深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司 深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北振興路101號(hào)華勻大廈2棟5樓516 網(wǎng)站 http://www.kehengweiyedz.cn 網(wǎng)站http://www.kehengweiye.com 郵箱：yulin522@126.com 0755-83200050 15817287769 柯先生
數(shù)據(jù)列表
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標(biāo)準(zhǔn)包裝
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50
包裝
管件
零件狀態(tài)
有源
類別
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
產(chǎn)品族
晶體管 - FET，MOSFET - 單
系列
HEXFET®，StrongIRFET™
其它名稱
SP001566700
規(guī)格
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
40V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
120A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V
不同Id，Vgs 時(shí)的Rds On（最大值）
2.5 毫歐 @ 100A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
3.9V @ 100μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）（最大值）
135nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）
4730pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
143W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應(yīng)商器件封裝
TO-220AB
封裝/外殼
TO-220-3
