制造商：Infineon Technologies
說明：
MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 210mOhms 16.7nC
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝/箱體: TO-252-3
通道數(shù)量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V
Id-連續(xù)漏極電流: 9.1 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 210 mOhms
Vgs -柵極-源極電壓: 20 V
Qg-柵極電荷: 16.7 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 39 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
高度: 2.3 mm
長度: 6.5 mm
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: HEXFET Power MOSFET
寬度: 6.22 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
下降時間: 23 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 23 ns
工廠包裝數(shù)量: 2000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間: 32 ns
典型接通延遲時間: 4.5 ns
零件號別名: SP001566944
單位重量: 4 g
