用意法半導體獨特的STripFET
過程，專門用于
最小化輸入電容和柵極電荷。 這個
使設備適合用作主要設備
切換用于電信和計算機的高級高效隔離式DCDC轉換器
應用和低門應用
充電駕駛要求
特征：STB55NF06T4
■經(jīng)過100％雪崩測試
■出色的dv / dt功能
■切換應用
制造商: STMicroelectronics
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-263-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續(xù)漏極電流: 50 A
Rds On-漏源導通電阻: 18 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Qg-柵極電荷: 60 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 110 W
通道模式: Enhancement
商標名: STripFET
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 4.6 mm
長度: 10.4 mm
系列: STB55NF06
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: MOSFET
寬度: 9.35 mm
商標: STMicroelectronics
正向跨導 - 最小值: 18 S
下降時間: 15 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 50 ns
工廠包裝數(shù)量: 1000
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 36 ns
典型接通延遲時間: 20 ns
單位重量: 4 g
